Зображення обкладинки

Гетероструктуры на основе GaAs с квантовыми точками InAs для фотоэлектрических преобразователей

The possibility of obtaining efficient third-generation photovoltaic converters (PVCs) has been considered. Heterostructures based on GaAs with InAs quantum dots (QDs), formed during liquid-phase epitaxy by the method of pulsed cooling of a saturated solution in indium or tin melt, have been investi...

Повний опис

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Дата:	2008
Автори:	Maronchuk, I. E., Dobrozhanskiy, Yu. A.
Формат:	Стаття
Мова:	Українська
Опубліковано:	PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2008
Теми:	фотоэлектрические преобразователи квантовые точки арсенид индия арсенид галлия жидкофазная эпитаксия
Онлайн доступ:	https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2008.6.32
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Technology and design in electronic equipment

Репозитарії

Technology and design in electronic equipment

Схожі ресурси

Формирование резких границ раздела в эпитаксиальных структурах p+-AlGaAs/n-GaAs методом МОС-гидридной эпитаксии
за авторством: Vakiv, N. M., та інші
Опубліковано: (2014)

Исследование спектров фотолюминесценции низкоразмерных структур InSb, сформированных в матрице GaSb
за авторством: Andronova, E. V., та інші
Опубліковано: (2011)

Тонкая структура спектров лазерного излучения при электронной накачке на основе радиационно модифицированных оптически однородных нелегированных кристаллов GaAs
за авторством: Garkavenko, A. S.
Опубліковано: (2011)

Вольт-фарадные измерения в тонкопленочных эпитаксиальных структурах GaAs
за авторством: Gorev, N. B., та інші
Опубліковано: (2009)

Диагностика глубоких центров на границе пленка–подложка в тонкопленочных эпитаксиальных структурах GaAs
за авторством: Gorev, N. B., та інші
Опубліковано: (2010)

Особенности плазмохимического травления торцов кремниевых пластин для фотоэлектрических преобразователей
за авторством: Fedorovich, O. A., та інші
Опубліковано: (2009)

Получение двухсторонних высоковольтных эпитаксиальных кремниевых p–i–n-структур методом ЖФЭ
за авторством: Vakiv, N. M., та інші
Опубліковано: (2013)

Свойства двойных гетеропереходов p+-InP/n-InGaAsP/n-InP, изготовленных методом жидкофазной эпитаксии
за авторством: Vakiv, N. M., та інші
Опубліковано: (2012)

Вольт-фарадные характеристики ионно-имплантированных структур GaAs
за авторством: Gorev, N. B., та інші
Опубліковано: (2008)

«Сатурн» остается на орбите
за авторством: Chmil, V. M., та інші
Опубліковано: (2013)

Предэпитаксиальная обработка подложек GaSb для жидкофазного выращивания гомоэпитаксиальных слоев
за авторством: Andronova, О. V., та інші
Опубліковано: (2008)

Механизм формирования межслоевых квантовых нитей в легированном цинком Bi2Te3
за авторством: Alieva, A. P., та інші
Опубліковано: (2012)

Получение активных слоев InP в составе гетероструктур для диодов Ганна
за авторством: Vakiv, M. M., та інші
Опубліковано: (2010)

Низкоразмерные кристаллы кремния для фотоэлектрических преобразователей
за авторством: Druzhinin, A. A., та інші
Опубліковано: (2011)

Тунелювання електронів в гетероструктурі германій/кремній з германієвими квантовими точками: теорія
за авторством: Pokutnyi, S. I., та інші
Опубліковано: (2021)

Кремний мультипористой текстуры для фотоэлектрических преобразователей солнечной энергии
за авторством: Yerokhov, V. Yu., та інші
Опубліковано: (2009)

Датчик гидростатического давления на основе микрокристаллов антимонида галлия
за авторством: Druzhinin, A. A., та інші
Опубліковано: (2015)

Фотодиод на основе GaP с повышенной чувствительностью в коротковолновой области УФ-спектра
за авторством: Dobrovol’skii, Yu. G.
Опубліковано: (2012)

Проблемы при измерениях интегральной чувствительности фотоприемников и некоторые пути их решения
за авторством: Doktorovich, I. V., та інші
Опубліковано: (2015)

Исследование и повышение стабильности работы операционных усилителей в схемах драйверов емкостных сенсоров
за авторством: Hotra, Z. Yu., та інші
Опубліковано: (2008)

АНАЛИЗ МОЩНОСТИ РАССЕИВАНИЯ ТРАНЗИСТОРНЫМ КЛЮЧОМ В ПОСЛЕДОВАТЕЛЬНЫХ ИМПУЛЬСНОМ И КВАЗИРЕЗОНАНСНОМ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЯХ
за авторством: Городний , А.Н.
Опубліковано: (2012)

Формирование МОП-транзисторов с изоляцией активных элементов окисленным пористым кремнием
за авторством: Novosyadlyi, S. P., та інші
Опубліковано: (2009)

Исследование температурной зависимости контактного сопротивления омических контактов к InP
за авторством: Novitskyi, S. V.
Опубліковано: (2012)

Диоды Ганна из InP с катодным контактом, инжектирующим горячие электроны. Ч. 1. Межфазные взаимодействия в катодных контактах
за авторством: Boltovets, N. S., та інші
Опубліковано: (2010)

ПРИМЕНЕНИЕ ТЕОРИИ ДИФФЕРЕНЦИАЛЬНЫХ УРАВНЕНИЙ С ИМПУЛЬСНЫМ ВОЗДЕЙСТВИЕМ К АНАЛИЗУ ПРОЦЕССОВ В ИМПУЛЬСНЫХ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЯХ НАПРЯЖЕНИЯ
за авторством: Шидловская , Н.А., та інші
Опубліковано: (2013)

Некоторые особенности фотоэлектрических характеристик двухбазовой Ag–N⁰Al₀.₂Ga₀.₈As–n⁺GaAs–n⁰Ga₀.₉In₀.₁As–Au-структуры
за авторством: Yodgorova, D. M., та інші
Опубліковано: (2008)

Метод жидкофазной эпитаксии толстых слоев
за авторством: Dranchuk, S. N., та інші
Опубліковано: (2013)

МОДЕЛЮВАННЯ ДИФУЗІЙНИХ ПРОЦЕСІВ ТА ЙОГО РЕАЛІЗАЦІЯ МЕТОДОМ ВНУТРІШНЬОЇ ТОЧКИ
за авторством: Щирба, Олеся Вікторівна
Опубліковано: (2010)

Екситонні стани в напівпровідникових наносистемах
за авторством: Pokutnyi, S. I., та інші
Опубліковано: (2016)

Характеристики фотодиодов со структурой «собственный оксид – InSe», облученных высокоэнергетическими электронами
за авторством: Sydor, O. N., та інші
Опубліковано: (2012)

Корреляция параметров арсенид-галлиевых эпитаксиальных слоев и технологии их выращивания
за авторством: Karimov, A. V., та інші
Опубліковано: (2009)

Микроволновая обработка диэлектрических материалов в нерезонансных системах
за авторством: Demyanchuk, B. A.
Опубліковано: (2010)

Омические контакты к материалам на основе нитрида индия
за авторством: Sai, P. O.
Опубліковано: (2016)

Влияние отжига на ВАХ гетероперехода n-ZnO – p-InSe
за авторством: Kovalyuk, Z. D., та інші
Опубліковано: (2015)

ДЕКОГЕРЕНЦІЇ ІІІ-N НИЗЬКОРОЗМІРНІ НАНОСТРУКТУР КВАНТОВИХ ПРОЦЕСОРІВ
за авторством: Осинский, В. И., та інші
Опубліковано: (2021)

Массоперенос при жидкофазной эпитаксии двухслойных систем
за авторством: Dranchuk, S. M., та інші
Опубліковано: (2012)

Массивы нанопроводов из антимонида индия для перспективных термоэлектрических устройств
за авторством: Gorokh, G. G., та інші
Опубліковано: (2015)

Електронні характеристики квантових точок СdS, що містять дефекти
за авторством: Kupchak, Ihor, та інші
Опубліковано: (2020)

Старинные парки и сады в Северной и Восточной Индии
за авторством: Kazarova, S. Y., та інші
Опубліковано: (2021)

Асимметрия электрических процессов в импульсных преобразователях постоянного напряжения модульной структуры
за авторством: Kadatskyy, A. F., та інші
Опубліковано: (2008)