Buchumschlag

Гетероструктуры на основе GaAs с квантовыми точками InAs для фотоэлектрических преобразователей

The possibility of obtaining efficient third-generation photovoltaic converters (PVCs) has been considered. Heterostructures based on GaAs with InAs quantum dots (QDs), formed during liquid-phase epitaxy by the method of pulsed cooling of a saturated solution in indium or tin melt, have been investi...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Datum:	2008
Hauptverfasser:	Maronchuk, I. E., Dobrozhanskiy, Yu. A.
Format:	Artikel
Sprache:	Ukrainisch
Veröffentlicht:	PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2008
Schlagworte:	фотоэлектрические преобразователи квантовые точки арсенид индия арсенид галлия жидкофазная эпитаксия
Online Zugang:	https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2008.6.32
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:	Technology and design in electronic equipment

Institution

Technology and design in electronic equipment

Ähnliche Einträge

Формирование резких границ раздела в эпитаксиальных структурах p+-AlGaAs/n-GaAs методом МОС-гидридной эпитаксии
von: Vakiv, N. M., et al.
Veröffentlicht: (2014)

Исследование спектров фотолюминесценции низкоразмерных структур InSb, сформированных в матрице GaSb
von: Andronova, E. V., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Тонкая структура спектров лазерного излучения при электронной накачке на основе радиационно модифицированных оптически однородных нелегированных кристаллов GaAs
von: Garkavenko, A. S.
Veröffentlicht: (2011)

Вольт-фарадные измерения в тонкопленочных эпитаксиальных структурах GaAs
von: Gorev, N. B., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Диагностика глубоких центров на границе пленка–подложка в тонкопленочных эпитаксиальных структурах GaAs
von: Gorev, N. B., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Особенности плазмохимического травления торцов кремниевых пластин для фотоэлектрических преобразователей
von: Fedorovich, O. A., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Получение двухсторонних высоковольтных эпитаксиальных кремниевых p–i–n-структур методом ЖФЭ
von: Vakiv, N. M., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Свойства двойных гетеропереходов p+-InP/n-InGaAsP/n-InP, изготовленных методом жидкофазной эпитаксии
von: Vakiv, N. M., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Вольт-фарадные характеристики ионно-имплантированных структур GaAs
von: Gorev, N. B., et al.
Veröffentlicht: (2008)

«Сатурн» остается на орбите
von: Chmil, V. M., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Предэпитаксиальная обработка подложек GaSb для жидкофазного выращивания гомоэпитаксиальных слоев
von: Andronova, О. V., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Механизм формирования межслоевых квантовых нитей в легированном цинком Bi2Te3
von: Alieva, A. P., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Получение активных слоев InP в составе гетероструктур для диодов Ганна
von: Vakiv, M. M., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Низкоразмерные кристаллы кремния для фотоэлектрических преобразователей
von: Druzhinin, A. A., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Тунелювання електронів в гетероструктурі германій/кремній з германієвими квантовими точками: теорія
von: Pokutnyi, S. I., et al.
Veröffentlicht: (2021)

Кремний мультипористой текстуры для фотоэлектрических преобразователей солнечной энергии
von: Yerokhov, V. Yu., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Датчик гидростатического давления на основе микрокристаллов антимонида галлия
von: Druzhinin, A. A., et al.
Veröffentlicht: (2015)

Фотодиод на основе GaP с повышенной чувствительностью в коротковолновой области УФ-спектра
von: Dobrovol’skii, Yu. G.
Veröffentlicht: (2012)

Проблемы при измерениях интегральной чувствительности фотоприемников и некоторые пути их решения
von: Doktorovich, I. V., et al.
Veröffentlicht: (2015)

Исследование и повышение стабильности работы операционных усилителей в схемах драйверов емкостных сенсоров
von: Hotra, Z. Yu., et al.
Veröffentlicht: (2008)

АНАЛИЗ МОЩНОСТИ РАССЕИВАНИЯ ТРАНЗИСТОРНЫМ КЛЮЧОМ В ПОСЛЕДОВАТЕЛЬНЫХ ИМПУЛЬСНОМ И КВАЗИРЕЗОНАНСНОМ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЯХ
von: Городний , А.Н.
Veröffentlicht: (2012)

Формирование МОП-транзисторов с изоляцией активных элементов окисленным пористым кремнием
von: Novosyadlyi, S. P., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Исследование температурной зависимости контактного сопротивления омических контактов к InP
von: Novitskyi, S. V.
Veröffentlicht: (2012)

Диоды Ганна из InP с катодным контактом, инжектирующим горячие электроны. Ч. 1. Межфазные взаимодействия в катодных контактах
von: Boltovets, N. S., et al.
Veröffentlicht: (2010)

ПРИМЕНЕНИЕ ТЕОРИИ ДИФФЕРЕНЦИАЛЬНЫХ УРАВНЕНИЙ С ИМПУЛЬСНЫМ ВОЗДЕЙСТВИЕМ К АНАЛИЗУ ПРОЦЕССОВ В ИМПУЛЬСНЫХ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЯХ НАПРЯЖЕНИЯ
von: Шидловская , Н.А., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Некоторые особенности фотоэлектрических характеристик двухбазовой Ag–N⁰Al₀.₂Ga₀.₈As–n⁺GaAs–n⁰Ga₀.₉In₀.₁As–Au-структуры
von: Yodgorova, D. M., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Метод жидкофазной эпитаксии толстых слоев
von: Dranchuk, S. N., et al.
Veröffentlicht: (2013)

МОДЕЛЮВАННЯ ДИФУЗІЙНИХ ПРОЦЕСІВ ТА ЙОГО РЕАЛІЗАЦІЯ МЕТОДОМ ВНУТРІШНЬОЇ ТОЧКИ
von: Щирба, Олеся Вікторівна
Veröffentlicht: (2010)

Екситонні стани в напівпровідникових наносистемах
von: Pokutnyi, S. I., et al.
Veröffentlicht: (2016)

Характеристики фотодиодов со структурой «собственный оксид – InSe», облученных высокоэнергетическими электронами
von: Sydor, O. N., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Корреляция параметров арсенид-галлиевых эпитаксиальных слоев и технологии их выращивания
von: Karimov, A. V., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Микроволновая обработка диэлектрических материалов в нерезонансных системах
von: Demyanchuk, B. A.
Veröffentlicht: (2010)

Омические контакты к материалам на основе нитрида индия
von: Sai, P. O.
Veröffentlicht: (2016)

Влияние отжига на ВАХ гетероперехода n-ZnO – p-InSe
von: Kovalyuk, Z. D., et al.
Veröffentlicht: (2015)

ДЕКОГЕРЕНЦІЇ ІІІ-N НИЗЬКОРОЗМІРНІ НАНОСТРУКТУР КВАНТОВИХ ПРОЦЕСОРІВ
von: Осинский, В. И., et al.
Veröffentlicht: (2021)

Массоперенос при жидкофазной эпитаксии двухслойных систем
von: Dranchuk, S. M., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Массивы нанопроводов из антимонида индия для перспективных термоэлектрических устройств
von: Gorokh, G. G., et al.
Veröffentlicht: (2015)

Електронні характеристики квантових точок СdS, що містять дефекти
von: Kupchak, Ihor, et al.
Veröffentlicht: (2020)

Старинные парки и сады в Северной и Восточной Индии
von: Kazarova, S. Y., et al.
Veröffentlicht: (2021)

Асимметрия электрических процессов в импульсных преобразователях постоянного напряжения модульной структуры
von: Kadatskyy, A. F., et al.
Veröffentlicht: (2008)