Спектры фоточувствительности поверхностно-барьерных структур Ni–n-GaAs
The results of a study of the photoresponse spectra of fabricated Ni–n-GaAs structures are presented in the photon energy range h=0.9–2.3 eV under illumination from the semitransparent nickel layer side. For the first time, it has been experimentally established that photons with energies of h=0.9–1...
Gespeichert in:
| Datum: | 2008 |
|---|---|
| Hauptverfasser: | , , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Ukrainisch |
| Veröffentlicht: |
PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
2008
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2008.1.31 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Technology and design in electronic equipment |
Institution
Technology and design in electronic equipment| _version_ | 1856543940248862721 |
|---|---|
| author | Melebayew, D. Melebayewa, G. D. Rud, Yu. V. Rud, V. Yu. |
| author_facet | Melebayew, D. Melebayewa, G. D. Rud, Yu. V. Rud, V. Yu. |
| author_sort | Melebayew, D. |
| baseUrl_str | |
| collection | OJS |
| datestamp_date | 2026-01-27T16:48:59Z |
| description | The results of a study of the photoresponse spectra of fabricated Ni–n-GaAs structures are presented in the photon energy range h=0.9–2.3 eV under illumination from the semitransparent nickel layer side. For the first time, it has been experimentally established that photons with energies of h=0.9–1.25 eV do not generate excited electrons in the Ni layer, and electron emission from Ni into GaAs does not occur. The potential of Ni–n-GaAs photoresponsive structures for use in solar cell development is demonstrated. |
| first_indexed | 2026-02-08T08:11:13Z |
| format | Article |
| id | oai:tkea.com.ua:article-790 |
| institution | Technology and design in electronic equipment |
| language | Ukrainian |
| last_indexed | 2026-02-08T08:11:13Z |
| publishDate | 2008 |
| publisher | PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers |
| record_format | ojs |
| spelling | oai:tkea.com.ua:article-7902026-01-27T16:48:59Z Spectral photoresponse of Ni–n-GaAs surface‑barrier structures Спектры фоточувствительности поверхностно-барьерных структур Ni–n-GaAs Melebayew, D. Melebayewa, G. D. Rud, Yu. V. Rud, V. Yu. metal–semiconductor photoresponse short‑circuit photocurrent Schottky barrier height Fowler region of the spectrum металл – полупроводник фоточувствительность фототок короткого замыкания высота барьера Шоттки фаулеровская область спектра The results of a study of the photoresponse spectra of fabricated Ni–n-GaAs structures are presented in the photon energy range h=0.9–2.3 eV under illumination from the semitransparent nickel layer side. For the first time, it has been experimentally established that photons with energies of h=0.9–1.25 eV do not generate excited electrons in the Ni layer, and electron emission from Ni into GaAs does not occur. The potential of Ni–n-GaAs photoresponsive structures for use in solar cell development is demonstrated. Приведены результаты исследования спектров фоточувствительности полученных структур Ni–n-GaAs в области энергии фотонов h=0,9…2,3 эВ при освещении со стороны полупрозрачного слоя никеля. Впервые экспериментально установлено, что фотоны с энергией h=0,9…1,25 эВ не создают возбужденных электронов в слое Ni, и эмиссия электронов из Ni в GaAs не происходит. Показана перспективность применения фоточувствительных структур Ni–n-GaAs для создания солнечных элементов. PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2008-02-28 Article Article Peer-reviewed Article application/pdf https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2008.1.31 Technology and design in electronic equipment; No. 1 (2008): Tekhnologiya i konstruirovanie v elektronnoi apparature; 31-34 Технологія та конструювання в електронній апаратурі; № 1 (2008): Технология и конструирование в электронной аппаратуре; 31-34 3083-6549 3083-6530 uk https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2008.1.31/715 Copyright (c) 2008 Melebayew D., Melebayewa G. D., Rud Yu. V., Rud V. Yu. http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/ |
| spellingShingle | металл – полупроводник фоточувствительность фототок короткого замыкания высота барьера Шоттки фаулеровская область спектра Melebayew, D. Melebayewa, G. D. Rud, Yu. V. Rud, V. Yu. Спектры фоточувствительности поверхностно-барьерных структур Ni–n-GaAs |
| title | Спектры фоточувствительности поверхностно-барьерных структур Ni–n-GaAs |
| title_alt | Spectral photoresponse of Ni–n-GaAs surface‑barrier structures |
| title_full | Спектры фоточувствительности поверхностно-барьерных структур Ni–n-GaAs |
| title_fullStr | Спектры фоточувствительности поверхностно-барьерных структур Ni–n-GaAs |
| title_full_unstemmed | Спектры фоточувствительности поверхностно-барьерных структур Ni–n-GaAs |
| title_short | Спектры фоточувствительности поверхностно-барьерных структур Ni–n-GaAs |
| title_sort | спектры фоточувствительности поверхностно-барьерных структур ni–n-gaas |
| topic | металл – полупроводник фоточувствительность фототок короткого замыкания высота барьера Шоттки фаулеровская область спектра |
| topic_facet | metal–semiconductor photoresponse short‑circuit photocurrent Schottky barrier height Fowler region of the spectrum металл – полупроводник фоточувствительность фототок короткого замыкания высота барьера Шоттки фаулеровская область спектра |
| url | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2008.1.31 |
| work_keys_str_mv | AT melebayewd spectralphotoresponseofningaassurfacebarrierstructures AT melebayewagd spectralphotoresponseofningaassurfacebarrierstructures AT rudyuv spectralphotoresponseofningaassurfacebarrierstructures AT rudvyu spectralphotoresponseofningaassurfacebarrierstructures AT melebayewd spektryfotočuvstvitelʹnostipoverhnostnobarʹernyhstrukturningaas AT melebayewagd spektryfotočuvstvitelʹnostipoverhnostnobarʹernyhstrukturningaas AT rudyuv spektryfotočuvstvitelʹnostipoverhnostnobarʹernyhstrukturningaas AT rudvyu spektryfotočuvstvitelʹnostipoverhnostnobarʹernyhstrukturningaas |