Buchumschlag

Интегральный оптоэлектронный коммутатор на ДМОП-транзисторах

A mathematical model of the current–voltage characteristics (I–V curve) of the optoelectronic pair “photodiode–DMOS transistor” has been developed, which makes it possible to establish the relationship between its electrical parameters and the structural and electrophysical parameters of the photodi...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Datum:	2008
Hauptverfasser:	Politanskyy, L. F., Lesinskyy, V. V.
Format:	Artikel
Sprache:	Ukrainisch
Veröffentlicht:	PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2008
Schlagworte:	фотодиод ДМОП-транзистор оптоэлектронная пара оптоэлектронный коммутатор пороговое напряжение фототок
Online Zugang:	https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2008.6.23
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:	Technology and design in electronic equipment

Institution

Technology and design in electronic equipment

Ähnliche Einträge

Интегральный оптоэлектронный коммутатор на ДМОП-транзисторах
von: Политанский, Л.Ф., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Збільшення чутливості та радіаційної стійкості сенсорів-перетворювачів температури на основі генераторів на одноперехідних транзисторах
von: Vikulin, Ivan, et al.
Veröffentlicht: (2023)

Создание Т-образного затвора в малошумящих полевых СВЧ-транзисторах
von: Bosiy, V. I., et al.
Veröffentlicht: (2006)

Прогнозирование напряжения отсечки ионно-имплантированных полевых транзисторов с барьером Шоттки на GaAs
von: Gorev, N. B., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Оптоэлектронный люминесцентный газоанализатор
von: Плавинский, Е.Б., et al.
Veröffentlicht: (2001)

МОЩНЫЕ ВЫСОКОВОЛЬТНЫЕ ГЕНЕРАТОРЫ С ПОЛУПРОВОДНИКОВЫМИ КОММУТАТОРАМИ
von: Бойко, Н.И.
Veröffentlicht: (2014)

Устройство управления лазерным модулем оптоэлектронной вычислительной среды с динамически изменяемой архитектурой
von: Lipinskii, A. Y.
Veröffentlicht: (2013)

Новое поколение преобразователей "ток – напряжение" для измерения фотосигналов
von: Butenko, V. K., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Датчики интегральной поглощенной дозы ионизирующего излучения на основе МОП-транзисторов
von: Perevertaylo, V. L.
Veröffentlicht: (2010)

Оптоэлектронный акустооптический цифро-аналоговый преобразователь
von: Рудякова, А.Н., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Прогнозирование разброса параметров полевых транзисторов с барьером Шоттки на GaAs
von: Gorev, N. B., et al.
Veröffentlicht: (2006)

УПРАВЛЕНИЕ ПОТОКАМИ АКТИВНОЙ И РЕАКТИВНОЙ МОЩНОСТЕЙ В ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ СЕТЯХ
von: Говоров, Ф.П., et al.
Veröffentlicht: (2016)

Эффект усиления фототока в фотодиодной структуре с прямо- и обратновключенными переходами
von: Yodgorova, D. M.
Veröffentlicht: (2010)

Фотодиод ультрафиолетового диапазона на основе селенида цинка
von: Perevertailo, V. L., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Кремниевый интегральный гальваномагниторекомбинационный элемент
von: Касимов, Ф.Д., et al.
Veröffentlicht: (2000)

Сильноточный импульсный коммутатор и его плазменно-вакуумные характеристики
von: Скибенко, Е.И., et al.
Veröffentlicht: (2000)

Логічні схеми на одноелектронних транзисторах
von: Petrenko, A., et al.
Veröffentlicht: (2018)

Фототранзистор составной на полевых транзисторах
von: Каримов, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Фотодиод на основе GaP с повышенной чувствительностью в коротковолновой области УФ-спектра
von: Dobrovol’skii, Yu. G.
Veröffentlicht: (2012)

КОМПЬЮТЕРНЫЙ АНАЛИЗ ЭЛЕКТРОМЕХАНИЧЕСКИХ НАПРЯЖЕНИЙ В ПОЛИЭТИЛЕНОВОЙ ИЗОЛЯЦИИ СИЛОВОГО КАБЕЛЯ ПРИ НАЛИЧИИ МИКРОВКЛЮЧЕНИЙ
von: Кучерявая, И.Н.
Veröffentlicht: (2012)

Кремниевый p–i–n-фотодиод с малым темновым током
von: Dobrovolskiy, Yu. G., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Интегральный индекс социального самочувствия: альтернативный подход
von: Дембицкий, С.
Veröffentlicht: (2017)

МЕТОДЫ ПОВЫШЕНИЯ ЭФФЕКТИВНОСТИ ИМПУЛЬСНОГО ПРЕОБРАЗОВАНИЯ ПЕРЕМЕННОГО НАПРЯЖЕНИЯ
von: Голубев, В.В.
Veröffentlicht: (2013)

РАСЧЕТ И ОПТИМИЗАЦИЯ ВЫХОДНОГО LС-ФИЛЬТРА ИМПУЛЬСНОГО ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЯ ПЕРЕМЕННОГО НАПРЯЖЕНИЯ
von: Голубев, В.В.
Veröffentlicht: (2012)

РЕГУЛИРОВАНИЕ ПАРАМЕТРОВ ИСТОЧНИКОВ ИМПУЛЬСНОГО И ПОСТОЯННОГО НАПРЯЖЕНИЙ ПРИ ОДНОВРЕМЕННОМ ПИТАНИИ ЭЛЕКТРОФИЛЬТРОВ
von: Диордийчук, В.В.
Veröffentlicht: (2014)

Алмазные фотоприемники ультрафиолетового диапазона
von: Altukhov, A. A., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Устройство формирования элементов оптоэлектронной акустооптической вычислительной среды
von: Lipinskiy, А. Yu., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Интегральный метод районирования рейтинговых показателей развития региона
von: Иванов, С.Е.
Veröffentlicht: (2010)

Языковый феномен как интегральный домен символического универсума
von: Шульга, А.
Veröffentlicht: (2016)

Оптимизация изготовления высоковольтного горизонтального р-канального МОП-транзистора
von: Leonov, N. I., et al.
Veröffentlicht: (2006)

ОСОБЛИВОСТІ ВПЛИВУ ВИЩИХ ГАРМОНІК НА ВИБІР ПАРАМЕТРІВ СТРУМОПРОВОДУ ЦЕХОВИХ МЕРЕЖ
von: Коцур, М.І., et al.
Veröffentlicht: (2018)

Создание Т-образного затвора в малошумящих полевых СВЧ-транзисторах
von: Босый, В.И., et al.
Veröffentlicht: (2006)

Сверхмалошумящие криогенно охлаждаемые усилители на псевдоморфных гетероструктурных полевых транзисторах
von: Королев, А.М., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Интегральный метод моделирования динамических систем с переменными параметрами
von: Протасов, С.Ю.
Veröffentlicht: (2010)

Спектры фоточувствительности поверхностно-барьерных структур Ni–n-GaAs
von: Melebayew, D., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Оптико-электронное устройство в системе контроля габаритов груза железнодорожного состава
von: Dubeshko, A. V., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Характеристики фотодиодов со структурой «собственный оксид – InSe», облученных высокоэнергетическими электронами
von: Sydor, O. N., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Кремниевый термостатированный p–i–n-фотодиод
von: Dobrovolsky, Yu. G.
Veröffentlicht: (2006)

Технология создания легированных бором слоев на алмазе
von: Zyablyuk, K. N., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Некоторые особенности ограничителя тока на полевом транзисторе
von: Karimov, A. V., et al.
Veröffentlicht: (2011)