Интегральный оптоэлектронный коммутатор на ДМОП-транзисторах
A mathematical model of the current–voltage characteristics (I–V curve) of the optoelectronic pair “photodiode–DMOS transistor” has been developed, which makes it possible to establish the relationship between its electrical parameters and the structural and electrophysical parameters of the photodi...
Збережено в:
| Дата: | 2008 |
|---|---|
| Автори: | Politanskyy, L. F., Lesinskyy, V. V. |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Ukrainian |
| Опубліковано: |
PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
2008
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2008.6.23 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Technology and design in electronic equipment |
Репозитарії
Technology and design in electronic equipmentСхожі ресурси
-
Интегральный оптоэлектронный коммутатор на ДМОП-транзисторах
за авторством: Политанский, Л.Ф., та інші
Опубліковано: (2008) -
Збільшення чутливості та радіаційної стійкості сенсорів-перетворювачів температури на основі генераторів на одноперехідних транзисторах
за авторством: Vikulin, Ivan, та інші
Опубліковано: (2023) -
Каскадный инжекционный фотоприемник на основе твердых растворов A2B6-соединений для спектрального диапазона = 500–650 нм
за авторством: Mirsagatov, Sh. A., та інші
Опубліковано: (2018) -
МОЩНЫЕ ВЫСОКОВОЛЬТНЫЕ ГЕНЕРАТОРЫ С ПОЛУПРОВОДНИКОВЫМИ КОММУТАТОРАМИ
за авторством: Бойко, Н.И.
Опубліковано: (2014) -
Оптоэлектронный люминесцентный газоанализатор
за авторством: Плавинский, Е.Б., та інші
Опубліковано: (2001)