Buchumschlag

Расчет транспортных свойств детекторов гамма-излучения на основе полуизолирующих полупроводников

A method has been developed for the rapid determination of charge transport parameters in dosimetric γ-radiation detectors based on high-resistivity semiconductors. The problem of calculating charge transport parameters in planar γ-radiation detectors based on semi-insulating CdTe (CdZnTe) using the...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Datum:	2008
Hauptverfasser:	Zakharchenko, A. A., Prokhoretz, I. M., Kutny, V. E., Rybka, A. V., Khazhmuradov, M. A.
Format:	Artikel
Sprache:	Ukrainisch
Veröffentlicht:	PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2008
Schlagworte:	подвижность время жизни полупроводниковые детекторы полуизолирующие полупроводники CdTe CdZnTe HgI2 метод Монте-Карло
Online Zugang:	https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2008.3.41
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:	Technology and design in electronic equipment

Institution

Technology and design in electronic equipment

Ähnliche Einträge

Моделирование энергетической зависимости чувствительности CdTe (CdZnTe) детекторов гамма-излучения
von: Zakharchenko, A. A., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Сенсоры на основе CdZnTe для измерений рентгеновского излучения
von: Rybka, A. V., et al.
Veröffentlicht: (2006)

Влияние обработки водородом монокристаллов теллурида кадмия на их спектры оптического пропускания
von: Pigur, O. N., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Поверхневi та iнтерфейснi зони гетероструктури CdTe–HgTe–CdTe: докази металевостi
von: Yakovkin, I.N.
Veröffentlicht: (2021)

Квантовый выход межзонной излучательной рекомбинации в кристаллах CdHgTe
von: Vlasenko, A. I., et al.
Veröffentlicht: (2004)

Влияние термообработки на электрофизические свойства CdZnTe-детекторов γ-излучения
von: Kutniy, V. E., et al.
Veröffentlicht: (2005)

Дискретні фотоприймачі середньохвильового ІЧ-діапазону спектру на основі HgCdTe
von: Tsybrii, Z. F., et al.
Veröffentlicht: (2017)

Вплив імпульсного лазерного опромінення (довжина електромагнітної хвилі 266 нм) на оптичні властивості CdTe та Cd0,9Zn0,1Te в області фундаментального оптичного переходу E0
von: Gentsar, P.O., et al.
Veröffentlicht: (2021)

Залежнiсть порога плавлення CdTe вiд тривалостi iмпульсу та довжини хвилi випромiнювання лазера i параметрiв нерiвноважних носiїв заряду
von: Veleschuk, V. P., et al.
Veröffentlicht: (2018)

Детекторные свойства Cd0,9Zn0,1Te:Al под влиянием гамма-облучения малой дозы
von: Kondrik, A. I.
Veröffentlicht: (2016)

Эффективность сбора зарядов в датчиках γ-излучения с различной конфигурацией электродов
von: Kondrik, A. I.
Veröffentlicht: (2012)

Структура Те-CdTe со свойством электронного переключения с памятью
von: Baidullaeva, А., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Электрические свойства анизотипных гетеропереходов n-ТiО2:Mn/p-CdTe
von: Mostovyi, A. I., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Емкостные свойства МДП-структур HgCdTe/SiO2/Si3N4
von: Voitsekhovskii, A. V., et al.
Veröffentlicht: (2005)

Электрические и фотоэлектрические свойства гетероструктур NiO/p-CdTe и NiO/n-CdTe
von: Parkhomenko, H. P., et al.
Veröffentlicht: (2016)

Електричні та фотоелектричні властивості гетеропереходів MoN/p-CdTe та MoN/n-CdTe
von: Kovaliuk, Taras, et al.
Veröffentlicht: (2021)

Квазісинхронна термокомпенсація в іонометрії із застосуванням ІСПТ. Частина 1. Теорія та моделювання
von: Pavluchenko, Alexey, et al.
Veröffentlicht: (2021)

Вплив домішок і дефектів структури на властивості детекторів на основі CdTe та CdZnTe
von: Kondrik, Alexandr, et al.
Veröffentlicht: (2022)

Вплив домішок і структурних дефектів на електрофізичні та детекторні властивості CdTe та CdZnTe
von: Kondrik, Alexander, et al.
Veröffentlicht: (2019)

Фотоэлектростимулированная пассивация спектрометрических Cd1–xZnxTe-детекторов
von: Zagoruiko, Yu. A., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Розробка та моделювання високоточного MPPT-контролера для тонкоплівкових сонячних елементів
von: Fedenko, Vitalii, et al.
Veröffentlicht: (2025)

Вплив радіаційних дефектів на електрофізичні та детекторні властивості CdTe:Cl, опроміненого нейтронами
von: Kondrik, Alexandr, et al.
Veröffentlicht: (2020)

Расчет транспортных свойств детекторов гамма-излучения на основе полуизолирующих полупроводников
von: Захарченко, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Блок детектирования гамма-излучения на основе CdZnTe для систем радиационного контроля
von: Mokritsky, V. A., et al.
Veröffentlicht: (2005)

Вплив вмісту домішок та структурних дефектів на властивості детектора на основі Cd0.9Mn0.1Te:V
von: Kondrik, Оleksandr, et al.
Veröffentlicht: (2023)

Дослiдження морфологiї шарiв p-CdHgTe структурованих ковзним опромiненням iонами срiбла
von: Smirnov, A. B., et al.
Veröffentlicht: (2019)

Особливостi протiкання струму при ультразвуковому навантаженнi в сильно компенсованих низькоомних кристалах CdTe:Cl
von: Olikh, Ya. M., et al.
Veröffentlicht: (2019)

Экспериментальное доказательство экситонно-плазменного фазового перехода Мотта
von: Garkavenko, A. S.
Veröffentlicht: (2010)

Электропроводящие тонкие пленки для BaCuTeF прозрачных контактов в полупроводниковой электронике
von: Hotra, Z. Yu., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Особливостi дислокацiйного поглинання ультразвуку в безсубблочних кристалах Cd0,2Hg0,8Te
von: Lysyuk, I. O., et al.
Veröffentlicht: (2018)

Дослідження можливості використання матеріалів на основі CdTeSe для детекторів іонізуючих випромінювань
von: Kondrik , Оleksandr
Veröffentlicht: (2024)

Моделирование свойств CdZnTe и параметров детекторов γ-излучения на его основе
von: Kondrik, A. I.
Veröffentlicht: (2004)

Радиационно стойкая фотоструктура на основе Cr/In2Hg3Te6 для диода Шоттки
von: Ashcheulov, A. A., et al.
Veröffentlicht: (2016)

Моделирование отклика CdZnTe- и TlBr-детекторов для регистрации смешанного бета- и гамма-излучения
von: Skrypnyk, A. I.
Veröffentlicht: (2015)

Изменение сопротивления силовых диодов под действием импульсов ударного тока
von: Pavljuk, S. P., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Лазерная абляция и фотостимулированная пассивация поверхности кристаллов Cd1–хZnхTe
von: Zagoruiko, Yu. A., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Моделювання механізмів транспорту носіїв заряду в HgCdTe та InSb фотодіодах на ділянку спектра 3–5 мкм
von: Tetyorkin, V., et al.
Veröffentlicht: (2025)

Часи життя носіїв заряду у вузькощілинному Hg1–xCdxTe при міжзонному та внутрішньозонному збудженні
von: Staryi, S., et al.
Veröffentlicht: (2023)

АСОЦІАЦІЇ МІЖ ІНФІЛЬТРАЦІЄЮ ПУХЛИНОАСОЦІЙОВАНИХ МАКРОФАГІВ І ЦИТОКІНОВИМИ ТА EСМСИГНАТУРАМИ В МІКРООТОЧЕННІ РАКУ МОЛОЧНОЇ ЗАЛОЗИ
von: Pavlova, A., et al.
Veröffentlicht: (2026)

ВИКОРИСТАННЯ МЕТОДУ МОНТЕ КАРЛО ДЛЯ ОБЧИСЛЕННЯ ПОХИБКИ ВИМІРЮВАЛЬНОЇ СИСТЕМИ
von: Байда, Є.І., et al.
Veröffentlicht: (2024)