Гетероструктуры на основе GaAs с квантовыми точками InAs для фотоэлектрических преобразователей
The possibility of obtaining efficient third-generation photovoltaic converters (PVCs) has been considered. Heterostructures based on GaAs with InAs quantum dots (QDs), formed during liquid-phase epitaxy by the method of pulsed cooling of a saturated solution in indium or tin melt, have been investi...
Gespeichert in:
| Datum: | 2008 |
|---|---|
| Hauptverfasser: | , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Ukrainian |
| Veröffentlicht: |
PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
2008
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2008.6.32 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Technology and design in electronic equipment |
Institution
Technology and design in electronic equipment| id |
oai:tkea.com.ua:article-705 |
|---|---|
| record_format |
ojs |
| spelling |
oai:tkea.com.ua:article-7052025-12-09T20:58:42Z GaAs-based heterostructures with InAs quantum dots for photovoltaic converters Гетероструктуры на основе GaAs с квантовыми точками InAs для фотоэлектрических преобразователей Maronchuk, I. E. Dobrozhanskiy, Yu. A. photovoltaic cells quantum dots indium arsenide gallium arsenide liquid phase epitaxy фотоэлектрические преобразователи квантовые точки арсенид индия арсенид галлия жидкофазная эпитаксия The possibility of obtaining efficient third-generation photovoltaic converters (PVCs) has been considered. Heterostructures based on GaAs with InAs quantum dots (QDs), formed during liquid-phase epitaxy by the method of pulsed cooling of a saturated solution in indium or tin melt, have been investigated. The characteristics of PVCs fabricated on heterostructures containing QDs in the region of the p–n junction were inferior to those of control converters produced on similar structures without QDs. Converters containing QDs in the p-region, however, were not inferior to the control devices and even demonstrated slightly better performance. Рассмотрена возможность получения эффективных фотоэлектрических преобразователей (ФЭП) III поколения. Исследованы гетероструктуры на основе GaAs c квантовыми точками (КТ) InAs, полученными в процессе жидкофазной эпитаксии методом импульсного охлаждения насыщенного раствора в расплаве индия или олова. Характеристики ФЭП, изготовленных на основе гетероструктур, содержащих КТ в области р–n-перехода, уступали контрольным фотопреобразователям, изготовленным на таких же структурах, но без КТ. Фотопреобразователи, содержащие КТ в р-области, не уступали контрольным и даже были несколько лучше. PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2008-12-30 Article Article Peer-reviewed Article application/pdf https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2008.6.32 Technology and design in electronic equipment; No. 6 (2008): Tekhnologiya i konstruirovanie v elektronnoi apparature; 32-34 Технологія та конструювання в електронній апаратурі; № 6 (2008): Технология и конструирование в электронной аппаратуре; 32-34 3083-6549 3083-6530 uk https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2008.6.32/641 Copyright (c) 2008 Maronchuk I. E., Dobrozhanskiy Yu. A. http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/ |
| institution |
Technology and design in electronic equipment |
| baseUrl_str |
|
| datestamp_date |
2025-12-09T20:58:42Z |
| collection |
OJS |
| language |
Ukrainian |
| topic |
фотоэлектрические преобразователи квантовые точки арсенид индия арсенид галлия жидкофазная эпитаксия |
| spellingShingle |
фотоэлектрические преобразователи квантовые точки арсенид индия арсенид галлия жидкофазная эпитаксия Maronchuk, I. E. Dobrozhanskiy, Yu. A. Гетероструктуры на основе GaAs с квантовыми точками InAs для фотоэлектрических преобразователей |
| topic_facet |
photovoltaic cells quantum dots indium arsenide gallium arsenide liquid phase epitaxy фотоэлектрические преобразователи квантовые точки арсенид индия арсенид галлия жидкофазная эпитаксия |
| format |
Article |
| author |
Maronchuk, I. E. Dobrozhanskiy, Yu. A. |
| author_facet |
Maronchuk, I. E. Dobrozhanskiy, Yu. A. |
| author_sort |
Maronchuk, I. E. |
| title |
Гетероструктуры на основе GaAs с квантовыми точками InAs для фотоэлектрических преобразователей |
| title_short |
Гетероструктуры на основе GaAs с квантовыми точками InAs для фотоэлектрических преобразователей |
| title_full |
Гетероструктуры на основе GaAs с квантовыми точками InAs для фотоэлектрических преобразователей |
| title_fullStr |
Гетероструктуры на основе GaAs с квантовыми точками InAs для фотоэлектрических преобразователей |
| title_full_unstemmed |
Гетероструктуры на основе GaAs с квантовыми точками InAs для фотоэлектрических преобразователей |
| title_sort |
гетероструктуры на основе gaas с квантовыми точками inas для фотоэлектрических преобразователей |
| title_alt |
GaAs-based heterostructures with InAs quantum dots for photovoltaic converters |
| description |
The possibility of obtaining efficient third-generation photovoltaic converters (PVCs) has been considered. Heterostructures based on GaAs with InAs quantum dots (QDs), formed during liquid-phase epitaxy by the method of pulsed cooling of a saturated solution in indium or tin melt, have been investigated. The characteristics of PVCs fabricated on heterostructures containing QDs in the region of the p–n junction were inferior to those of control converters produced on similar structures without QDs. Converters containing QDs in the p-region, however, were not inferior to the control devices and even demonstrated slightly better performance. |
| publisher |
PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers |
| publishDate |
2008 |
| url |
https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2008.6.32 |
| work_keys_str_mv |
AT maronchukie gaasbasedheterostructureswithinasquantumdotsforphotovoltaicconverters AT dobrozhanskiyyua gaasbasedheterostructureswithinasquantumdotsforphotovoltaicconverters AT maronchukie geterostrukturynaosnovegaasskvantovymitočkamiinasdlâfotoélektričeskihpreobrazovatelej AT dobrozhanskiyyua geterostrukturynaosnovegaasskvantovymitočkamiinasdlâfotoélektričeskihpreobrazovatelej |
| first_indexed |
2025-12-17T12:06:24Z |
| last_indexed |
2025-12-17T12:06:24Z |
| _version_ |
1851757097579970560 |