Покращення параметрів планарного імпульсного діода при використанні гетерування
Pulse diodes are widely used as part of high-frequency pulse circuits. However, it should be noted that the cost of pulsed diodes remains relatively high, due to the low yield of suitable devices when they are sorted according to the criteria of reverse current and rated capacitance. This is largely...
Збережено в:
| Дата: | 2021 |
|---|---|
| Автори: | , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Ukrainian |
| Опубліковано: |
PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
2021
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2021.3-4.50 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Technology and design in electronic equipment |
Репозитарії
Technology and design in electronic equipment| id |
oai:tkea.com.ua:article-78 |
|---|---|
| record_format |
ojs |
| spelling |
oai:tkea.com.ua:article-782025-12-16T20:28:56Z Improving parameters of planar pulse diode using gettering Покращення параметрів планарного імпульсного діода при використанні гетерування Litvinenko, Viktor Baganov, Yevgen Vikulin, Ivan Gorbachev, Victor gettering reverse current rated capacitance diode structural defects annealing гетерування зворотний струм номінальна ємність діод структурні дефекти відпал Pulse diodes are widely used as part of high-frequency pulse circuits. However, it should be noted that the cost of pulsed diodes remains relatively high, due to the low yield of suitable devices when they are sorted according to the criteria of reverse current and rated capacitance. This is largely caused by the significant dependence of their electrical parameters on the density of structural defects and impurities in the active regions of the diodes.The study is devoted to identifying the causes and mechanisms of the low yield of diodes when they are sorted according to the criteria of reverse current and rated capacitance, as well as determining the possibility of using gettering operations to increase the yield of suitable devices.It is found that the low yield of the diodes is caused by the structural defects that are formed in the active areas of the diodes during high-temperature technological operations. The paper describes the mechanisms in which the structural defects affect the electrical parameters of diodes.The proposed technology for manufacturing diode structures using gettering of structural impurity defects by means of high-temperature annealing in an inert medium before the thermal oxidation operation is considered.It is shown that high-temperature annealing of silicon structures before thermal oxidation eliminates packing defects formed during epitaxy, cleans the active areas of the diodes from nuclei of defects and unwanted impurities, and prevents the formation of structural defects in them during the subsequent high-temperature thermal operations. The use of the proposed technology allows increasing the yield of suitable diode structures by 8.9% when sorted according to rated capacitance and by 9.4% when sorted according to reverse current, the level of reverse currents reducing by 2–9 times. Розглянуто причини та механізми впливу структурних дефектів на параметри імпульсного діода. Наведено експериментальні результати дослідження впливу гетерування, проведеного шляхом передокислювального високотемпературного відпалу пластин в атмосфері аргону, на параметри діодів. Показано, що пропонована технологія виготовлення структур імпульсного діода дозволяє істотно зменшити щільність дефектів пакування в активних областях діодів, у результаті чого знижується рівень зворотних струмів та зменшується розкид значень номінальної ємності діодів по площині пластини і, як наслідок, підвищується відсоток виходу придатних приладів. PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2021-09-07 Article Article Peer-reviewed Article application/pdf https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2021.3-4.50 10.15222/TKEA2021.3-4.50 Technology and design in electronic equipment; No. 3–4 (2021): Tekhnologiya i konstruirovanie v elektronnoi apparature; 50-56 Технологія та конструювання в електронній апаратурі; № 3–4 (2021): Технология и конструирование в электронной аппаратуре; 50-56 3083-6549 3083-6530 10.15222/TKEA2021.3-4 uk https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2021.3-4.50/71 Copyright (c) 2021 Viktor Litvinenko, Yevgen Baganov, Ivan Vikulin http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/ |
| institution |
Technology and design in electronic equipment |
| baseUrl_str |
|
| datestamp_date |
2025-12-16T20:28:56Z |
| collection |
OJS |
| language |
Ukrainian |
| topic |
гетерування зворотний струм номінальна ємність діод структурні дефекти відпал |
| spellingShingle |
гетерування зворотний струм номінальна ємність діод структурні дефекти відпал Litvinenko, Viktor Baganov, Yevgen Vikulin, Ivan Gorbachev, Victor Покращення параметрів планарного імпульсного діода при використанні гетерування |
| topic_facet |
gettering reverse current rated capacitance diode structural defects annealing гетерування зворотний струм номінальна ємність діод структурні дефекти відпал |
| format |
Article |
| author |
Litvinenko, Viktor Baganov, Yevgen Vikulin, Ivan Gorbachev, Victor |
| author_facet |
Litvinenko, Viktor Baganov, Yevgen Vikulin, Ivan Gorbachev, Victor |
| author_sort |
Litvinenko, Viktor |
| title |
Покращення параметрів планарного імпульсного діода при використанні гетерування |
| title_short |
Покращення параметрів планарного імпульсного діода при використанні гетерування |
| title_full |
Покращення параметрів планарного імпульсного діода при використанні гетерування |
| title_fullStr |
Покращення параметрів планарного імпульсного діода при використанні гетерування |
| title_full_unstemmed |
Покращення параметрів планарного імпульсного діода при використанні гетерування |
| title_sort |
покращення параметрів планарного імпульсного діода при використанні гетерування |
| title_alt |
Improving parameters of planar pulse diode using gettering |
| description |
Pulse diodes are widely used as part of high-frequency pulse circuits. However, it should be noted that the cost of pulsed diodes remains relatively high, due to the low yield of suitable devices when they are sorted according to the criteria of reverse current and rated capacitance. This is largely caused by the significant dependence of their electrical parameters on the density of structural defects and impurities in the active regions of the diodes.The study is devoted to identifying the causes and mechanisms of the low yield of diodes when they are sorted according to the criteria of reverse current and rated capacitance, as well as determining the possibility of using gettering operations to increase the yield of suitable devices.It is found that the low yield of the diodes is caused by the structural defects that are formed in the active areas of the diodes during high-temperature technological operations. The paper describes the mechanisms in which the structural defects affect the electrical parameters of diodes.The proposed technology for manufacturing diode structures using gettering of structural impurity defects by means of high-temperature annealing in an inert medium before the thermal oxidation operation is considered.It is shown that high-temperature annealing of silicon structures before thermal oxidation eliminates packing defects formed during epitaxy, cleans the active areas of the diodes from nuclei of defects and unwanted impurities, and prevents the formation of structural defects in them during the subsequent high-temperature thermal operations. The use of the proposed technology allows increasing the yield of suitable diode structures by 8.9% when sorted according to rated capacitance and by 9.4% when sorted according to reverse current, the level of reverse currents reducing by 2–9 times. |
| publisher |
PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers |
| publishDate |
2021 |
| url |
https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2021.3-4.50 |
| work_keys_str_mv |
AT litvinenkoviktor improvingparametersofplanarpulsediodeusinggettering AT baganovyevgen improvingparametersofplanarpulsediodeusinggettering AT vikulinivan improvingparametersofplanarpulsediodeusinggettering AT gorbachevvictor improvingparametersofplanarpulsediodeusinggettering AT litvinenkoviktor pokraŝennâparametrívplanarnogoímpulʹsnogodíodaprivikoristannígeteruvannâ AT baganovyevgen pokraŝennâparametrívplanarnogoímpulʹsnogodíodaprivikoristannígeteruvannâ AT vikulinivan pokraŝennâparametrívplanarnogoímpulʹsnogodíodaprivikoristannígeteruvannâ AT gorbachevvictor pokraŝennâparametrívplanarnogoímpulʹsnogodíodaprivikoristannígeteruvannâ |
| first_indexed |
2025-09-24T17:30:21Z |
| last_indexed |
2025-12-17T12:06:28Z |
| _version_ |
1851757102488354816 |