Покращення параметрів планарного імпульсного діода при використанні гетерування
Pulse diodes are widely used as part of high-frequency pulse circuits. However, it should be noted that the cost of pulsed diodes remains relatively high, due to the low yield of suitable devices when they are sorted according to the criteria of reverse current and rated capacitance. This is largely...
Збережено в:
| Дата: | 2021 |
|---|---|
| Автори: | Litvinenko, Viktor, Baganov, Yevgen, Vikulin, Ivan, Gorbachev, Victor |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Ukrainian |
| Опубліковано: |
PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
2021
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2021.3-4.50 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Technology and design in electronic equipment |
Репозитарії
Technology and design in electronic equipmentСхожі ресурси
-
Поліпшення зворотних характеристик діода Шотткі при використанні гетерування
за авторством: Litvinenko, V., та інші
Опубліковано: (2019) -
Вплив гетерування на процес формування алюмінієвого омічного контакту
за авторством: Litvinenko, Victor, та інші
Опубліковано: (2020) -
Поліпшення зворотних характеристик кремнієвого варикапа за допомогою низькотемпературного гетерування
за авторством: Litvinenko, Victor, та інші
Опубліковано: (2023) -
Поліпшення параметрів кремнієвих варикапів при використанні лазерного гетерування
за авторством: Vikulin, I. M., та інші
Опубліковано: (2018) -
Управління падінням напруги кремнієвого діода шляхом опромінення електронами та термічної обробки
за авторством: Karimov, A. V., та інші
Опубліковано: (2018)