Вольт-фарадные характеристики ионно-имплантированных структур GaAs
A non-iterative numerical method has been proposed for calculating the dependence of the barrier capacitance of ion-implanted GaAs structures on the voltage across the Schottky barrier. The specific features of the low- and high-frequency capacitance–voltage characteristics of these structures, caus...
Gespeichert in:
| Datum: | 2008 |
|---|---|
| Hauptverfasser: | , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Ukrainisch |
| Veröffentlicht: |
PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
2008
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2008.4.52 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Technology and design in electronic equipment |
Institution
Technology and design in electronic equipment| _version_ | 1856543932102475776 |
|---|---|
| author | Gorev, N. B. Kodzhespirova, I. F. Privalov, E. N. |
| author_facet | Gorev, N. B. Kodzhespirova, I. F. Privalov, E. N. |
| author_sort | Gorev, N. B. |
| baseUrl_str | |
| collection | OJS |
| datestamp_date | 2026-01-04T20:13:39Z |
| description | A non-iterative numerical method has been proposed for calculating the dependence of the barrier capacitance of ion-implanted GaAs structures on the voltage across the Schottky barrier. The specific features of the low- and high-frequency capacitance–voltage characteristics of these structures, caused by the presence of deep trapping centers, have been identified. |
| first_indexed | 2026-02-08T08:11:05Z |
| format | Article |
| id | oai:tkea.com.ua:article-747 |
| institution | Technology and design in electronic equipment |
| language | Ukrainian |
| last_indexed | 2026-02-08T08:11:05Z |
| publishDate | 2008 |
| publisher | PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers |
| record_format | ojs |
| spelling | oai:tkea.com.ua:article-7472026-01-04T20:13:39Z Capacitance–voltage characteristics of ion-implanted GaAs structures Вольт-фарадные характеристики ионно-имплантированных структур GaAs Gorev, N. B. Kodzhespirova, I. F. Privalov, E. N. gallium arsenide ion-implanted structure Schottky barrier capacitance-voltage characteristic deep traps арсенид галлия ионно-имплантированная структура барьер Шоттки вольт-фарадная характеристика глубокие центры захвата A non-iterative numerical method has been proposed for calculating the dependence of the barrier capacitance of ion-implanted GaAs structures on the voltage across the Schottky barrier. The specific features of the low- and high-frequency capacitance–voltage characteristics of these structures, caused by the presence of deep trapping centers, have been identified. Предложен неитерационный численный метод расчета зависимости барьерной емкости ионно-имплантированных структур GaAs от напряжения на барьере Шоттки. Выявлены особенности низко- и высокочастотной вольт-фарадной характеристики этих структур, обусловленные наличием глубоких центров захвата. PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2008-08-30 Article Article Peer-reviewed Article application/pdf https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2008.4.52 Technology and design in electronic equipment; No. 4 (2008): Tekhnologiya i konstruirovanie v elektronnoi apparature; 52-54 Технологія та конструювання в електронній апаратурі; № 4 (2008): Технология и конструирование в электронной аппаратуре; 52-54 3083-6549 3083-6530 uk https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2008.4.52/676 Copyright (c) 2008 Gorev N. B., Kodzhespirova I. F., Privalov E. N. http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/ |
| spellingShingle | арсенид галлия ионно-имплантированная структура барьер Шоттки вольт-фарадная характеристика глубокие центры захвата Gorev, N. B. Kodzhespirova, I. F. Privalov, E. N. Вольт-фарадные характеристики ионно-имплантированных структур GaAs |
| title | Вольт-фарадные характеристики ионно-имплантированных структур GaAs |
| title_alt | Capacitance–voltage characteristics of ion-implanted GaAs structures |
| title_full | Вольт-фарадные характеристики ионно-имплантированных структур GaAs |
| title_fullStr | Вольт-фарадные характеристики ионно-имплантированных структур GaAs |
| title_full_unstemmed | Вольт-фарадные характеристики ионно-имплантированных структур GaAs |
| title_short | Вольт-фарадные характеристики ионно-имплантированных структур GaAs |
| title_sort | вольт-фарадные характеристики ионно-имплантированных структур gaas |
| topic | арсенид галлия ионно-имплантированная структура барьер Шоттки вольт-фарадная характеристика глубокие центры захвата |
| topic_facet | gallium arsenide ion-implanted structure Schottky barrier capacitance-voltage characteristic deep traps арсенид галлия ионно-имплантированная структура барьер Шоттки вольт-фарадная характеристика глубокие центры захвата |
| url | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2008.4.52 |
| work_keys_str_mv | AT gorevnb capacitancevoltagecharacteristicsofionimplantedgaasstructures AT kodzhespirovaif capacitancevoltagecharacteristicsofionimplantedgaasstructures AT privaloven capacitancevoltagecharacteristicsofionimplantedgaasstructures AT gorevnb volʹtfaradnyeharakteristikiionnoimplantirovannyhstrukturgaas AT kodzhespirovaif volʹtfaradnyeharakteristikiionnoimplantirovannyhstrukturgaas AT privaloven volʹtfaradnyeharakteristikiionnoimplantirovannyhstrukturgaas |