Исследование термометрических характеристик GaP-диодов p+–n-типа

Исследование термометрических характеристик GaP-диодов p+–n-типа

The method of reception of p+–n-diode epitaxial structures of GaP from liquid phase is developed. In the temperature range of 80—520 K thermometric and current-voltage characteristics of test models of diode temperature sensors are measured and their basic technical parameters are determine...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Дата:2008
Автори: Krasnov, V. A., Shwarts, Yu. M., Shwarts, М. M., Kopko, D. P., Erohin, S. Yu., Fonkich, A. М., Shutov, S. V., Sypko, N. I.
Формат: Стаття
Мова:Ukrainian
Опубліковано: PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2008
Теми:
GaP
сенсор
температура
диод
Онлайн доступ:https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2008.6.38
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Technology and design in electronic equipment

Репозитарії

Technology and design in electronic equipment
id oai:tkea.com.ua:article-708
record_format ojs
spelling oai:tkea.com.ua:article-7082025-12-09T20:58:42Z Investigation of thermometric characteristics of p+–n-GaP diodes Исследование термометрических характеристик GaP-диодов p+–n-типа Krasnov, V. A. Shwarts, Yu. M. Shwarts, М. M. Kopko, D. P. Erohin, S. Yu. Fonkich, A. М. Shutov, S. V. Sypko, N. I. sensor temperature diode GaP GaP сенсор температура диод The method of reception of p+–n-diode epitaxial structures of GaP from liquid phase is developed. In the temperature range of 80—520 K thermometric and current-voltage characteristics of test models of diode temperature sensors are measured and their basic technical parameters are determined. Perspectivity of developed GaP-diodes application as sensitive elements of high-temperature sensor is shown. Раз­ра­бо­та­на ме­то­ди­ка по­лу­че­ния p+–n-ди­од­ных эпи­так­си­аль­ных струк­тур GaP из жид­кой фа­зы. В диа­па­зо­не тем­пе­ра­ту­ры 80—520 К из­ме­ре­ны тер­мо­мет­ри­чес­кие и вольт-ам­пер­ные ха­рак­те­рис­ти­ки опыт­ных об­раз­цов ди­од­ных сен­со­ров тем­пе­ра­ту­ры и оп­ре­де­ле­ны их ос­нов­ные тех­ни­чес­кие па­ра­мет­ры. По­ка­за­на пер­спек­тив­ность при­ме­не­ния раз­ра­бо­тан­ных GaP-дио­дов в ка­чес­тве чув­стви­тель­ных эле­мен­тов вы­со­ко­тем­пе­ра­тур­ных сен­со­ров. PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2008-12-30 Article Article Peer-reviewed Article application/pdf https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2008.6.38 Technology and design in electronic equipment; No. 6 (2008): Tekhnologiya i konstruirovanie v elektronnoi apparature; 38-40 Технологія та конструювання в електронній апаратурі; № 6 (2008): Технология и конструирование в электронной аппаратуре; 38-40 3083-6549 3083-6530 uk https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2008.6.38/643 Copyright (c) 2008 Krasnov V. A., Shwarts Yu. M., Shwarts М. M., Kopko D. P., Erohin S. Yu., Fonkich A. М., Shutov S. V., Sypko N. I. http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/
institution Technology and design in electronic equipment
baseUrl_str
datestamp_date 2025-12-09T20:58:42Z
collection OJS
language Ukrainian
topic GaP
сенсор
температура
диод
spellingShingle GaP
сенсор
температура
диод
Krasnov, V. A.
Shwarts, Yu. M.
Shwarts, М. M.
Kopko, D. P.
Erohin, S. Yu.
Fonkich, A. М.
Shutov, S. V.
Sypko, N. I.
Исследование термометрических характеристик GaP-диодов p+–n-типа
topic_facet sensor
temperature
diode
GaP
GaP
сенсор
температура
диод
format Article
author Krasnov, V. A.
Shwarts, Yu. M.
Shwarts, М. M.
Kopko, D. P.
Erohin, S. Yu.
Fonkich, A. М.
Shutov, S. V.
Sypko, N. I.
author_facet Krasnov, V. A.
Shwarts, Yu. M.
Shwarts, М. M.
Kopko, D. P.
Erohin, S. Yu.
Fonkich, A. М.
Shutov, S. V.
Sypko, N. I.
author_sort Krasnov, V. A.
title Исследование термометрических характеристик GaP-диодов p+–n-типа
title_short Исследование термометрических характеристик GaP-диодов p+–n-типа
title_full Исследование термометрических характеристик GaP-диодов p+–n-типа
title_fullStr Исследование термометрических характеристик GaP-диодов p+–n-типа
title_full_unstemmed Исследование термометрических характеристик GaP-диодов p+–n-типа
title_sort исследование термометрических характеристик gap-диодов p+–n-типа
title_alt Investigation of thermometric characteristics of p+–n-GaP diodes
description The method of reception of p+–n-diode epitaxial structures of GaP from liquid phase is developed. In the temperature range of 80—520 K thermometric and current-voltage characteristics of test models of diode temperature sensors are measured and their basic technical parameters are determined. Perspectivity of developed GaP-diodes application as sensitive elements of high-temperature sensor is shown.
publisher PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
publishDate 2008
url https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2008.6.38
work_keys_str_mv AT krasnovva investigationofthermometriccharacteristicsofpngapdiodes
AT shwartsyum investigationofthermometriccharacteristicsofpngapdiodes
AT shwartsmm investigationofthermometriccharacteristicsofpngapdiodes
AT kopkodp investigationofthermometriccharacteristicsofpngapdiodes
AT erohinsyu investigationofthermometriccharacteristicsofpngapdiodes
AT fonkicham investigationofthermometriccharacteristicsofpngapdiodes
AT shutovsv investigationofthermometriccharacteristicsofpngapdiodes
AT sypkoni investigationofthermometriccharacteristicsofpngapdiodes
AT krasnovva issledovanietermometričeskihharakteristikgapdiodovpntipa
AT shwartsyum issledovanietermometričeskihharakteristikgapdiodovpntipa
AT shwartsmm issledovanietermometričeskihharakteristikgapdiodovpntipa
AT kopkodp issledovanietermometričeskihharakteristikgapdiodovpntipa
AT erohinsyu issledovanietermometričeskihharakteristikgapdiodovpntipa
AT fonkicham issledovanietermometričeskihharakteristikgapdiodovpntipa
AT shutovsv issledovanietermometričeskihharakteristikgapdiodovpntipa
AT sypkoni issledovanietermometričeskihharakteristikgapdiodovpntipa
first_indexed 2025-12-17T12:06:24Z
last_indexed 2025-12-17T12:06:24Z
_version_ 1851757097671196672

Схожі ресурси