Зображення обкладинки

Спектры фоточувствительности поверхностно-барьерных структур Ni–n-GaAs

The results of a study of the photoresponse spectra of fabricated Ni–n-GaAs structures are presented in the photon energy range h=0.9–2.3 eV under illumination from the semitransparent nickel layer side. For the first time, it has been experimentally established that photons with energies of h=0.9–1...

Повний опис

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Дата:	2008
Автори:	Melebayew, D., Melebayewa, G. D., Rud, Yu. V., Rud, V. Yu.
Формат:	Стаття
Мова:	Українська
Опубліковано:	PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2008
Теми:	металл – полупроводник фоточувствительность фототок короткого замыкания высота барьера Шоттки фаулеровская область спектра
Онлайн доступ:	https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2008.1.31
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Technology and design in electronic equipment

Репозитарії

Technology and design in electronic equipment

Схожі ресурси

Новые возможности фотоэлектрического метода определения высоты барьера в структурах Au–n-GaAs
за авторством: Melebayev, D., та інші
Опубліковано: (2007)

Спектры фоточувствительности поверхностно-барьерных структур Ni–n–GaAs
за авторством: Мелебаев, Д., та інші
Опубліковано: (2008)

Каскадный инжекционный фотоприемник на основе твердых растворов A2B6-соединений для спектрального диапазона = 500–650 нм
за авторством: Mirsagatov, Sh. A., та інші
Опубліковано: (2018)

Эффект усиления фототока в фотодиодной структуре с прямо- и обратновключенными переходами
за авторством: Yodgorova, D. M.
Опубліковано: (2010)

ЧИСЛЕННЫЙ РАСЧЕТ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ТОКОВ. МАГНИТНОГО ПОЛЯ И ЭЛЕКТРОДИНАЛОТЧЕ СКИХ СИЛ В СИЛОВОМ ТРАНСФОРМАТОРЕ В АВАРИЙНЫХ РЕЖИМАХ С ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ MATLAB/SIMULINK и COMSOL
за авторством: Подольцев, А.Д., та інші
Опубліковано: (2011)

Металлы с дырочной проводимостью в излучающих поверхностно-барьерных диодах
за авторством: Гаркавенко, А.С.
Опубліковано: (2000)

Спектральная фоточувствительность Ni—Si:Au поверхностно-барьерных структур с инжекционным усилением
за авторством: Курмашев, Ш.Д., та інші
Опубліковано: (2002)

Получение поверхностно-барьерных структур на основе четырехкомпонентных твердых растворов А⁴В⁶
за авторством: Ткачук, А.И., та інші
Опубліковано: (2007)

Влияние распределения примеси в базе на фотоэлектрические свойства поверхностно-барьерных УФ-фотоприемников
за авторством: Бобренко, Ю.Н., та інші
Опубліковано: (2012)

Получение поверхностно-барьерных структур на основе четырехкомпонентных твердых растворов А4В6
за авторством: Tkachuk, A. I., та інші
Опубліковано: (2007)

Новое поколение преобразователей "ток – напряжение" для измерения фотосигналов
за авторством: Butenko, V. K., та інші
Опубліковано: (2008)

Детекторы оптического сигнала на основе структур Au-nSi-Al, Au-nSi
за авторством: Yodgorova, D. M., та інші
Опубліковано: (2005)

Радиационные эффекты в арсенидгаллиевых поверхностно-барьерных структурах, возникающие под воздействием γ и β излучения
за авторством: Исмайлов, К.А., та інші
Опубліковано: (2001)

Высокочувствительный фотоприемник на основе германиевой двухбарьерной структуры с эффектом смыкания
за авторством: Abdulkhaev, O. A., та інші
Опубліковано: (2015)

Влияние распределения примеси в базе на фотоэлектрические свойства поверхностно-барьерных УФ-фотоприемников
за авторством: Bobrenko, Yu. N., та інші
Опубліковано: (2012)

Вольт-фарадные измерения в тонкопленочных эпитаксиальных структурах GaAs
за авторством: Gorev, N. B., та інші
Опубліковано: (2009)

Линии задержки в J-корреляционном методе пеленгации
за авторством: Sorochan, A. G.
Опубліковано: (2004)

Прогнозирование напряжения отсечки ионно-имплантированных полевых транзисторов с барьером Шоттки на GaAs
за авторством: Gorev, N. B., та інші
Опубліковано: (2007)

Деградационные превращения в топологически разупорядоченных твердых телах: 2. Мономолекулярная модель кинетики
за авторством: Balitskaya, V. A., та інші
Опубліковано: (2004)

Влияние облучения кремния низкоэнергетическими ионами аргона на образование в нем электрически активных дефектов
за авторством: Popov, V. M., та інші
Опубліковано: (2009)

Диагностика глубоких центров на границе пленка–подложка в тонкопленочных эпитаксиальных структурах GaAs
за авторством: Gorev, N. B., та інші
Опубліковано: (2010)

Конденсаторы на основе интеркалата GaSe
за авторством: Kovalyuk, Z. D., та інші
Опубліковано: (2010)

Влияние длительности спекания на микроструктуру и электрические свойства низковольтной варисторной керамики на основе оксида цинка
за авторством: Lyashkov, A. Yu.
Опубліковано: (2018)

Прогнозирование разброса параметров полевых транзисторов с барьером Шоттки на GaAs
за авторством: Gorev, N. B., та інші
Опубліковано: (2006)

Фотодиод ультрафиолетового диапазона на основе селенида цинка
за авторством: Perevertailo, V. L., та інші
Опубліковано: (2010)

Формирование дельта-легированного водородом p-слоя в природных и CVD-кристаллах алмаза
за авторством: Altukhov, A. A., та інші
Опубліковано: (2011)

Исследование фоточувствительности двухбарьерной pAlGaInAs-nGaAs:O-Au-структуры
за авторством: Бузруков, У. М.
Опубліковано: (2005)

Наноструктурированные антидиффузионные слои в контактах к широкозонным полупроводникам
за авторством: Kudryk, Ya. Ya.
Опубліковано: (2013)

Методика и установка для определения теплопроводности полупроводников с использованием лучистой энергии
за авторством: Gurbanniyazov, M. A., та інші
Опубліковано: (2011)

Свойства двойных гетеропереходов p+-InP/n-InGaAsP/n-InP, изготовленных методом жидкофазной эпитаксии
за авторством: Vakiv, N. M., та інші
Опубліковано: (2012)

ДОСЛІДЖЕННЯ ВПЛИВУ ВЕУ НА ВЕЛИЧИНУ СТРУМУ МІЖФАЗНОГО КОРОТКОГО ЗАМИКАННЯ ЧЕРЕЗ ЕКРАНИ КАБЕЛІВ МЕРЕЖІ ВЕС НАПРУГОЮ 10-35 кВ
за авторством: Буйний, Р.О., та інші
Опубліковано: (2020)

Интегральный оптоэлектронный коммутатор на ДМОП-транзисторах
за авторством: Politanskyy, L. F., та інші
Опубліковано: (2008)

Математическое моделирование напряженного состояния барьерных целиков
за авторством: Семенов, А.П., та інші
Опубліковано: (2001)

Повышение надежности диодов Шоттки при воздействии разрядов cтатического электричества
за авторством: Sоlоdukha, V. A., та інші
Опубліковано: (2012)

Тонкопленочные элементы кремниевых диодов Шоттки для высокотемпературного микромонтажа
за авторством: Baranov, V. V., та інші
Опубліковано: (2007)

Натуралізація інтродукованих деревних рослин у Кіровоградській області (на прикладі дендропарку у с. Новоселиця)
за авторством: Shynder, O. I.
Опубліковано: (2021)

Влияние слоя поликристаллического кремния на механизмы токопереноса в контактах «металл — p-кремний»
за авторством: Smyntyna, V. A., та інші
Опубліковано: (2011)

Особенности технологии изготовления и применения порошковых лент для наплавки
за авторством: Ворончук, А.П., та інші
Опубліковано: (2015)

Порошковые проволоки на мировом и региональных рынках сварочных материалов (Обзор)
за авторством: Мазур, А.А., та інші
Опубліковано: (2015)

Материалы и оборудование для наплавки ножей горячей резки металла
за авторством: Жудра, А.П., та інші
Опубліковано: (2015)