Зображення обкладинки

Предэпитаксиальная обработка подложек GaSb для жидкофазного выращивания гомоэпитаксиальных слоев

The results of investigation to find out the optimal conditions of pre-epitaxial GaSb substrate treatment by chemical etching in inorganic acid mixes are offered. It is shown that application of two-stage chemical treatment in HNO3:HF:H2O=3:1:2 and H2O2:HF:H2O=4:1:15 etchants give a possibility to s...

Повний опис

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Дата:	2008
Автори:	Andronova, О. V., Kurak, V. V.
Формат:	Стаття
Мова:	Українська
Опубліковано:	PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2008
Теми:	подложка GaSb предэпитаксиальная обработка химическое травление жидкофазная эпитаксия
Онлайн доступ:	https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2008.6.41
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Technology and design in electronic equipment

Репозитарії

Technology and design in electronic equipment

Схожі ресурси

Предэпитаксиальная обработка подложек GaSb для жидкофазного выращивания гомоэпитаксиальных слоев
за авторством: Андронова, Е.В., та інші
Опубліковано: (2008)

Исследование спектров фотолюминесценции низкоразмерных структур InSb, сформированных в матрице GaSb
за авторством: Andronova, E. V., та інші
Опубліковано: (2011)

Процеси кристалізації тонких полікристалічних шарів стибніту галію для термофотовольтаїчного застосування
за авторством: Bahanov, Yevgen, та інші
Опубліковано: (2022)

Получение пригодного для сенсорики пористого кремния методом неэлектролитического травления MacEtch
за авторством: Iatsunskyi, I. R.
Опубліковано: (2013)

Формирование полированной поверхности халькогенидов Bi и Sb в травильных композициях K2Cr2O7–HBr
за авторством: Pavlovich, I. I., та інші
Опубліковано: (2011)

Получение двухсторонних высоковольтных эпитаксиальных кремниевых p–i–n-структур методом ЖФЭ
за авторством: Vakiv, N. M., та інші
Опубліковано: (2013)

Свойства двойных гетеропереходов p+-InP/n-InGaAsP/n-InP, изготовленных методом жидкофазной эпитаксии
за авторством: Vakiv, N. M., та інші
Опубліковано: (2012)

Получение поверхностно-барьерных структур на основе четырехкомпонентных твердых растворов А4В6
за авторством: Tkachuk, A. I., та інші
Опубліковано: (2007)

Светоизлучающие диоды белого света: состояние и основные тенденции развития
за авторством: Struhljak, N. Ja., та інші
Опубліковано: (2006)

Массоперенос при жидкофазной эпитаксии двухслойных систем
за авторством: Dranchuk, S. M., та інші
Опубліковано: (2012)

Особенности изготовления Cd1–xZnxTe-детектора ионизирующего излучения
за авторством: Tomashik, Z. F., та інші
Опубліковано: (2013)

Комбинированный способ выращивания эпитаксиальных слоев полупроводниковых соединений A³B⁵
за авторством: Yodgorova, D. M., та інші
Опубліковано: (2007)

Гетероструктуры на основе GaAs с квантовыми точками InAs для фотоэлектрических преобразователей
за авторством: Maronchuk, I. E., та інші
Опубліковано: (2008)

Корреляция параметров арсенид-галлиевых эпитаксиальных слоев и технологии их выращивания
за авторством: Karimov, A. V., та інші
Опубліковано: (2009)

Получение активных слоев InP в составе гетероструктур для диодов Ганна
за авторством: Vakiv, M. M., та інші
Опубліковано: (2010)

Конструкторско-технологические варианты коммутационных плат с подложкой из кремния
за авторством: Spirin, V. G.
Опубліковано: (2005)

Арсенид-галлиевые p+–n–p+-структуры с обедняемой базовой областью
за авторством: Karimov, A. V., та інші
Опубліковано: (2009)

Характеристика та функціоналізація потрійної наноповерхні InGaN для системи накопичення енергії в основах сонячних елементів: дослідження методом молекулярного моделювання
за авторством: Mollaamin, F.
Опубліковано: (2025)

Влияние плазмохимического травления на структуру поверхности кремниевых пластин фотоэлектрических преобразователей
за авторством: Polozov, B. P., та інші
Опубліковано: (2006)

Установка электрохимического профилирования для диагностирования эпитаксиальных структур GaAs
за авторством: Vakiv, N. M., та інші
Опубліковано: (2005)

Деформаційно-стимульовані ефекти в мікроструктурах антимоніду індію за кріогенних температур для сенсорних застосувань
за авторством: Druzhinin, Anatoliy, та інші
Опубліковано: (2019)

Дизайн та дослідження фазових характеристик гетероструктури por-Ga2O3/por-GaAs/mono-GaAs
за авторством: Kovachov, S. S., та інші
Опубліковано: (2024)

Формирование МОП-транзисторов с изоляцией активных элементов окисленным пористым кремнием
за авторством: Novosyadlyi, S. P., та інші
Опубліковано: (2009)

Обобщенный теоретический подход к анализу газофазных процессов эпитаксии
за авторством: Voronin, V. O., та інші
Опубліковано: (2006)

Поляриметрия подложек компакт-дисков
за авторством: Савенков, С.Н., та інші
Опубліковано: (2005)

Влияние параметров ВЧ-разряда и параметров нагревателя на температуру подложки в плазмохимическом реакторе «Алмаз» для синтеза углеродных алмазоподобных пленок
за авторством: Hladkovskiy, V. V., та інші
Опубліковано: (2014)

Вплив розкиду значень електричних параметрів RGB-світлодіодів на однорідність світіння світлодіодних екранів при мінімальній градації яскравості
за авторством: Veleschuk, V. P., та інші
Опубліковано: (2017)

Кинетика жидкофазного окисления 3-арилциклопентенов
за авторством: Писаненко, Д.А., та інші
Опубліковано: (2013)

Исследование термометрических характеристик GaP-диодов p+–n-типа
за авторством: Krasnov, V. A., та інші
Опубліковано: (2008)

Дослідження електричних та магнітних характеристик високотемпературних датчиків Холла на основі гетероструктури AlGaN/GaN
за авторством: Stempitsky, V. R., та інші
Опубліковано: (2017)

Метод жидкофазной эпитаксии толстых слоев
за авторством: Dranchuk, S. N., та інші
Опубліковано: (2013)

GaSb whiskers in sensor electronics
за авторством: Druzhinin, A.A., та інші
Опубліковано: (2016)

OPTIMIZATION OF ROW PLACEMENT OF SOLAR ENERGY COLLECTORS FOR THE CLIMATIC CONDITIONS OF THE SOUTH OF UKRAINE
за авторством: Andronova, O., та інші
Опубліковано: (2020)

Плазмохимическое травление эпитаксиальных структур нитрида галлия
за авторством: Borisenko, A. G., та інші
Опубліковано: (2005)

Електропровідність поверхні плівок SnO2:Sb, модифікованої Pd і Pt
за авторством: Panov, E. V., та інші
Опубліковано: (2014)

Формирование мезаструктур 4НSiC p–i–n-диодов методом ионно-плазменного травления
за авторством: Boltovets, M. S., та інші
Опубліковано: (2009)

Low-temperature magnetoresistance of GaSb whiskers
за авторством: A. Druzhinin, та інші
Опубліковано: (2017)

Low-temperature magnetoresistance of GaSb whiskers
за авторством: Druzhinin, A., та інші
Опубліковано: (2017)

Перспективы развития тонкопленочных микросборок
за авторством: Spirin, V. G.
Опубліковано: (2005)

Моделирование процессов бесконтактного химикомеханического изготовления подложек полупроводников
за авторством: Григорьев, Н.Н., та інші
Опубліковано: (2003)