Buchumschlag

Исследование термометрических характеристик GaP-диодов p+–n-типа

The method of reception of p+–n-diode epitaxial structures of GaP from liquid phase is developed. In the temperature range of 80—520 K thermometric and current-voltage characteristics of test models of diode temperature sensors are measured and their basic technical parameters are determine...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Datum:	2008
Hauptverfasser:	Krasnov, V. A., Shwarts, Yu. M., Shwarts, М. M., Kopko, D. P., Erohin, S. Yu., Fonkich, A. М., Shutov, S. V., Sypko, N. I.
Format:	Artikel
Sprache:	Ukrainisch
Veröffentlicht:	PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2008
Schlagworte:	GaP сенсор температура диод
Online Zugang:	https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2008.6.38
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:	Technology and design in electronic equipment

Institution

Technology and design in electronic equipment

Ähnliche Einträge

Формирование прозрачных омических контактов к р-GaN для светоизлучающих диодов
von: Bosiy, V. I., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Арсенид-галлиевые p+–n–p+-структуры с обедняемой базовой областью
von: Karimov, A. V., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Вирощування гетероепітаксійних шарів на неізоперіодних підкладках мeтодом скануючої рідиннофазової епітаксії
von: Tsybulenko, Vadym, et al.
Veröffentlicht: (2020)

Особенности формирования быстровосстанавливающихся кремниевых диодов
von: Gorban, A. N., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Повышение надежности диодов Шоттки при воздействии разрядов cтатического электричества
von: Sоlоdukha, V. A., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Формирование мезаструктур 4НSiC p–i–n-диодов методом ионно-плазменного травления
von: Boltovets, M. S., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Исследование частотной зависимости проводимости нитевидных кристаллов кремния при криогенных температурах для создания сенсоров температуры на их основе
von: Druzhinin, A. A., et al.
Veröffentlicht: (2019)

Дослідження електричних та магнітних характеристик високотемпературних датчиків Холла на основі гетероструктури AlGaN/GaN
von: Stempitsky, V. R., et al.
Veröffentlicht: (2017)

Системы контроля-мониторинга температуры и влажности среды на основе толстых пленок оксишпинелей
von: Vakiv, N. M.
Veröffentlicht: (2010)

Исследование удельного сопротивления омических контактов Au–Ti–Pd–n-Si для лавинно-пролетных диодов
von: Basanets, V. V., et al.
Veröffentlicht: (2015)

Simulation of growth of graded bandgap GaAsP layers at liquid phase electroepitaxy
von: Tsybulenko, V., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Radiation influence on characteristics of GaP light emitting diodes
von: Borzakovskyj, A., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Ultrasound influence on exciton emission of GaP light diodes
von: Gontaruk, O.M., et al.
Veröffentlicht: (2003)

Low doses effect in GaP light-emitting diodes
von: O. M. Hontaruk, et al.
Veröffentlicht: (2016)

Radiative recombination in initial and electron-irradiated GaP crystals
von: O. Hontaruk, et al.
Veröffentlicht: (2010)

Radiative recombination in initial and electron-irradiated GaP crystals
von: Hontaruk, O., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Low-temperature radiation effects in wide gap materials
von: Popov, A.I., et al.
Veröffentlicht: (2016)

Numerical simulation of gap length influence on energy deposition in spark discharge
von: Korytchenko, K.V., et al.
Veröffentlicht: (2021)

Модификация барьерной структуры на основе pAlGaInAs–nGaAs последовательно соединенными потенциальными барьерами
von: Karimov, A. V., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Peculiarities of neutron irradiation influence on GaP light-emitting structures
von: Litovchenko, P., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Surface distribution of the emitting intensity of GaP light-emitting diodes
von: O. V. Konoreva, et al.
Veröffentlicht: (2013)

Моделирование электрических схем защиты с использованием силовых лавинных диодов Кравчина В. В., Нагорная Н. Н.
von: Kravchina, V. V., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Диоды Ганна из InP с катодным контактом, инжектирующим горячие электроны. Ч. 1. Межфазные взаимодействия в катодных контактах
von: Boltovets, N. S., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Effect of pulsing magnetic field on radiative recombination spectra of GaP and InP single crystals
von: Milenin, V.V., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Effect of pulsing magnetic field on radiative recombination spectra of GaP and InP single crystals
von: V. V. Milenin, et al.
Veröffentlicht: (2010)

MAGNETIC FIELD IN A GAP OF ELECTROMECHANICAL DISINTEGRATORS
von: Lushchik, V. D.
Veröffentlicht: (2014)

The main characteristics of the leader channel during breakdown of a long air gap by high pulse voltage
von: Baranov, M. I.
Veröffentlicht: (2025)

Negative magnetoresistance of heavily doped silicon p-n junction
von: V. L. Borblik, et al.
Veröffentlicht: (2011)

Negative magnetoresistance of heavily doped silicon p-n junction
von: Borblik, V.L., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Influence of complex defects on electrophysical properties of GaP light emitting diodes
von: O. Konoreva, et al.
Veröffentlicht: (2014)

Influence of complex defects on electrophysical properties of GaP light emitting diodes
von: Konoreva, O., et al.
Veröffentlicht: (2014)

ТЕРМОДИНАМІЧНИЙ РОЗРАХУНОК ДІАГРАМИ ПЛАВКОСТІ СИСТЕМИ Ga-N ЗА АТМОСФЕРНОГО ТА ВИСОКИХ ТИСКІВ
von: Туркевич, В. З., et al.
Veröffentlicht: (2022)

Фотодиод на основе GaP с повышенной чувствительностью в коротковолновой области УФ-спектра
von: Dobrovol’skii, Yu. G.
Veröffentlicht: (2012)

Предэпитаксиальная обработка подложек GaSb для жидкофазного выращивания гомоэпитаксиальных слоев
von: Andronova, О. V., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Electrical and optical characteristics of GaP diodes, irradiated with 2 MeV electrons
von: O. V. Konoreva, et al.
Veröffentlicht: (2014)

Optimized calibration of cryogenic silicon thermodiodes
von: Ivashchenko, O.M., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Optimized calibration of cryogenic silicon thermodiodes
von: O. M. Ivashchenko, et al.
Veröffentlicht: (2011)

Smoothing cubic spline approximation of silicon diode temperature sensors thermometric characteristics
von: O. M. Ivashchenko, et al.
Veröffentlicht: (2010)

Smoothing cubic spline approximation of silicon diode temperature sensors thermometric characteristics
von: Ivashchenko, O.M., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Исследование допустимой импульсной мощности кремниевой p+–p–n+-структуры
von: Karimov, A. V., et al.
Veröffentlicht: (2011)