Оптические сенсоры газов на основе полупроводниковых источников ИК-излучения
Various designs of optical gas sensors and gas analyzers based on them have been developed using low-power semiconductor infrared radiation sources operating in the wavelength range of 2.5–5.0 μm, fabricated on the basis of InGaAs/InAs and InAsSbP/InAs heterostructures. Experimental results are pres...
Збережено в:
| Дата: | 2008 |
|---|---|
| Автор: | |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Українська |
| Опубліковано: |
PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
2008
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2008.4.30 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Technology and design in electronic equipment |