Исследование термометрических характеристик GaP-диодов p+–n-типа
The method of reception of p+–n-diode epitaxial structures of GaP from liquid phase is developed. In the temperature range of 80—520 K thermometric and current-voltage characteristics of test models of diode temperature sensors are measured and their basic technical parameters are determine...
Збережено в:
| Дата: | 2008 |
|---|---|
| Автори: | , , , , , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Українська |
| Опубліковано: |
PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
2008
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2008.6.38 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Technology and design in electronic equipment |
Репозитарії
Technology and design in electronic equipment| _version_ | 1856543925355937792 |
|---|---|
| author | Krasnov, V. A. Shwarts, Yu. M. Shwarts, М. M. Kopko, D. P. Erohin, S. Yu. Fonkich, A. М. Shutov, S. V. Sypko, N. I. |
| author_facet | Krasnov, V. A. Shwarts, Yu. M. Shwarts, М. M. Kopko, D. P. Erohin, S. Yu. Fonkich, A. М. Shutov, S. V. Sypko, N. I. |
| author_sort | Krasnov, V. A. |
| baseUrl_str | |
| collection | OJS |
| datestamp_date | 2025-12-09T20:58:42Z |
| description | The method of reception of p+–n-diode epitaxial structures of GaP from liquid phase is developed. In the temperature range of 80—520 K thermometric and current-voltage characteristics of test models of diode temperature sensors are measured and their basic technical parameters are determined. Perspectivity of developed GaP-diodes application as sensitive elements of high-temperature sensor is shown. |
| first_indexed | 2025-12-17T12:06:24Z |
| format | Article |
| id | oai:tkea.com.ua:article-708 |
| institution | Technology and design in electronic equipment |
| language | Ukrainian |
| last_indexed | 2025-12-17T12:06:24Z |
| publishDate | 2008 |
| publisher | PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers |
| record_format | ojs |
| spelling | oai:tkea.com.ua:article-7082025-12-09T20:58:42Z Investigation of thermometric characteristics of p+–n-GaP diodes Исследование термометрических характеристик GaP-диодов p+–n-типа Krasnov, V. A. Shwarts, Yu. M. Shwarts, М. M. Kopko, D. P. Erohin, S. Yu. Fonkich, A. М. Shutov, S. V. Sypko, N. I. sensor temperature diode GaP GaP сенсор температура диод The method of reception of p+–n-diode epitaxial structures of GaP from liquid phase is developed. In the temperature range of 80—520 K thermometric and current-voltage characteristics of test models of diode temperature sensors are measured and their basic technical parameters are determined. Perspectivity of developed GaP-diodes application as sensitive elements of high-temperature sensor is shown. Разработана методика получения p+–n-диодных эпитаксиальных структур GaP из жидкой фазы. В диапазоне температуры 80—520 К измерены термометрические и вольт-амперные характеристики опытных образцов диодных сенсоров температуры и определены их основные технические параметры. Показана перспективность применения разработанных GaP-диодов в качестве чувствительных элементов высокотемпературных сенсоров. PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2008-12-30 Article Article Peer-reviewed Article application/pdf https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2008.6.38 Technology and design in electronic equipment; No. 6 (2008): Tekhnologiya i konstruirovanie v elektronnoi apparature; 38-40 Технологія та конструювання в електронній апаратурі; № 6 (2008): Технология и конструирование в электронной аппаратуре; 38-40 3083-6549 3083-6530 uk https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2008.6.38/643 Copyright (c) 2008 Krasnov V. A., Shwarts Yu. M., Shwarts М. M., Kopko D. P., Erohin S. Yu., Fonkich A. М., Shutov S. V., Sypko N. I. http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/ |
| spellingShingle | GaP сенсор температура диод Krasnov, V. A. Shwarts, Yu. M. Shwarts, М. M. Kopko, D. P. Erohin, S. Yu. Fonkich, A. М. Shutov, S. V. Sypko, N. I. Исследование термометрических характеристик GaP-диодов p+–n-типа |
| title | Исследование термометрических характеристик GaP-диодов p+–n-типа |
| title_alt | Investigation of thermometric characteristics of p+–n-GaP diodes |
| title_full | Исследование термометрических характеристик GaP-диодов p+–n-типа |
| title_fullStr | Исследование термометрических характеристик GaP-диодов p+–n-типа |
| title_full_unstemmed | Исследование термометрических характеристик GaP-диодов p+–n-типа |
| title_short | Исследование термометрических характеристик GaP-диодов p+–n-типа |
| title_sort | исследование термометрических характеристик gap-диодов p+–n-типа |
| topic | GaP сенсор температура диод |
| topic_facet | sensor temperature diode GaP GaP сенсор температура диод |
| url | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2008.6.38 |
| work_keys_str_mv | AT krasnovva investigationofthermometriccharacteristicsofpngapdiodes AT shwartsyum investigationofthermometriccharacteristicsofpngapdiodes AT shwartsmm investigationofthermometriccharacteristicsofpngapdiodes AT kopkodp investigationofthermometriccharacteristicsofpngapdiodes AT erohinsyu investigationofthermometriccharacteristicsofpngapdiodes AT fonkicham investigationofthermometriccharacteristicsofpngapdiodes AT shutovsv investigationofthermometriccharacteristicsofpngapdiodes AT sypkoni investigationofthermometriccharacteristicsofpngapdiodes AT krasnovva issledovanietermometričeskihharakteristikgapdiodovpntipa AT shwartsyum issledovanietermometričeskihharakteristikgapdiodovpntipa AT shwartsmm issledovanietermometričeskihharakteristikgapdiodovpntipa AT kopkodp issledovanietermometričeskihharakteristikgapdiodovpntipa AT erohinsyu issledovanietermometričeskihharakteristikgapdiodovpntipa AT fonkicham issledovanietermometričeskihharakteristikgapdiodovpntipa AT shutovsv issledovanietermometričeskihharakteristikgapdiodovpntipa AT sypkoni issledovanietermometričeskihharakteristikgapdiodovpntipa |