Buchumschlag

Интегральный оптоэлектронный коммутатор на ДМОП-транзисторах

A mathematical model of the current–voltage characteristics (I–V curve) of the optoelectronic pair “photodiode–DMOS transistor” has been developed, which makes it possible to establish the relationship between its electrical parameters and the structural and electrophysical parameters of the photodi...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Datum:	2008
Hauptverfasser:	Politanskyy, L. F., Lesinskyy, V. V.
Format:	Artikel
Sprache:	Ukrainisch
Veröffentlicht:	PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2008
Schlagworte:	фотодиод ДМОП-транзистор оптоэлектронная пара оптоэлектронный коммутатор пороговое напряжение фототок
Online Zugang:	https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2008.6.23
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:	Technology and design in electronic equipment

Institution

Technology and design in electronic equipment

Ähnliche Einträge

Интегральный оптоэлектронный коммутатор на ДМОП-транзисторах
von: Политанский, Л.Ф., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Збільшення чутливості та радіаційної стійкості сенсорів-перетворювачів температури на основі генераторів на одноперехідних транзисторах
von: Vikulin, Ivan, et al.
Veröffentlicht: (2023)

Создание Т-образного затвора в малошумящих полевых СВЧ-транзисторах
von: Bosiy, V. I., et al.
Veröffentlicht: (2006)

Эффекты переключения и памяти в МОП-структурах Al–SiO2–Si
von: Iskender-zade, Z. A., et al.
Veröffentlicht: (2004)

Схемотехническое моделирование и синтез активных СВЧ-фильтров на полевых транзисторах Шоттки
von: Filinyuk, N. А., et al.
Veröffentlicht: (2005)

Каскадный инжекционный фотоприемник на основе твердых растворов A2B6-соединений для спектрального диапазона = 500–650 нм
von: Mirsagatov, Sh. A., et al.
Veröffentlicht: (2018)

Особенности разработки термостабилизированных германиевых фотодиодов
von: Ryuhtin, V. V., et al.
Veröffentlicht: (2004)

Оптоэлектронный люминесцентный газоанализатор
von: Плавинский, Е.Б., et al.
Veröffentlicht: (2001)

Новое поколение преобразователей "ток – напряжение" для измерения фотосигналов
von: Butenko, V. K., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Устройство управления лазерным модулем оптоэлектронной вычислительной среды с динамически изменяемой архитектурой
von: Lipinskii, A. Y.
Veröffentlicht: (2013)

Прогнозирование напряжения отсечки ионно-имплантированных полевых транзисторов с барьером Шоттки на GaAs
von: Gorev, N. B., et al.
Veröffentlicht: (2007)

МОЩНЫЕ ВЫСОКОВОЛЬТНЫЕ ГЕНЕРАТОРЫ С ПОЛУПРОВОДНИКОВЫМИ КОММУТАТОРАМИ
von: Бойко, Н.И.
Veröffentlicht: (2014)

МОЩНЫЕ ВЫСОКОВОЛЬТНЫЕ ГЕНЕРАТОРЫ С ПОЛУПРОВОДНИКОВЫМИ КОММУТАТОРАМИ
von: Бойко, Н.И.
Veröffentlicht: (2014)

Оптимизация геометрических характеристик p–n-структур для оптоэлектроники
von: Vikulin, I. М., et al.
Veröffentlicht: (2004)

Оптоэлектронный акустооптический цифро-аналоговый преобразователь
von: Рудякова, А.Н., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Датчики интегральной поглощенной дозы ионизирующего излучения на основе МОП-транзисторов
von: Perevertaylo, V. L.
Veröffentlicht: (2010)

Эффект усиления фототока в фотодиодной структуре с прямо- и обратновключенными переходами
von: Yodgorova, D. M.
Veröffentlicht: (2010)

Прогнозирование разброса параметров полевых транзисторов с барьером Шоттки на GaAs
von: Gorev, N. B., et al.
Veröffentlicht: (2006)

Сильноточный импульсный коммутатор и его плазменно-вакуумные характеристики
von: Скибенко, Е.И., et al.
Veröffentlicht: (2000)

Фотодиод ультрафиолетового диапазона на основе селенида цинка
von: Perevertailo, V. L., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Кремниевый интегральный гальваномагниторекомбинационный элемент
von: Касимов, Ф.Д., et al.
Veröffentlicht: (2000)

Фототранзистор составной на полевых транзисторах
von: Каримов, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Логічні схеми на одноелектронних транзисторах
von: Petrenko, A., et al.
Veröffentlicht: (2018)

Логічні схеми на одноелектронних транзисторах
von: Петренко, А.І., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Фотодиод на основе GaP с повышенной чувствительностью в коротковолновой области УФ-спектра
von: Dobrovol’skii, Yu. G.
Veröffentlicht: (2012)

УПРАВЛЕНИЕ ПОТОКАМИ АКТИВНОЙ И РЕАКТИВНОЙ МОЩНОСТЕЙ В ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ СЕТЯХ
von: Говоров, Ф.П., et al.
Veröffentlicht: (2016)

УПРАВЛЕНИЕ ПОТОКАМИ АКТИВНОЙ И РЕАКТИВНОЙ МОЩНОСТЕЙ В ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ СЕТЯХ
von: Говоров, Ф.П., et al.
Veröffentlicht: (2016)

Кремниевый p–i–n-фотодиод с малым темновым током
von: Dobrovolskiy, Yu. G., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Устройство формирования элементов оптоэлектронной акустооптической вычислительной среды
von: Lipinskiy, А. Yu., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Интегральный индекс социального самочувствия: альтернативный подход
von: Дембицкий, С.
Veröffentlicht: (2017)

Подходы к формированию понятия "интегральный турпродукт"
von: Фербей, Г.Г., et al.
Veröffentlicht: (2002)

Спектры фоточувствительности поверхностно-барьерных структур Ni–n-GaAs
von: Melebayew, D., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Алмазные фотоприемники ультрафиолетового диапазона
von: Altukhov, A. A., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Двухспектральный фотоприемник
von: Dobrovol’sky, Yu. G., et al.
Veröffentlicht: (2005)

Языковый феномен как интегральный домен символического универсума
von: Шульга, А.
Veröffentlicht: (2016)

Интегральный метод районирования рейтинговых показателей развития региона
von: Иванов, С.Е.
Veröffentlicht: (2010)

Оптимизация изготовления высоковольтного горизонтального р-канального МОП-транзистора
von: Leonov, N. I., et al.
Veröffentlicht: (2006)

КОМПЬЮТЕРНЫЙ АНАЛИЗ ЭЛЕКТРОМЕХАНИЧЕСКИХ НАПРЯЖЕНИЙ В ПОЛИЭТИЛЕНОВОЙ ИЗОЛЯЦИИ СИЛОВОГО КАБЕЛЯ ПРИ НАЛИЧИИ МИКРОВКЛЮЧЕНИЙ
von: Кучерявая, И.Н.
Veröffentlicht: (2012)

КОМПЬЮТЕРНЫЙ АНАЛИЗ ЭЛЕКТРОМЕХАНИЧЕСКИХ НАПРЯЖЕНИЙ В ПОЛИЭТИЛЕНОВОЙ ИЗОЛЯЦИИ СИЛОВОГО КАБЕЛЯ ПРИ НАЛИЧИИ МИКРОВКЛЮЧЕНИЙ
von: Кучерявая, И.Н.
Veröffentlicht: (2012)

Интегральный метод моделирования динамических систем с переменными параметрами
von: Протасов, С.Ю.
Veröffentlicht: (2010)