Интегральный оптоэлектронный коммутатор на ДМОП-транзисторах
A mathematical model of the current–voltage characteristics (I–V curve) of the optoelectronic pair “photodiode–DMOS transistor” has been developed, which makes it possible to establish the relationship between its electrical parameters and the structural and electrophysical parameters of the photodi...
Gespeichert in:
| Datum: | 2008 |
|---|---|
| Hauptverfasser: | Politanskyy, L. F., Lesinskyy, V. V. |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Ukrainian |
| Veröffentlicht: |
PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
2008
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2008.6.23 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Technology and design in electronic equipment |
Institution
Technology and design in electronic equipmentÄhnliche Einträge
-
Интегральный оптоэлектронный коммутатор на ДМОП-транзисторах
von: Политанский, Л.Ф., et al.
Veröffentlicht: (2008) -
Збільшення чутливості та радіаційної стійкості сенсорів-перетворювачів температури на основі генераторів на одноперехідних транзисторах
von: Vikulin, Ivan, et al.
Veröffentlicht: (2023) -
Каскадный инжекционный фотоприемник на основе твердых растворов A2B6-соединений для спектрального диапазона = 500–650 нм
von: Mirsagatov, Sh. A., et al.
Veröffentlicht: (2018) -
МОЩНЫЕ ВЫСОКОВОЛЬТНЫЕ ГЕНЕРАТОРЫ С ПОЛУПРОВОДНИКОВЫМИ КОММУТАТОРАМИ
von: Бойко, Н.И.
Veröffentlicht: (2014) -
Оптоэлектронный люминесцентный газоанализатор
von: Плавинский, Е.Б., et al.
Veröffentlicht: (2001)