Гетероструктуры на основе GaAs с квантовыми точками InAs для фотоэлектрических преобразователей
The possibility of obtaining efficient third-generation photovoltaic converters (PVCs) has been considered. Heterostructures based on GaAs with InAs quantum dots (QDs), formed during liquid-phase epitaxy by the method of pulsed cooling of a saturated solution in indium or tin melt, have been investi...
Збережено в:
| Дата: | 2008 |
|---|---|
| Автори: | , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Українська |
| Опубліковано: |
PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
2008
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2008.6.32 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Technology and design in electronic equipment |
Репозитарії
Technology and design in electronic equipmentСхожі ресурси
Гетероструктуры на основе GaAs с квантовыми точками InAs для фотоэлектрических преобразователей
за авторством: Марончук, И.Е., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Марончук, И.Е., та інші
Опубліковано: (2008)
Диоды Ганна из GaAs с катодным контактом, инжектирующим горячие электроны
за авторством: Ivanov, V. N., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Ivanov, V. N., та інші
Опубліковано: (2007)
Формирование резких границ раздела в эпитаксиальных структурах p+-AlGaAs/n-GaAs методом МОС-гидридной эпитаксии
за авторством: Vakiv, N. M., та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Vakiv, N. M., та інші
Опубліковано: (2014)
Влияние плазмохимического травления на структуру поверхности кремниевых пластин фотоэлектрических преобразователей
за авторством: Polozov, B. P., та інші
Опубліковано: (2006)
за авторством: Polozov, B. P., та інші
Опубліковано: (2006)
Технологические приемы улучшения теплового режима выращивания кристаллов GaAs методом Чохральского
за авторством: Kovtun, G. P., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Kovtun, G. P., та інші
Опубліковано: (2004)
Исследование спектров фотолюминесценции низкоразмерных структур InSb, сформированных в матрице GaSb
за авторством: Andronova, E. V., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Andronova, E. V., та інші
Опубліковано: (2011)
Тонкая структура спектров лазерного излучения при электронной накачке на основе радиационно модифицированных оптически однородных нелегированных кристаллов GaAs
за авторством: Garkavenko, A. S.
Опубліковано: (2011)
за авторством: Garkavenko, A. S.
Опубліковано: (2011)
Прогнозирование напряжения отсечки ионно-имплантированных полевых транзисторов с барьером Шоттки на GaAs
за авторством: Gorev, N. B., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Gorev, N. B., та інші
Опубліковано: (2007)
Вольт-фарадные измерения в тонкопленочных эпитаксиальных структурах GaAs
за авторством: Gorev, N. B., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Gorev, N. B., та інші
Опубліковано: (2009)
Ростовое оборудование для производства полуизолирующего GaAs методом Чохральского
за авторством: Kovtun, G. P., та інші
Опубліковано: (2006)
за авторством: Kovtun, G. P., та інші
Опубліковано: (2006)
Диагностика глубоких центров на границе пленка–подложка в тонкопленочных эпитаксиальных структурах GaAs
за авторством: Gorev, N. B., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Gorev, N. B., та інші
Опубліковано: (2010)
Прогнозирование разброса параметров полевых транзисторов с барьером Шоттки на GaAs
за авторством: Gorev, N. B., та інші
Опубліковано: (2006)
за авторством: Gorev, N. B., та інші
Опубліковано: (2006)
Особенности плазмохимического травления торцов кремниевых пластин для фотоэлектрических преобразователей
за авторством: Fedorovich, O. A., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Fedorovich, O. A., та інші
Опубліковано: (2009)
Свойства двойных гетеропереходов p+-InP/n-InGaAsP/n-InP, изготовленных методом жидкофазной эпитаксии
за авторством: Vakiv, N. M., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Vakiv, N. M., та інші
Опубліковано: (2012)
Получение двухсторонних высоковольтных эпитаксиальных кремниевых p–i–n-структур методом ЖФЭ
за авторством: Vakiv, N. M., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Vakiv, N. M., та інші
Опубліковано: (2013)
Получение поверхностно-барьерных структур на основе четырехкомпонентных твердых растворов А4В6
за авторством: Tkachuk, A. I., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Tkachuk, A. I., та інші
Опубліковано: (2007)
Светоизлучающие диоды белого света: состояние и основные тенденции развития
за авторством: Struhljak, N. Ja., та інші
Опубліковано: (2006)
за авторством: Struhljak, N. Ja., та інші
Опубліковано: (2006)
Предэпитаксиальная обработка подложек GaSb для жидкофазного выращивания гомоэпитаксиальных слоев
за авторством: Andronova, О. V., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Andronova, О. V., та інші
Опубліковано: (2008)
Частотна модуляція рекомбінаційного випромінювання гетероструктури InAs/GaAs з квантовими точками InAs під впливом акустичної хвилі
за авторством: Peleshchak, R.M., та інші
Опубліковано: (2022)
за авторством: Peleshchak, R.M., та інші
Опубліковано: (2022)
Слаботочные диоды Ганна на основе арсенида галлия для КВЧ-аппаратов
за авторством: Yatsunenko, A. G., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Yatsunenko, A. G., та інші
Опубліковано: (2005)
«Сатурн» остается на орбите
за авторством: Chmil, V. M., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Chmil, V. M., та інші
Опубліковано: (2013)
Исследование фотоэлектрических свойств симметричной гетероструктуры "окисел-InSe-окисел"
за авторством: Ковалюк, З.Д., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Ковалюк, З.Д., та інші
Опубліковано: (2005)
Вольт-фарадные характеристики ионно-имплантированных структур GaAs
за авторством: Gorev, N. B., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Gorev, N. B., та інші
Опубліковано: (2008)
Исследование фотоэлектрических свойств симметричной гетероструктуры "окисел–InSe–окисел"
за авторством: Kovalyuk, Z. D., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Kovalyuk, Z. D., та інші
Опубліковано: (2005)
Получение активных слоев InP в составе гетероструктур для диодов Ганна
за авторством: Vakiv, M. M., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Vakiv, M. M., та інші
Опубліковано: (2010)
Формирование гетероструктур GaTe/CdSe для использования в солнечных элементах
за авторством: Balitskii, О. A.
Опубліковано: (2005)
за авторством: Balitskii, О. A.
Опубліковано: (2005)
Оптическое поглощение коллоидными квантовыми точками селенида кадмия в диэлектрической матрице
за авторством: Покутний, С.И.
Опубліковано: (2017)
за авторством: Покутний, С.И.
Опубліковано: (2017)
Низкоразмерные кристаллы кремния для фотоэлектрических преобразователей
за авторством: Druzhinin, A. A., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Druzhinin, A. A., та інші
Опубліковано: (2011)
Низкоразмерные кристаллы кремния для фотоэлектрических преобразователей
за авторством: Дружинин, А.А., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Дружинин, А.А., та інші
Опубліковано: (2011)
Chemical polishing of InAs, InSb, GaAs and GaSb
за авторством: Levchenko, I.V., та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: Levchenko, I.V., та інші
Опубліковано: (2017)
Молекулярная эпитаксия и электронные свойства гетеросистем Ge/Si с квантовыми точками
за авторством: Двуреченский, А.В., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Двуреченский, А.В., та інші
Опубліковано: (2004)
Технологический аспект повышения эффективности полупроводниковых фотоэлектрических преобразователей
за авторством: Курак, В.В., та інші
Опубліковано: (2002)
за авторством: Курак, В.В., та інші
Опубліковано: (2002)
Особенности квантовых эффектов в 2D-структурах GaAs/n-InGaAs/GaAs с двойными квантовыми ямами
за авторством: Арапов, Ю.Г., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Арапов, Ю.Г., та інші
Опубліковано: (2007)
Modulation of the direction of radiation emitted by an InAs/GaAs heterolaser with InAs quantum dots under the influence of acoustic wave
за авторством: R. M. Peleshchak, та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: R. M. Peleshchak, та інші
Опубліковано: (2012)
Modulation of the direction of radiation emitted by an InAs/GaAs heterolaser with InAs quantum dots under the influence of acoustic wave
за авторством: R. M. Peleshchak, та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: R. M. Peleshchak, та інші
Опубліковано: (2012)
Кремний мультипористой текстуры для фотоэлектрических преобразователей солнечной энергии
за авторством: Yerokhov, V. Yu., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Yerokhov, V. Yu., та інші
Опубліковано: (2009)
Кремний мультипористой текстуры для фотоэлектрических преобразователей солнечной энергии
за авторством: Ерохов, В.Ю., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Ерохов, В.Ю., та інші
Опубліковано: (2009)
Конструкции и принципы работы фотоэлектрических преобразователей солнечной энергии
за авторством: Чернышов, Н.Н., та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Чернышов, Н.Н., та інші
Опубліковано: (2018)
Условия получения полых кремниевых призм для фотоэлектрических преобразователей
за авторством: Масенко, Б.П.
Опубліковано: (2002)
за авторством: Масенко, Б.П.
Опубліковано: (2002)
Miniband electrical conductivity in superlattices of spherical InAs/GaAs quantum dots
за авторством: V. I. Boichuk, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: V. I. Boichuk, та інші
Опубліковано: (2017)