Химическое осаждение из газовой фази гетеро- и наноструктур соединений III–V
The results of a phenomenological study based on the in-situ method of UV spectroscopy of the gas-phase composition in the source regions of GaAs, GaP, In, Ga, and In/Ga in a horizontal flow reactor are described. The experimental results are used to analyze the growth process of GaAs:Bi, GaAs1–хPх,...
Gespeichert in:
| Datum: | 2008 |
|---|---|
| Hauptverfasser: | , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Ukrainisch |
| Veröffentlicht: |
PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
2008
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2008.5.36 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Technology and design in electronic equipment |
Institution
Technology and design in electronic equipment| _version_ | 1856543927920754688 |
|---|---|
| author | Voronin, V. A. Guba, S. K. Kurilo, I. V. |
| author_facet | Voronin, V. A. Guba, S. K. Kurilo, I. V. |
| author_sort | Voronin, V. A. |
| baseUrl_str | |
| collection | OJS |
| datestamp_date | 2025-12-28T14:09:55Z |
| description | The results of a phenomenological study based on the in-situ method of UV spectroscopy of the gas-phase composition in the source regions of GaAs, GaP, In, Ga, and In/Ga in a horizontal flow reactor are described. The experimental results are used to analyze the growth process of GaAs:Bi, GaAs1–хPх, In1–хGaхAs, InхGa1–хAsуP1–у layers by a low-temperature isothermal gas-transport chloride epitaxy method. The obtained data make it possible to determine the temperature and the range of carrier gas (H₂) flow rates required to form a supersaturated gas phase during low-temperature growth of hetero- and nanostructures based on GaAs, GaAs1–хPх, In1–хGaхAs, InхGa1–хAsуP1–у layers. |
| first_indexed | 2026-02-08T08:11:01Z |
| format | Article |
| id | oai:tkea.com.ua:article-725 |
| institution | Technology and design in electronic equipment |
| language | Ukrainian |
| last_indexed | 2026-02-08T08:11:01Z |
| publishDate | 2008 |
| publisher | PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers |
| record_format | ojs |
| spelling | oai:tkea.com.ua:article-7252025-12-28T14:09:55Z Chemical vapor deposition of hetero- and nanostructures of III–V compounds Химическое осаждение из газовой фази гетеро- и наноструктур соединений III–V Voronin, V. A. Guba, S. K. Kurilo, I. V. chloride-hydride epitaxy heterostructure nanostructure III–V compounds direct-flow horizontal reactor хлорид-гидридная эпитаксия гетероструктура наноструктура соединения III–V прямоточный горизонтальный реактор The results of a phenomenological study based on the in-situ method of UV spectroscopy of the gas-phase composition in the source regions of GaAs, GaP, In, Ga, and In/Ga in a horizontal flow reactor are described. The experimental results are used to analyze the growth process of GaAs:Bi, GaAs1–хPх, In1–хGaхAs, InхGa1–хAsуP1–у layers by a low-temperature isothermal gas-transport chloride epitaxy method. The obtained data make it possible to determine the temperature and the range of carrier gas (H₂) flow rates required to form a supersaturated gas phase during low-temperature growth of hetero- and nanostructures based on GaAs, GaAs1–хPх, In1–хGaхAs, InхGa1–хAsуP1–у layers. Описываются результаты феноменологического исследования на базе in-situ-метода УФ-спектроскопии состава газовой фазы в области источников GaAs, GaP, In, Ga, In/Ga прямоточного горизонтального реактора. Экспериментальные результаты используются, чтобы проанализировать процесс выращивания слоев GaAs:Bi, GaAs1–хPх, In1–хGaхAs, InхGa1–хAsуP1–у низкотемпературным изотермическим газотранспортным методом хлоридной эпитаксии. Полученные данные дают возможность определять температуру и интервал скоростей потока газа носителя H2 для формирования перенасыщенной газовой фазы при низкотемпературном росте гетеро- и наноструктур на базе слоев GaAs, GaAs1–хPх, In1–хGaхAs, InхGa1–хAsуP1–у. PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2008-10-30 Article Article Peer-reviewed Article application/pdf https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2008.5.36 Technology and design in electronic equipment; No. 5 (2008): Tekhnologiya i konstruirovanie v elektronnoi apparature; 36-40 Технологія та конструювання в електронній апаратурі; № 5 (2008): Технология и конструирование в электронной аппаратуре; 36-40 3083-6549 3083-6530 uk https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2008.5.36/658 Copyright (c) 2008 Voronin V. A., Guba S. K., Kurilo I. V. http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/ |
| spellingShingle | хлорид-гидридная эпитаксия гетероструктура наноструктура соединения III–V прямоточный горизонтальный реактор Voronin, V. A. Guba, S. K. Kurilo, I. V. Химическое осаждение из газовой фази гетеро- и наноструктур соединений III–V |
| title | Химическое осаждение из газовой фази гетеро- и наноструктур соединений III–V |
| title_alt | Chemical vapor deposition of hetero- and nanostructures of III–V compounds |
| title_full | Химическое осаждение из газовой фази гетеро- и наноструктур соединений III–V |
| title_fullStr | Химическое осаждение из газовой фази гетеро- и наноструктур соединений III–V |
| title_full_unstemmed | Химическое осаждение из газовой фази гетеро- и наноструктур соединений III–V |
| title_short | Химическое осаждение из газовой фази гетеро- и наноструктур соединений III–V |
| title_sort | химическое осаждение из газовой фази гетеро- и наноструктур соединений iii–v |
| topic | хлорид-гидридная эпитаксия гетероструктура наноструктура соединения III–V прямоточный горизонтальный реактор |
| topic_facet | chloride-hydride epitaxy heterostructure nanostructure III–V compounds direct-flow horizontal reactor хлорид-гидридная эпитаксия гетероструктура наноструктура соединения III–V прямоточный горизонтальный реактор |
| url | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2008.5.36 |
| work_keys_str_mv | AT voroninva chemicalvapordepositionofheteroandnanostructuresofiiivcompounds AT gubask chemicalvapordepositionofheteroandnanostructuresofiiivcompounds AT kuriloiv chemicalvapordepositionofheteroandnanostructuresofiiivcompounds AT voroninva himičeskoeosaždenieizgazovojfazigeteroinanostruktursoedinenijiiiv AT gubask himičeskoeosaždenieizgazovojfazigeteroinanostruktursoedinenijiiiv AT kuriloiv himičeskoeosaždenieizgazovojfazigeteroinanostruktursoedinenijiiiv |