Получение полуизолирующего кремния для высоковольтных приборов
The influence of deposition conditions on the nucleation process, structure, and electrophysical properties of oxygen‑doped polycrystalline silicon (ODPS) films has been investigated. At an oxygen content of 2.5–22.0 at.%, ODPS exhibits a quasi‑crystalline structure. The density of ODPS across the e...
Gespeichert in:
| Datum: | 2008 |
|---|---|
| 1. Verfasser: | |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Ukrainisch |
| Veröffentlicht: |
PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
2008
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2008.1.35 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Technology and design in electronic equipment |
Institution
Technology and design in electronic equipment| _version_ | 1856543941486182400 |
|---|---|
| author | Turtsevich, A. S. |
| author_facet | Turtsevich, A. S. |
| author_sort | Turtsevich, A. S. |
| baseUrl_str | |
| collection | OJS |
| datestamp_date | 2026-01-27T16:48:59Z |
| description | The influence of deposition conditions on the nucleation process, structure, and electrophysical properties of oxygen‑doped polycrystalline silicon (ODPS) films has been investigated. At an oxygen content of 2.5–22.0 at.%, ODPS exhibits a quasi‑crystalline structure. The density of ODPS across the entire studied range was found to be 2.2–2.3 g/cm³. An explanation of the obtained results is proposed based on a multi‑path deposition process in the SiH4–N2O system. The results have been applied to optimize the manufacturing processes of power electronics devices. |
| first_indexed | 2026-02-08T08:11:14Z |
| format | Article |
| id | oai:tkea.com.ua:article-791 |
| institution | Technology and design in electronic equipment |
| language | Ukrainian |
| last_indexed | 2026-02-08T08:11:14Z |
| publishDate | 2008 |
| publisher | PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers |
| record_format | ojs |
| spelling | oai:tkea.com.ua:article-7912026-01-27T16:48:59Z Production of semi‑insulating silicon for high‑voltage devices Получение полуизолирующего кремния для высоковольтных приборов Turtsevich, A. S. semi‑insulating silicon structure deposition nucleation полуизолирующий кремний структура зародышеобразование осаждение The influence of deposition conditions on the nucleation process, structure, and electrophysical properties of oxygen‑doped polycrystalline silicon (ODPS) films has been investigated. At an oxygen content of 2.5–22.0 at.%, ODPS exhibits a quasi‑crystalline structure. The density of ODPS across the entire studied range was found to be 2.2–2.3 g/cm³. An explanation of the obtained results is proposed based on a multi‑path deposition process in the SiH4–N2O system. The results have been applied to optimize the manufacturing processes of power electronics devices. Исследовано влияние условий осаждения на процесс зародышеобразования, структуру и электрофизические свойства пленок поликристаллического кремния, легированного кислородом (ПКЛК). При содержании кислорода 2,5–22,0 ат.% ПКЛК имеет квазикристаллическую структуру. Плотность ПКЛК во всем исследованном диапазоне составила 2,2–2,3 г/см3. Предложено объяснение полученных результатов на основе многомаршрутного процесса осаждения слоев в системе SiH4–N2O. Полученные результаты использованы для оптимизации процессов изготовления изделий силовой электроники. PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2008-02-28 Article Article Peer-reviewed Article application/pdf https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2008.1.35 Technology and design in electronic equipment; No. 1 (2008): Tekhnologiya i konstruirovanie v elektronnoi apparature; 35-41 Технологія та конструювання в електронній апаратурі; № 1 (2008): Технология и конструирование в электронной аппаратуре; 35-41 3083-6549 3083-6530 uk https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2008.1.35/716 Copyright (c) 2008 Turtsevich A. S. http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/ |
| spellingShingle | полуизолирующий кремний структура зародышеобразование осаждение Turtsevich, A. S. Получение полуизолирующего кремния для высоковольтных приборов |
| title | Получение полуизолирующего кремния для высоковольтных приборов |
| title_alt | Production of semi‑insulating silicon for high‑voltage devices |
| title_full | Получение полуизолирующего кремния для высоковольтных приборов |
| title_fullStr | Получение полуизолирующего кремния для высоковольтных приборов |
| title_full_unstemmed | Получение полуизолирующего кремния для высоковольтных приборов |
| title_short | Получение полуизолирующего кремния для высоковольтных приборов |
| title_sort | получение полуизолирующего кремния для высоковольтных приборов |
| topic | полуизолирующий кремний структура зародышеобразование осаждение |
| topic_facet | semi‑insulating silicon structure deposition nucleation полуизолирующий кремний структура зародышеобразование осаждение |
| url | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2008.1.35 |
| work_keys_str_mv | AT turtsevichas productionofsemiinsulatingsiliconforhighvoltagedevices AT turtsevichas polučeniepoluizoliruûŝegokremniâdlâvysokovolʹtnyhpriborov |