Litvinenko, V., Baganov, Y., Vikulin, I., & Gorbachev, V. (2021). Покращення параметрів планарного імпульсного діода при використанні гетерування. Технологія та конструювання в електронній апаратурі, 3–4, 50-56. https://doi.org/10.15222/TKEA2021.3-4.50
Чикаго стиль цитування (17-те видання)Litvinenko, Viktor, Yevgen Baganov, Ivan Vikulin, та Victor Gorbachev. "Покращення параметрів планарного імпульсного діода при використанні гетерування." Технологія та конструювання в електронній апаратурі 3–4 (2021): 50-56. https://doi.org/10.15222/TKEA2021.3-4.50.
Стиль цитування MLA (8-ме видання)Litvinenko, Viktor, et al. "Покращення параметрів планарного імпульсного діода при використанні гетерування." Технологія та конструювання в електронній апаратурі, 3–4, 2021, pp. 50-56, https://doi.org/10.15222/TKEA2021.3-4.50.