Покращення параметрів планарного імпульсного діода при використанні гетерування

• Veröffentlicht in: Технологія та конструювання в електронній апаратурі
• Datum: 2021
• Heft: 3–4
• Сторінки: 50-56
• ISSN: 3083-6549
• Автори та афіліації: Viktor Litvinenko — Kherson educational complex № 33, Kherson, Ukraine; Yevgen Baganov — Kherson National Technical University, Kherson, Ukraine — ORCID: 0000-0001-8771-5735; Ivan Vikulin — O.S. Popov Odesa National Academy of Telecommunications, Odesа, Ukraine; Victor Gorbachev — O.S. Popov Odessa National Academy of Telecommunications, Odesа, Ukraine — ORCID: 0000-0002-6668-6864
• Ключові слова: electronic structure, за- кон руху електрода, induction current, то і діаметр електрода має бути співрозмірним, dielectric losses, diamond turning, indium antimonide, еміто- вані електрони, зарядна ємність, permanent magnet
• Hauptverfasser: Litvinenko, Viktor, Baganov, Yevgen, Vikulin, Ivan, Gorbachev, Victor
• Format: Artikel
• Sprache: Ukrainisch
• Veröffentlicht: PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2021
• Schlagworte: гетерування; зворотний струм; номінальна ємність; діод; структурні дефекти; відпал
• Online Zugang: https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2021.3-4.50
• Назва журналу: Technology and design in electronic equipment

Pulse diodes are widely used as part of high-frequency pulse circuits. However, it should be noted that the cost of pulsed diodes remains relatively high, due to the low yield of suitable devices when they are sorted according to the criteria of reverse current and rated capacitance. This is largely...