Расчет транспортных свойств детекторов гамма-излучения на основе полуизолирующих полупроводников

• Дата: 2008
• Автори: Zakharchenko, A. A., Prokhoretz, I. M., Kutny, V. E., Rybka, A. V., Khazhmuradov, M. A.
• Формат: Стаття
• Мова: Українська
• Опубліковано: PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2008
• Теми: подвижность; время жизни; полупроводниковые детекторы; полуизолирующие полупроводники; CdTe; CdZnTe; HgI2; метод Монте-Карло
• Онлайн доступ: https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2008.3.41
• Назва журналу: Technology and design in electronic equipment

A method has been developed for the rapid determination of charge transport parameters in dosimetric γ-radiation detectors based on high-resistivity semiconductors. The problem of calculating charge transport parameters in planar γ-radiation detectors based on semi-insulating CdTe (CdZnTe) using the...