Buchumschlag

Спектры фоточувствительности поверхностно-барьерных структур Ni–n-GaAs

The results of a study of the photoresponse spectra of fabricated Ni–n-GaAs structures are presented in the photon energy range h=0.9–2.3 eV under illumination from the semitransparent nickel layer side. For the first time, it has been experimentally established that photons with energies of h=0.9–1...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Datum:	2008
Hauptverfasser:	Melebayew, D., Melebayewa, G. D., Rud, Yu. V., Rud, V. Yu.
Format:	Artikel
Sprache:	Ukrainisch
Veröffentlicht:	PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2008
Schlagworte:	металл – полупроводник фоточувствительность фототок короткого замыкания высота барьера Шоттки фаулеровская область спектра
Online Zugang:	https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2008.1.31
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:	Technology and design in electronic equipment

Institution

Technology and design in electronic equipment

Ähnliche Einträge

Новые возможности фотоэлектрического метода определения высоты барьера в структурах Au–n-GaAs
von: Melebayev, D., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Спектры фоточувствительности поверхностно-барьерных структур Ni–n–GaAs
von: Мелебаев, Д., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Эффект усиления фототока в фотодиодной структуре с прямо- и обратновключенными переходами
von: Yodgorova, D. M.
Veröffentlicht: (2010)

ЧИСЛЕННЫЙ РАСЧЕТ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ТОКОВ. МАГНИТНОГО ПОЛЯ И ЭЛЕКТРОДИНАЛОТЧЕ СКИХ СИЛ В СИЛОВОМ ТРАНСФОРМАТОРЕ В АВАРИЙНЫХ РЕЖИМАХ С ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ MATLAB/SIMULINK и COMSOL
von: Подольцев, А.Д., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Металлы с дырочной проводимостью в излучающих поверхностно-барьерных диодах
von: Гаркавенко, А.С.
Veröffentlicht: (2000)

Спектральная фоточувствительность Ni—Si:Au поверхностно-барьерных структур с инжекционным усилением
von: Курмашев, Ш.Д., et al.
Veröffentlicht: (2002)

Получение поверхностно-барьерных структур на основе четырехкомпонентных твердых растворов А⁴В⁶
von: Ткачук, А.И., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Получение поверхностно-барьерных структур на основе четырехкомпонентных твердых растворов А4В6
von: Tkachuk, A. I., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Высокочувствительный фотоприемник на основе германиевой двухбарьерной структуры с эффектом смыкания
von: Abdulkhaev, O. A., et al.
Veröffentlicht: (2015)

Новое поколение преобразователей "ток – напряжение" для измерения фотосигналов
von: Butenko, V. K., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Радиационные эффекты в арсенидгаллиевых поверхностно-барьерных структурах, возникающие под воздействием γ и β излучения
von: Исмайлов, К.А., et al.
Veröffentlicht: (2001)

Влияние распределения примеси в базе на фотоэлектрические свойства поверхностно-барьерных УФ-фотоприемников
von: Bobrenko, Yu. N., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Вольт-фарадные измерения в тонкопленочных эпитаксиальных структурах GaAs
von: Gorev, N. B., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Прогнозирование напряжения отсечки ионно-имплантированных полевых транзисторов с барьером Шоттки на GaAs
von: Gorev, N. B., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Влияние облучения кремния низкоэнергетическими ионами аргона на образование в нем электрически активных дефектов
von: Popov, V. M., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Диагностика глубоких центров на границе пленка–подложка в тонкопленочных эпитаксиальных структурах GaAs
von: Gorev, N. B., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Конденсаторы на основе интеркалата GaSe
von: Kovalyuk, Z. D., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Прогнозирование разброса параметров полевых транзисторов с барьером Шоттки на GaAs
von: Gorev, N. B., et al.
Veröffentlicht: (2006)

Наноструктурированные антидиффузионные слои в контактах к широкозонным полупроводникам
von: Kudryk, Ya. Ya.
Veröffentlicht: (2013)

Методика и установка для определения теплопроводности полупроводников с использованием лучистой энергии
von: Gurbanniyazov, M. A., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Фотодиод ультрафиолетового диапазона на основе селенида цинка
von: Perevertailo, V. L., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Формирование дельта-легированного водородом p-слоя в природных и CVD-кристаллах алмаза
von: Altukhov, A. A., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Свойства двойных гетеропереходов p+-InP/n-InGaAsP/n-InP, изготовленных методом жидкофазной эпитаксии
von: Vakiv, N. M., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Натуралізація інтродукованих деревних рослин у Кіровоградській області (на прикладі дендропарку у с. Новоселиця)
von: Shynder, O. I.
Veröffentlicht: (2021)

ДОСЛІДЖЕННЯ ВПЛИВУ ВЕУ НА ВЕЛИЧИНУ СТРУМУ МІЖФАЗНОГО КОРОТКОГО ЗАМИКАННЯ ЧЕРЕЗ ЕКРАНИ КАБЕЛІВ МЕРЕЖІ ВЕС НАПРУГОЮ 10-35 кВ
von: Буйний, Р.О., et al.
Veröffentlicht: (2020)

Интегральный оптоэлектронный коммутатор на ДМОП-транзисторах
von: Politanskyy, L. F., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Особенности технологии изготовления и применения порошковых лент для наплавки
von: Ворончук, А.П., et al.
Veröffentlicht: (2015)

Структура и свойства металла, наплавленного порошковой проволокой с шихтой из переработанных металлоабразивных отходов
von: Лентюгов, И.П., et al.
Veröffentlicht: (2015)

Двухслойные наплавочные композиции на основе наполнителя системы легирования Cr–Ti–C
von: Суховая, Е.В.
Veröffentlicht: (2015)

Новые электроды для ремонтной наплавки поврежденной облицовки камер рабочего колеса гидроагрегатов ГЭС
von: Ющенко, К.А., et al.
Veröffentlicht: (2015)

Влияние магнитно-импульсной обработки присадочных материалов на структуру наплавленного металла
von: Кусков, Ю.М., et al.
Veröffentlicht: (2015)

Порошковые проволоки на мировом и региональных рынках сварочных материалов (Обзор)
von: Мазур, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2015)

Влияние слоя поликристаллического кремния на механизмы токопереноса в контактах «металл — p-кремний»
von: Smyntyna, V. A., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Повышение надежности диодов Шоттки при воздействии разрядов cтатического электричества
von: Sоlоdukha, V. A., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Структура и свойства поверхности железнодорожных колеспосле восстановительной наплавки и эксплуатационного нагружения
von: Маркашова, Л.И., et al.
Veröffentlicht: (2015)

Влияние технологических параметров лазерного и лазерно-плазменнного легирования на свойства наплавленных слоев стали 38ХН3МФА
von: Маркашова, Л.И., et al.
Veröffentlicht: (2015)

Материалы и оборудование для наплавки ножей горячей резки металла
von: Жудра, А.П., et al.
Veröffentlicht: (2015)

Влияние легирования на физико-механические свойства плавленых карбидов вольфрама
von: Белый, А.И., et al.
Veröffentlicht: (2015)

Структура и износостойкость при абразивном изнашивании наплавленного металла, упрочненного карбидами различных типов
von: Рябцев, И.А., et al.
Veröffentlicht: (2015)

Сплавы на кобальтовой основе для наплавки
von: Росерт, Р.
Veröffentlicht: (2015)