Приборно-технологическое моделирование автоэмиссионных кремниевых микрокатодов

• Дата: 2008
• Автори: Druzhynin, А. A., Holota, V. I., Kogut, I. T., Sapon, S. V., Khoverko, Yu. M.
• Формат: Стаття
• Мова: Українська
• Опубліковано: PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2008
• Теми: цифровая литография; автоэмиссионный микрокатод; стабильная автоэмиссия; локальные структуры; “кремний-на-изоляторе”; электрическая схема
• Онлайн доступ: https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2008.5.43
• Назва журналу: Technology and design in electronic equipment

A structure of a system for converting topological information for digital lithography is proposed. A method for forming local three-dimensional SOI (Silicon-on-Insulator) structures has been developed, which makes it possible to create both planar and three-dimensional device elements and contacts....