Влияние исходных дефектов на распределение механических напряжений и деформаций при окислении кремния
Using modern methods, the complex structure of near-surface silicon layers in the “silicon — silicon dioxide” systems has been investigated. The dependencies of the parameters of these layers on oxidation conditions and the characteristics of the initial silicon have been identified. The influence o...
Збережено в:
| Дата: | 2008 |
|---|---|
| Автори: | , , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Українська |
| Опубліковано: |
PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
2008
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2008.5.62 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Technology and design in electronic equipment |