Зображення обкладинки

Влияние исходных дефектов на распределение механических напряжений и деформаций при окислении кремния

Using modern methods, the complex structure of near-surface silicon layers in the “silicon — silicon dioxide” systems has been investigated. The dependencies of the parameters of these layers on oxidation conditions and the characteristics of the initial silicon have been identified. The influence o...

Повний опис

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Дата:	2008
Автори:	Kulinich, O. A., Smyntyna, V. A., Glauberman, M. A., Chemeresyuk, G. G., Yatsunskiy, I. R.
Формат:	Стаття
Мова:	Українська
Опубліковано:	PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2008
Теми:	кремний оксид дефекты
Онлайн доступ:	https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2008.5.62
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Technology and design in electronic equipment

Репозитарії

Technology and design in electronic equipment

Схожі ресурси

Локальные свойства электрически активных дефектов в солнечных батареях на основе кремния
за авторством: Popov, V. M., та інші
Опубліковано: (2010)

Влияние слоя поликристаллического кремния на механизмы токопереноса в контактах «металл — p-кремний»
за авторством: Smyntyna, V. A., та інші
Опубліковано: (2011)

Роль пластической деформации в получении нанокремния
за авторством: Smyntyna, V. A., та інші
Опубліковано: (2011)

Методы удаления дефектов, возникающих при жидкостном травлении поверхности поликристаллического кремния
за авторством: Ivanchykou, A. E., та інші
Опубліковано: (2008)

Фотолюминесцентный метод исследования пластической деформации на границе раздела «SiO2–Si»
за авторством: Kulinich, О. А., та інші
Опубліковано: (2012)

Влияние облучения кремния низкоэнергетическими ионами аргона на образование в нем электрически активных дефектов
за авторством: Popov, V. M., та інші
Опубліковано: (2009)

Повышение радиационной устойчивости кремниевых монокристаллических эпитаксиальных слоев
за авторством: Kurmashev, Sh. D., та інші
Опубліковано: (2014)

ДЕФЕКТЫ ПОЛУПРОВОДЯЩЕГО СЛОЯ ПО ЖИЛЕ И ИХ ВЛИЯНИЕ НА РАСПРЕДЕЛЕНИЕ ЭЛЕКТРИЧЕСКОГО ПОЛЯ В ПОЛИЭТИЛЕНОВОЙ ИЗОЛЯЦИИ СИЛОВОГО КАБЕЛЯ
за авторством: Кучерявая, И.Н.
Опубліковано: (2018)

Получение полуизолирующего кремния для высоковольтных приборов
за авторством: Turtsevich, A. S.
Опубліковано: (2008)

ДИАГНОСТИКА СКРЫТЫХ ДЕФЕКТОВ КОРОТКОЗАМКНУТОЙ ОБМОТКИ РОТОРА АСИНХРОННОГО ДВИГАТЕЛЯ ИНДУКЦИОННЫМ МЕТОДОМ
за авторством: Васьковский, Ю.Н., та інші
Опубліковано: (2013)

Двухфункциональный датчик давления-температуры на основе нитевидных кристаллов кремния
за авторством: Druzhinin, A. A., та інші
Опубліковано: (2013)

Получение пригодного для сенсорики пористого кремния методом неэлектролитического травления MacEtch
за авторством: Iatsunskyi, I. R.
Опубліковано: (2013)

Высокотемпературные датчики давления с тензорезисторами на основе нитевидных кристаллов кремния
за авторством: Druzhinin, A. A., та інші
Опубліковано: (2012)

Температурные поля в растущем кристалле «солнечного кремния»
за авторством: Kondrik, A. I., та інші
Опубліковано: (2012)

Влияние термического окисления на анизотропию электропроводности и фотопроводимости наноструктурированного кремния
за авторством: Forsh, P. A., та інші
Опубліковано: (2009)

Адсорбционно-кинетическая модель осаждения пленок поликристаллического кремния, легированных фосфором в процессе роста
за авторством: Nalivaiko, O. Yu., та інші
Опубліковано: (2009)

Тензорезисторы для низких температур на основе нитевидных кристаллов кремния
за авторством: Druzhinin, A. A., та інші
Опубліковано: (2008)

Разработка процесса глубокого плазменного травления кремния для технологии трехмерной интеграции кристаллов
за авторством: Golishnikov, А. А., та інші
Опубліковано: (2014)

Повышение эффективности кремниевых солнечных элементов посредством нанопористого покрытия
за авторством: Dzhafarov, T. D., та інші
Опубліковано: (2012)

Влияние эффективности исходных материалов на показатели надежности термоэлектрических охлаждающих устройств. Часть 2: Двухкаскадные ТЭУ
за авторством: Zaykov, V. P., та інші
Опубліковано: (2015)

Влияние эффективности исходных материалов на показатели надежности термоэлектрических охлаждающих устройств. Часть І: Однокаскадные ТЭУ
за авторством: Zaikov, V. P., та інші
Опубліковано: (2015)

Організація програмних засобів діагностичної обробки сигналів акустичної емісії
за авторством: Ірмухаметова, Рано Мархазітовна, та інші
Опубліковано: (2014)

Исследование влияния электронного облучения на кремниевые тензорезисторы
за авторством: Druzhinin, A. A., та інші
Опубліковано: (2010)

Электронная система регистрации параметров механических колебаний
за авторством: Bulavin, L. A., та інші
Опубліковано: (2008)

Характеристики фотодиодов со структурой «собственный оксид – InSe», облученных высокоэнергетическими электронами
за авторством: Sydor, O. N., та інші
Опубліковано: (2012)

Формирование МОП-транзисторов с изоляцией активных элементов окисленным пористым кремнием
за авторством: Novosyadlyi, S. P., та інші
Опубліковано: (2009)

Система измерения магнитного поля и температуры с цифровой обработкой сигнала
за авторством: Druzhinin, A. A., та інші
Опубліковано: (2013)

Кремний мультипористой текстуры для фотоэлектрических преобразователей солнечной энергии
за авторством: Yerokhov, V. Yu., та інші
Опубліковано: (2009)

Радиационная стойкость нитевидных кристаллов SiGe, используемых для сенсоров физических величин
за авторством: Druzhinin, A. A., та інші
Опубліковано: (2011)

Ртутный микрозонд для исследования локальных электрофизических свойств полупроводниковых структур
за авторством: Popov, V. M., та інші
Опубліковано: (2010)

Кинетика процессов осаждения пленок поликремния, легированного кислородом в процессе роста
за авторством: Nalivaiko, O. Yu., та інші
Опубліковано: (2012)

Многоканальный измеритель деформации для исследования конструкционных материалов
за авторством: Druzhinin, А. А., та інші
Опубліковано: (2008)

Усовершенствованный метод выявления «горячих точек» в изделиях микроэлектроники
за авторством: Popov, V. M., та інші
Опубліковано: (2008)

Арсенид-галлиевые p+–n–p+-структуры с обедняемой базовой областью
за авторством: Karimov, A. V., та інші
Опубліковано: (2009)

МОДЕЛИРОВАНИЕ ЭЛЕКТРИЧЕСКОГО ПОЛЯ В КАБЕЛЬНОЙ МУФТЕ С ТРУБКОЙ-РЕГУЛЯТОРОМ
за авторством: Кучерявая , И.Н.
Опубліковано: (2016)

ОБЩЕТЕОРЕТИЧЕСКОЕ РЕШЕНИЕ ЗАДАЧИ ВЕКТОРНОГО УПРАВЛЕНИЯ АСИНХРОННЫМИ ДВИГАТЕЛЯМИ БЕЗ ИЗМЕРЕНИЯ МЕХАНИЧЕСКИХ КООРДИНАТ
за авторством: Пересада, С.М., та інші
Опубліковано: (2016)

Методы и механизмы геттерирования кремниевых структур в производстве интегральных микросхем
за авторством: Pilipenko, V. A., та інші
Опубліковано: (2013)

РАСПРЕДЕЛЕНИЕ ПЛОТНОСТИ ПОВЕРХНОСТНЫХ ЗАРЯДОВ НА ГРАНИЦЕ РАЗДЕЛА КОНТАКТИРУЮЩИХ ИЗОЛИРОВАННЫХ ПРОВОДНИКОВ КАБЕЛЕЙ
за авторством: Беспрозванных, А.В., та інші
Опубліковано: (2014)

Кинетика деформации ВАХ оксидных варисторных структур, обусловленная перезарядкой локализованных состояний
за авторством: Tonkoshkur, A. S., та інші
Опубліковано: (2014)

Симметричный двухкоординатный фотодиод
за авторством: Dobrovolskiy, Yu. G., та інші
Опубліковано: (2008)