Зображення обкладинки

Интегральный оптоэлектронный коммутатор на ДМОП-транзисторах

A mathematical model of the current–voltage characteristics (I–V curve) of the optoelectronic pair “photodiode–DMOS transistor” has been developed, which makes it possible to establish the relationship between its electrical parameters and the structural and electrophysical parameters of the photodi...

Повний опис

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Дата:	2008
Автори:	Politanskyy, L. F., Lesinskyy, V. V.
Формат:	Стаття
Мова:	Українська
Опубліковано:	PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2008
Теми:	фотодиод ДМОП-транзистор оптоэлектронная пара оптоэлектронный коммутатор пороговое напряжение фототок
Онлайн доступ:	https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2008.6.23
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Technology and design in electronic equipment

Репозитарії

Technology and design in electronic equipment

Схожі ресурси

Интегральный оптоэлектронный коммутатор на ДМОП-транзисторах
за авторством: Политанский, Л.Ф., та інші
Опубліковано: (2008)

Збільшення чутливості та радіаційної стійкості сенсорів-перетворювачів температури на основі генераторів на одноперехідних транзисторах
за авторством: Vikulin, Ivan, та інші
Опубліковано: (2023)

Создание Т-образного затвора в малошумящих полевых СВЧ-транзисторах
за авторством: Bosiy, V. I., та інші
Опубліковано: (2006)

Прогнозирование напряжения отсечки ионно-имплантированных полевых транзисторов с барьером Шоттки на GaAs
за авторством: Gorev, N. B., та інші
Опубліковано: (2007)

Оптоэлектронный люминесцентный газоанализатор
за авторством: Плавинский, Е.Б., та інші
Опубліковано: (2001)

МОЩНЫЕ ВЫСОКОВОЛЬТНЫЕ ГЕНЕРАТОРЫ С ПОЛУПРОВОДНИКОВЫМИ КОММУТАТОРАМИ
за авторством: Бойко, Н.И.
Опубліковано: (2014)

Устройство управления лазерным модулем оптоэлектронной вычислительной среды с динамически изменяемой архитектурой
за авторством: Lipinskii, A. Y.
Опубліковано: (2013)

Новое поколение преобразователей "ток – напряжение" для измерения фотосигналов
за авторством: Butenko, V. K., та інші
Опубліковано: (2008)

Датчики интегральной поглощенной дозы ионизирующего излучения на основе МОП-транзисторов
за авторством: Perevertaylo, V. L.
Опубліковано: (2010)

Оптоэлектронный акустооптический цифро-аналоговый преобразователь
за авторством: Рудякова, А.Н., та інші
Опубліковано: (2007)

Прогнозирование разброса параметров полевых транзисторов с барьером Шоттки на GaAs
за авторством: Gorev, N. B., та інші
Опубліковано: (2006)

УПРАВЛЕНИЕ ПОТОКАМИ АКТИВНОЙ И РЕАКТИВНОЙ МОЩНОСТЕЙ В ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ СЕТЯХ
за авторством: Говоров, Ф.П., та інші
Опубліковано: (2016)

Эффект усиления фототока в фотодиодной структуре с прямо- и обратновключенными переходами
за авторством: Yodgorova, D. M.
Опубліковано: (2010)

Фотодиод ультрафиолетового диапазона на основе селенида цинка
за авторством: Perevertailo, V. L., та інші
Опубліковано: (2010)

Кремниевый интегральный гальваномагниторекомбинационный элемент
за авторством: Касимов, Ф.Д., та інші
Опубліковано: (2000)

Сильноточный импульсный коммутатор и его плазменно-вакуумные характеристики
за авторством: Скибенко, Е.И., та інші
Опубліковано: (2000)

Логічні схеми на одноелектронних транзисторах
за авторством: Petrenko, A., та інші
Опубліковано: (2018)

Фототранзистор составной на полевых транзисторах
за авторством: Каримов, А.В., та інші
Опубліковано: (2012)

Фотодиод на основе GaP с повышенной чувствительностью в коротковолновой области УФ-спектра
за авторством: Dobrovol’skii, Yu. G.
Опубліковано: (2012)

КОМПЬЮТЕРНЫЙ АНАЛИЗ ЭЛЕКТРОМЕХАНИЧЕСКИХ НАПРЯЖЕНИЙ В ПОЛИЭТИЛЕНОВОЙ ИЗОЛЯЦИИ СИЛОВОГО КАБЕЛЯ ПРИ НАЛИЧИИ МИКРОВКЛЮЧЕНИЙ
за авторством: Кучерявая, И.Н.
Опубліковано: (2012)

Кремниевый p–i–n-фотодиод с малым темновым током
за авторством: Dobrovolskiy, Yu. G., та інші
Опубліковано: (2011)

Интегральный индекс социального самочувствия: альтернативный подход
за авторством: Дембицкий, С.
Опубліковано: (2017)

МЕТОДЫ ПОВЫШЕНИЯ ЭФФЕКТИВНОСТИ ИМПУЛЬСНОГО ПРЕОБРАЗОВАНИЯ ПЕРЕМЕННОГО НАПРЯЖЕНИЯ
за авторством: Голубев, В.В.
Опубліковано: (2013)

РАСЧЕТ И ОПТИМИЗАЦИЯ ВЫХОДНОГО LС-ФИЛЬТРА ИМПУЛЬСНОГО ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЯ ПЕРЕМЕННОГО НАПРЯЖЕНИЯ
за авторством: Голубев, В.В.
Опубліковано: (2012)

РЕГУЛИРОВАНИЕ ПАРАМЕТРОВ ИСТОЧНИКОВ ИМПУЛЬСНОГО И ПОСТОЯННОГО НАПРЯЖЕНИЙ ПРИ ОДНОВРЕМЕННОМ ПИТАНИИ ЭЛЕКТРОФИЛЬТРОВ
за авторством: Диордийчук, В.В.
Опубліковано: (2014)

Алмазные фотоприемники ультрафиолетового диапазона
за авторством: Altukhov, A. A., та інші
Опубліковано: (2007)

Устройство формирования элементов оптоэлектронной акустооптической вычислительной среды
за авторством: Lipinskiy, А. Yu., та інші
Опубліковано: (2010)

Интегральный метод районирования рейтинговых показателей развития региона
за авторством: Иванов, С.Е.
Опубліковано: (2010)

Языковый феномен как интегральный домен символического универсума
за авторством: Шульга, А.
Опубліковано: (2016)

Оптимизация изготовления высоковольтного горизонтального р-канального МОП-транзистора
за авторством: Leonov, N. I., та інші
Опубліковано: (2006)

ОСОБЛИВОСТІ ВПЛИВУ ВИЩИХ ГАРМОНІК НА ВИБІР ПАРАМЕТРІВ СТРУМОПРОВОДУ ЦЕХОВИХ МЕРЕЖ
за авторством: Коцур, М.І., та інші
Опубліковано: (2018)

Создание Т-образного затвора в малошумящих полевых СВЧ-транзисторах
за авторством: Босый, В.И., та інші
Опубліковано: (2006)

Сверхмалошумящие криогенно охлаждаемые усилители на псевдоморфных гетероструктурных полевых транзисторах
за авторством: Королев, А.М., та інші
Опубліковано: (2007)

Интегральный метод моделирования динамических систем с переменными параметрами
за авторством: Протасов, С.Ю.
Опубліковано: (2010)

Спектры фоточувствительности поверхностно-барьерных структур Ni–n-GaAs
за авторством: Melebayew, D., та інші
Опубліковано: (2008)

Оптико-электронное устройство в системе контроля габаритов груза железнодорожного состава
за авторством: Dubeshko, A. V., та інші
Опубліковано: (2008)

Характеристики фотодиодов со структурой «собственный оксид – InSe», облученных высокоэнергетическими электронами
за авторством: Sydor, O. N., та інші
Опубліковано: (2012)

Кремниевый термостатированный p–i–n-фотодиод
за авторством: Dobrovolsky, Yu. G.
Опубліковано: (2006)

Технология создания легированных бором слоев на алмазе
за авторством: Zyablyuk, K. N., та інші
Опубліковано: (2012)

Некоторые особенности ограничителя тока на полевом транзисторе
за авторством: Karimov, A. V., та інші
Опубліковано: (2011)