Предэпитаксиальная обработка подложек GaSb для жидкофазного выращивания гомоэпитаксиальных слоев

The results of investigation to find out the optimal conditions of pre-epitaxial GaSb substrate treatment by chemical etching in inorganic acid mixes are offered. It is shown that application of two-stage chemical treatment in HNO3:HF:H2O=3:1:2 and H2O2:HF:H2O=4:1:15 etchants give a possibility to s...

Повний опис

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Дата:	2008
Автори:	Andronova, О. V., Kurak, V. V.
Формат:	Стаття
Мова:	Ukrainian
Опубліковано:	PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2008
Теми:	подложка GaSb предэпитаксиальная обработка химическое травление жидкофазная эпитаксия
Онлайн доступ:	https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2008.6.41
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Technology and design in electronic equipment

Репозитарії

Technology and design in electronic equipment

id	oai:tkea.com.ua:article-709
record_format	ojs
spelling	oai:tkea.com.ua:article-7092025-12-09T20:58:42Z Pre-epitaxial treatment of GaSb substrates for liquid-phase growth of homoepitaxial layers Предэпитаксиальная обработка подложек GaSb для жидкофазного выращивания гомоэпитаксиальных слоев Andronova, О. V. Kurak, V. V. GaSb substrate substrate treatment chemical etching liquid phase epitaxy подложка GaSb предэпитаксиальная обработка химическое травление жидкофазная эпитаксия The results of investigation to find out the optimal conditions of pre-epitaxial GaSb substrate treatment by chemical etching in inorganic acid mixes are offered. It is shown that application of two-stage chemical treatment in HNO3:HF:H2O=3:1:2 and H2O2:HF:H2O=4:1:15 etchants give a possibility to satisfy the requirements for GaSb substrate in case of liquid phase epitaxy. Optimal conditions of pre-epitaxial GaSb substrate treatment provided the surface roughness value of no more than 0,05 mm and uniform substrate wetting by solution-melt are pointed out. Представлены результаты исследований по оптимизации режимов предэпитаксиальной обработки подложек GaSb химическим травлением в смесях на основе неорганических кислот. Показано, что использование двухстадийной химической обработки пластин в травителях HNO3:HF:H2O=3:1:2 и H2O2:HF:H2O=4:1:15 позволяет удовлетворить требования, предъявляемые к подложкам GaSb при жидкофазной эпитаксии. Найдены оптимальные режимы предэпитаксиальной обработки подложек GaSb, обеспечивающие значение шероховатости поверхности не более 0,05 мкм и равномерное смачивание подложек раствором-расплавом. PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2008-12-30 Article Article Peer-reviewed Article application/pdf https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2008.6.41 Technology and design in electronic equipment; No. 6 (2008): Tekhnologiya i konstruirovanie v elektronnoi apparature; 41-43 Технологія та конструювання в електронній апаратурі; № 6 (2008): Технология и конструирование в электронной аппаратуре; 41-43 3083-6549 3083-6530 uk https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2008.6.41/644 Copyright (c) 2008 Andronova О. V., Kurak V. V. http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/
institution	Technology and design in electronic equipment
baseUrl_str
datestamp_date	2025-12-09T20:58:42Z
collection	OJS
language	Ukrainian
topic	подложка GaSb предэпитаксиальная обработка химическое травление жидкофазная эпитаксия
spellingShingle	подложка GaSb предэпитаксиальная обработка химическое травление жидкофазная эпитаксия Andronova, О. V. Kurak, V. V. Предэпитаксиальная обработка подложек GaSb для жидкофазного выращивания гомоэпитаксиальных слоев
topic_facet	GaSb substrate substrate treatment chemical etching liquid phase epitaxy подложка GaSb предэпитаксиальная обработка химическое травление жидкофазная эпитаксия
format	Article
author	Andronova, О. V. Kurak, V. V.
author_facet	Andronova, О. V. Kurak, V. V.
author_sort	Andronova, О. V.
title	Предэпитаксиальная обработка подложек GaSb для жидкофазного выращивания гомоэпитаксиальных слоев
title_short	Предэпитаксиальная обработка подложек GaSb для жидкофазного выращивания гомоэпитаксиальных слоев
title_full	Предэпитаксиальная обработка подложек GaSb для жидкофазного выращивания гомоэпитаксиальных слоев
title_fullStr	Предэпитаксиальная обработка подложек GaSb для жидкофазного выращивания гомоэпитаксиальных слоев
title_full_unstemmed	Предэпитаксиальная обработка подложек GaSb для жидкофазного выращивания гомоэпитаксиальных слоев
title_sort	предэпитаксиальная обработка подложек gasb для жидкофазного выращивания гомоэпитаксиальных слоев
title_alt	Pre-epitaxial treatment of GaSb substrates for liquid-phase growth of homoepitaxial layers
description	The results of investigation to find out the optimal conditions of pre-epitaxial GaSb substrate treatment by chemical etching in inorganic acid mixes are offered. It is shown that application of two-stage chemical treatment in HNO3:HF:H2O=3:1:2 and H2O2:HF:H2O=4:1:15 etchants give a possibility to satisfy the requirements for GaSb substrate in case of liquid phase epitaxy. Optimal conditions of pre-epitaxial GaSb substrate treatment provided the surface roughness value of no more than 0,05 mm and uniform substrate wetting by solution-melt are pointed out.
publisher	PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
publishDate	2008
url	https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2008.6.41
work_keys_str_mv	AT andronovaov preepitaxialtreatmentofgasbsubstratesforliquidphasegrowthofhomoepitaxiallayers AT kurakvv preepitaxialtreatmentofgasbsubstratesforliquidphasegrowthofhomoepitaxiallayers AT andronovaov predépitaksialʹnaâobrabotkapodložekgasbdlâžidkofaznogovyraŝivaniâgomoépitaksialʹnyhsloev AT kurakvv predépitaksialʹnaâobrabotkapodložekgasbdlâžidkofaznogovyraŝivaniâgomoépitaksialʹnyhsloev
first_indexed	2025-12-17T12:06:26Z
last_indexed	2025-12-17T12:06:26Z
_version_	1851757099738988544

Предэпитаксиальная обработка подложек GaSb для жидкофазного выращивания гомоэпитаксиальных слоев

Репозитарії

Схожі ресурси