Особенности формирования быстровосстанавливающихся кремниевых диодов
The dependence of the reverse recovery time (trr) on the annealing parameters of diode structures after electron irradiation with energies of 4 and 10 MeV and fluences of 6·1015 sm–2 and 8·1014 sm–2, respectively, has been investigated. Diodes with the minimum trr and maximum recovery curr...
Gespeichert in:
| Datum: | 2008 |
|---|---|
| Hauptverfasser: | , , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Ukrainisch |
| Veröffentlicht: |
PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
2008
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2008.3.36 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Technology and design in electronic equipment |
Institution
Technology and design in electronic equipment| _version_ | 1856543934354817024 |
|---|---|
| author | Gorban, A. N. Kravchina, V. V. Gomolsky, D. M. Solodovnic, A. I. |
| author_facet | Gorban, A. N. Kravchina, V. V. Gomolsky, D. M. Solodovnic, A. I. |
| author_sort | Gorban, A. N. |
| baseUrl_str | |
| collection | OJS |
| datestamp_date | 2026-01-04T20:12:16Z |
| description |
The dependence of the reverse recovery time (trr) on the annealing parameters of diode structures after electron irradiation with energies of 4 and 10 MeV and fluences of 6·1015 sm–2 and 8·1014 sm–2, respectively, has been investigated. Diodes with the minimum trr and maximum recovery current form factor (Krr) were obtained after annealing structures irradiated with 4 MeV electrons at a fluence of 6·1015 sm–2. The trr decreases with an increase in the ratio of the concentration of recombination centers E3(0.37) to the concentration of other defects. At the same time, for silicon doped by transmutation nuclear reactions, the annealing temperature must be increased compared to Czochralski and float-zone silicon. |
| first_indexed | 2026-02-08T08:11:07Z |
| format | Article |
| id | oai:tkea.com.ua:article-758 |
| institution | Technology and design in electronic equipment |
| language | Ukrainian |
| last_indexed | 2026-02-08T08:11:07Z |
| publishDate | 2008 |
| publisher | PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers |
| record_format | ojs |
| spelling | oai:tkea.com.ua:article-7582026-01-04T20:12:16Z Specifics of forming fast-recovery silicon diodes Особенности формирования быстровосстанавливающихся кремниевых диодов Gorban, A. N. Kravchina, V. V. Gomolsky, D. M. Solodovnic, A. I. diode electron irradiation fluence deep level emission rate energy диод облучение электронами флюэнс время восстановления скорость эмиссии энергия The dependence of the reverse recovery time (trr) on the annealing parameters of diode structures after electron irradiation with energies of 4 and 10 MeV and fluences of 6·1015 sm–2 and 8·1014 sm–2, respectively, has been investigated. Diodes with the minimum trr and maximum recovery current form factor (Krr) were obtained after annealing structures irradiated with 4 MeV electrons at a fluence of 6·1015 sm–2. The trr decreases with an increase in the ratio of the concentration of recombination centers E3(0.37) to the concentration of other defects. At the same time, for silicon doped by transmutation nuclear reactions, the annealing temperature must be increased compared to Czochralski and float-zone silicon. Исследована зависимость времени восстановления тока trr от параметров отжига диодных структур после их облучения электронами е– с энергией 4 и 10 МэВ флюэнсами 6·1015 и 8·1014 см–2, соответственно. Диоды с минимальным временем trr и максимальным коэффициентом формы Кrr тока восстановления получены при отжиге структур после облучения е– с энергией 4 МэВ и флюэнсом 6·1015 см–2. Время trr уменьшается при увеличении отношения концентрации центров рекомбинации Е3(0,37) к концентрации других дефектов. При этом для кремния, легированного при помощи трансмутационных ядерных реакций, необходимо повышать температуру отжига по сравнению с кремнием Чохральского и зонной плавки. PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2008-06-30 Article Article Peer-reviewed Article application/pdf https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2008.3.36 Technology and design in electronic equipment; No. 3 (2008): Tekhnologiya i konstruirovanie v elektronnoi apparature; 36-40 Технологія та конструювання в електронній апаратурі; № 3 (2008): Технология и конструирование в электронной аппаратуре; 36-40 3083-6549 3083-6530 uk https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2008.3.36/687 Copyright (c) 2008 Gorban A. N., Kravchina V. V., Gomolsky D. M., Solodovnic A. I. http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/ |
| spellingShingle | диод облучение электронами флюэнс время восстановления скорость эмиссии энергия Gorban, A. N. Kravchina, V. V. Gomolsky, D. M. Solodovnic, A. I. Особенности формирования быстровосстанавливающихся кремниевых диодов |
| title | Особенности формирования быстровосстанавливающихся кремниевых диодов |
| title_alt | Specifics of forming fast-recovery silicon diodes |
| title_full | Особенности формирования быстровосстанавливающихся кремниевых диодов |
| title_fullStr | Особенности формирования быстровосстанавливающихся кремниевых диодов |
| title_full_unstemmed | Особенности формирования быстровосстанавливающихся кремниевых диодов |
| title_short | Особенности формирования быстровосстанавливающихся кремниевых диодов |
| title_sort | особенности формирования быстровосстанавливающихся кремниевых диодов |
| topic | диод облучение электронами флюэнс время восстановления скорость эмиссии энергия |
| topic_facet | diode electron irradiation fluence deep level emission rate energy диод облучение электронами флюэнс время восстановления скорость эмиссии энергия |
| url | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2008.3.36 |
| work_keys_str_mv | AT gorbanan specificsofformingfastrecoverysilicondiodes AT kravchinavv specificsofformingfastrecoverysilicondiodes AT gomolskydm specificsofformingfastrecoverysilicondiodes AT solodovnicai specificsofformingfastrecoverysilicondiodes AT gorbanan osobennostiformirovaniâbystrovosstanavlivaûŝihsâkremnievyhdiodov AT kravchinavv osobennostiformirovaniâbystrovosstanavlivaûŝihsâkremnievyhdiodov AT gomolskydm osobennostiformirovaniâbystrovosstanavlivaûŝihsâkremnievyhdiodov AT solodovnicai osobennostiformirovaniâbystrovosstanavlivaûŝihsâkremnievyhdiodov |