Расчет транспортных свойств детекторов гамма-излучения на основе полуизолирующих полупроводников
A method has been developed for the rapid determination of charge transport parameters in dosimetric γ-radiation detectors based on high-resistivity semiconductors. The problem of calculating charge transport parameters in planar γ-radiation detectors based on semi-insulating CdTe (CdZnTe) using the...
Saved in:
| Date: | 2008 |
|---|---|
| Main Authors: | , , , , |
| Format: | Article |
| Language: | Ukrainian |
| Published: |
PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
2008
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2008.3.41 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Technology and design in electronic equipment |
Institution
Technology and design in electronic equipment| _version_ | 1856543934456528896 |
|---|---|
| author | Zakharchenko, A. A. Prokhoretz, I. M. Kutny, V. E. Rybka, A. V. Khazhmuradov, M. A. |
| author_facet | Zakharchenko, A. A. Prokhoretz, I. M. Kutny, V. E. Rybka, A. V. Khazhmuradov, M. A. |
| author_sort | Zakharchenko, A. A. |
| baseUrl_str | |
| collection | OJS |
| datestamp_date | 2026-01-04T20:12:16Z |
| description | A method has been developed for the rapid determination of charge transport parameters in dosimetric γ-radiation detectors based on high-resistivity semiconductors. The problem of calculating charge transport parameters in planar γ-radiation detectors based on semi-insulating CdTe (CdZnTe) using their dosimetric characteristics has been considered. Based on the results of simulation modeling, the applicability of the proposed method has been demonstrated for HgI2 γ-radiation detectors. The proposed method can be used in the design of new spectrometric and dosimetric instruments for radiation safety monitoring and for controlling device characteristics during operation in high-radiation fields. |
| first_indexed | 2026-02-08T08:11:07Z |
| format | Article |
| id | oai:tkea.com.ua:article-759 |
| institution | Technology and design in electronic equipment |
| language | Ukrainian |
| last_indexed | 2026-02-08T08:11:07Z |
| publishDate | 2008 |
| publisher | PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers |
| record_format | ojs |
| spelling | oai:tkea.com.ua:article-7592026-01-04T20:12:16Z Calculation of transport properties of gamma-radiation detectors based on semi-insulating semiconductors Расчет транспортных свойств детекторов гамма-излучения на основе полуизолирующих полупроводников Zakharchenko, A. A. Prokhoretz, I. M. Kutny, V. E. Rybka, A. V. Khazhmuradov, M. A. mobility lifetime semiconductor detectors semi-insulating semiconductors CdTe CdZnTe HgI2 Monte Carlo method подвижность время жизни полупроводниковые детекторы полуизолирующие полупроводники CdTe CdZnTe HgI2 метод Монте-Карло A method has been developed for the rapid determination of charge transport parameters in dosimetric γ-radiation detectors based on high-resistivity semiconductors. The problem of calculating charge transport parameters in planar γ-radiation detectors based on semi-insulating CdTe (CdZnTe) using their dosimetric characteristics has been considered. Based on the results of simulation modeling, the applicability of the proposed method has been demonstrated for HgI2 γ-radiation detectors. The proposed method can be used in the design of new spectrometric and dosimetric instruments for radiation safety monitoring and for controlling device characteristics during operation in high-radiation fields. Разработан метод быстрого определения параметров переноса заряда в дозиметрических детекторах γ-излучения на основе высокоомных полупроводников. Рассмотрена задача расчета параметров переноса заряда в планарных детекторах γ-излучения на основе полуизолирующего CdTe (CdZnTe) с использованием их дозиметрических характеристик. На основе результатов имитационного моделирования показана применимость рассмотренного метода для HgI2 детекторов γ-излучения. Предложенный метод может использоваться при проектировании новых спектрометрических и дозиметрических приборов для контроля радиационной безопасности и контроля характеристик приборов в процессе эксплуатации в мощных радиационных полях. PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2008-06-30 Article Article Peer-reviewed Article application/pdf https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2008.3.41 Technology and design in electronic equipment; No. 3 (2008): Tekhnologiya i konstruirovanie v elektronnoi apparature; 41-45 Технологія та конструювання в електронній апаратурі; № 3 (2008): Технология и конструирование в электронной аппаратуре; 41-45 3083-6549 3083-6530 uk https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2008.3.41/688 Copyright (c) 2008 Zakharchenko A. A., Prokhoretz I. M., Kutny V. E., Rybka A. V., Khazhmuradov M. A. http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/ |
| spellingShingle | подвижность время жизни полупроводниковые детекторы полуизолирующие полупроводники CdTe CdZnTe HgI2 метод Монте-Карло Zakharchenko, A. A. Prokhoretz, I. M. Kutny, V. E. Rybka, A. V. Khazhmuradov, M. A. Расчет транспортных свойств детекторов гамма-излучения на основе полуизолирующих полупроводников |
| title | Расчет транспортных свойств детекторов гамма-излучения на основе полуизолирующих полупроводников |
| title_alt | Calculation of transport properties of gamma-radiation detectors based on semi-insulating semiconductors |
| title_full | Расчет транспортных свойств детекторов гамма-излучения на основе полуизолирующих полупроводников |
| title_fullStr | Расчет транспортных свойств детекторов гамма-излучения на основе полуизолирующих полупроводников |
| title_full_unstemmed | Расчет транспортных свойств детекторов гамма-излучения на основе полуизолирующих полупроводников |
| title_short | Расчет транспортных свойств детекторов гамма-излучения на основе полуизолирующих полупроводников |
| title_sort | расчет транспортных свойств детекторов гамма-излучения на основе полуизолирующих полупроводников |
| topic | подвижность время жизни полупроводниковые детекторы полуизолирующие полупроводники CdTe CdZnTe HgI2 метод Монте-Карло |
| topic_facet | mobility lifetime semiconductor detectors semi-insulating semiconductors CdTe CdZnTe HgI2 Monte Carlo method подвижность время жизни полупроводниковые детекторы полуизолирующие полупроводники CdTe CdZnTe HgI2 метод Монте-Карло |
| url | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2008.3.41 |
| work_keys_str_mv | AT zakharchenkoaa calculationoftransportpropertiesofgammaradiationdetectorsbasedonsemiinsulatingsemiconductors AT prokhoretzim calculationoftransportpropertiesofgammaradiationdetectorsbasedonsemiinsulatingsemiconductors AT kutnyve calculationoftransportpropertiesofgammaradiationdetectorsbasedonsemiinsulatingsemiconductors AT rybkaav calculationoftransportpropertiesofgammaradiationdetectorsbasedonsemiinsulatingsemiconductors AT khazhmuradovma calculationoftransportpropertiesofgammaradiationdetectorsbasedonsemiinsulatingsemiconductors AT zakharchenkoaa rasčettransportnyhsvojstvdetektorovgammaizlučeniânaosnovepoluizoliruûŝihpoluprovodnikov AT prokhoretzim rasčettransportnyhsvojstvdetektorovgammaizlučeniânaosnovepoluizoliruûŝihpoluprovodnikov AT kutnyve rasčettransportnyhsvojstvdetektorovgammaizlučeniânaosnovepoluizoliruûŝihpoluprovodnikov AT rybkaav rasčettransportnyhsvojstvdetektorovgammaizlučeniânaosnovepoluizoliruûŝihpoluprovodnikov AT khazhmuradovma rasčettransportnyhsvojstvdetektorovgammaizlučeniânaosnovepoluizoliruûŝihpoluprovodnikov |