Зображення обкладинки

Гетероструктуры на основе GaAs с квантовыми точками InAs для фотоэлектрических преобразователей

The possibility of obtaining efficient third-generation photovoltaic converters (PVCs) has been considered. Heterostructures based on GaAs with InAs quantum dots (QDs), formed during liquid-phase epitaxy by the method of pulsed cooling of a saturated solution in indium or tin melt, have been investi...

Повний опис

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Дата:	2008
Автори:	Maronchuk, I. E., Dobrozhanskiy, Yu. A.
Формат:	Стаття
Мова:	Українська
Опубліковано:	PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2008
Теми:	фотоэлектрические преобразователи квантовые точки арсенид индия арсенид галлия жидкофазная эпитаксия
Онлайн доступ:	https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2008.6.32
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Technology and design in electronic equipment

Репозитарії

Technology and design in electronic equipment

Схожі ресурси

Формирование резких границ раздела в эпитаксиальных структурах p+-AlGaAs/n-GaAs методом МОС-гидридной эпитаксии
за авторством: Vakiv, N. M., та інші
Опубліковано: (2014)

Тонкая структура спектров лазерного излучения при электронной накачке на основе радиационно модифицированных оптически однородных нелегированных кристаллов GaAs
за авторством: Garkavenko, A. S.
Опубліковано: (2011)

Исследование спектров фотолюминесценции низкоразмерных структур InSb, сформированных в матрице GaSb
за авторством: Andronova, E. V., та інші
Опубліковано: (2011)

Прогнозирование напряжения отсечки ионно-имплантированных полевых транзисторов с барьером Шоттки на GaAs
за авторством: Gorev, N. B., та інші
Опубліковано: (2007)

Вольт-фарадные измерения в тонкопленочных эпитаксиальных структурах GaAs
за авторством: Gorev, N. B., та інші
Опубліковано: (2009)

Диагностика глубоких центров на границе пленка–подложка в тонкопленочных эпитаксиальных структурах GaAs
за авторством: Gorev, N. B., та інші
Опубліковано: (2010)

Особенности плазмохимического травления торцов кремниевых пластин для фотоэлектрических преобразователей
за авторством: Fedorovich, O. A., та інші
Опубліковано: (2009)

Свойства двойных гетеропереходов p+-InP/n-InGaAsP/n-InP, изготовленных методом жидкофазной эпитаксии
за авторством: Vakiv, N. M., та інші
Опубліковано: (2012)

Получение двухсторонних высоковольтных эпитаксиальных кремниевых p–i–n-структур методом ЖФЭ
за авторством: Vakiv, N. M., та інші
Опубліковано: (2013)

Предэпитаксиальная обработка подложек GaSb для жидкофазного выращивания гомоэпитаксиальных слоев
за авторством: Andronova, О. V., та інші
Опубліковано: (2008)

«Сатурн» остается на орбите
за авторством: Chmil, V. M., та інші
Опубліковано: (2013)

Вольт-фарадные характеристики ионно-имплантированных структур GaAs
за авторством: Gorev, N. B., та інші
Опубліковано: (2008)

Получение активных слоев InP в составе гетероструктур для диодов Ганна
за авторством: Vakiv, M. M., та інші
Опубліковано: (2010)

Молекулярная эпитаксия и электронные свойства гетеросистем Ge/Si с квантовыми точками
за авторством: Двуреченский, А.В., та інші
Опубліковано: (2004)

Низкоразмерные кристаллы кремния для фотоэлектрических преобразователей
за авторством: Druzhinin, A. A., та інші
Опубліковано: (2011)

Низкоразмерные кристаллы кремния для фотоэлектрических преобразователей
за авторством: Дружинин, А.А., та інші
Опубліковано: (2011)

Chemical polishing of InAs, InSb, GaAs and GaSb
за авторством: Levchenko, I.V., та інші
Опубліковано: (2017)

Технологический аспект повышения эффективности полупроводниковых фотоэлектрических преобразователей
за авторством: Курак, В.В., та інші
Опубліковано: (2002)

Глибокі рівні прилипання у гетероструктурах In₀,₄Ga₀,₆As/GaAs з квантовими точками
за авторством: Вакуленко, О.В., та інші
Опубліковано: (2011)

Спектры комбинационного рассеяния света пористых нанокомпозитных пленок оксида алюминия с Si квантовыми точками
за авторством: Стрельчук, В.В., та інші
Опубліковано: (2013)

Оптические параметры нанокомпозитных плёнок пористого оксида алюминия c квантовыми точками кремния или германия
за авторством: Ушенин, Ю.В., та інші
Опубліковано: (2013)

Особенности квантовых эффектов в 2D-структурах GaAs/n-InGaAs/GaAs с двойными квантовыми ямами
за авторством: Арапов, Ю.Г., та інші
Опубліковано: (2007)

Modulation of the direction of radiation emitted by an InAs/GaAs heterolaser with InAs quantum dots under the influence of acoustic wave
за авторством: R. M. Peleshchak, та інші
Опубліковано: (2012)

Modulation of the direction of radiation emitted by an InAs/GaAs heterolaser with InAs quantum dots under the influence of acoustic wave
за авторством: R. M. Peleshchak, та інші
Опубліковано: (2012)

Кремний мультипористой текстуры для фотоэлектрических преобразователей солнечной энергии
за авторством: Ерохов, В.Ю., та інші
Опубліковано: (2009)

Кремний мультипористой текстуры для фотоэлектрических преобразователей солнечной энергии
за авторством: Yerokhov, V. Yu., та інші
Опубліковано: (2009)

Miniband electrical conductivity in superlattices of spherical InAs/GaAs quantum dots
за авторством: V. I. Boichuk, та інші
Опубліковано: (2017)

Miniband electrical conductivity in superlattices of spherical InAs/GaAs quantum dots
за авторством: V. I. Boichuk, та інші
Опубліковано: (2017)

Исследование характеристик кремниевых фотоэлектрических преобразователей солнечных батарей при перегреве
за авторством: Иванченко, А.В., та інші
Опубліковано: (2018)

Особенности плазмохимического травления торцов кремниевых пластин для фотоэлектрических преобразователей
за авторством: Федорович, О.А., та інші
Опубліковано: (2009)

InAs quantum dots embedded into anti-modulation-doped GaAs superlattice structures
за авторством: Masselink, W.T., та інші
Опубліковано: (2000)

Изменения характеристик кремниевых фотоэлектрических преобразователей солнечных батарей после токовых перегрузок
за авторством: Иванченко, А.В., та інші
Опубліковано: (2019)

Фотодиод на основе GaP с повышенной чувствительностью в коротковолновой области УФ-спектра
за авторством: Dobrovol’skii, Yu. G.
Опубліковано: (2012)

Оптическая спектроскопия экситона с пространственно разделенными электроном и дыркой в гетероструктуре Ge/Si с квантовыми точками германия
за авторством: Покутний, С.И.
Опубліковано: (2018)

Гетеропереход на основе кристалла FeIn₂Se₄, полученного методом Бриджмена
за авторством: Kovalyuk, Z. D., та інші
Опубліковано: (2007)

Датчик гидростатического давления на основе микрокристаллов антимонида галлия
за авторством: Druzhinin, A. A., та інші
Опубліковано: (2015)

Производство фотоэлектрических преобразователей и рынок кремниевого сырья в 2006—2010 гг.
за авторством: Наумов, А.В.
Опубліковано: (2006)

Наноструктурированные GaAs- и CdSe-электроды для фотоэлектрохимических преобразователей
за авторством: Слободянюк, И.А., та інші
Опубліковано: (2007)

Некоторые особенности фотоэлектрических характеристик двухбазовой Ag–N⁰Al₀,₂Ga₀,₈As–n+GaAs–n⁰Ga₀,₉In₀,₁As–Au-структуры
за авторством: Ёдгорова, Д.М., та інші
Опубліковано: (2008)

Некоторые особенности фотоэлектрических характеристик двухбазовой Ag–N⁰Al₀.₂Ga₀.₈As–n⁺GaAs–n⁰Ga₀.₉In₀.₁As–Au-структуры
за авторством: Yodgorova, D. M., та інші
Опубліковано: (2008)