Зображення обкладинки

Получение полуизолирующего кремния для высоковольтных приборов

The influence of deposition conditions on the nucleation process, structure, and electrophysical properties of oxygen‑doped polycrystalline silicon (ODPS) films has been investigated. At an oxygen content of 2.5–22.0 at.%, ODPS exhibits a quasi‑crystalline structure. The density of ODPS across the e...

Повний опис

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Дата:	2008
Автор:	Turtsevich, A. S.
Формат:	Стаття
Мова:	Українська
Опубліковано:	PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2008
Теми:	полуизолирующий кремний структура зародышеобразование осаждение
Онлайн доступ:	https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2008.1.35
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Technology and design in electronic equipment

Репозитарії

Technology and design in electronic equipment

Схожі ресурси

Адсорбционно-кинетическая модель осаждения пленок поликристаллического кремния, легированных фосфором в процессе роста
за авторством: Nalivaiko, O. Yu., та інші
Опубліковано: (2009)

Получение пригодного для сенсорики пористого кремния методом неэлектролитического травления MacEtch
за авторством: Iatsunskyi, I. R.
Опубліковано: (2013)

Получение тонких пленок Si3N4 при пониженном давлении на пластинах диаметром до 200 мм
за авторством: Nalivaiko, O. Yu., та інші
Опубліковано: (2012)

Осаждение пленок борофосфоросиликатного стекла с использованием системы ТЭОС – диметилфосфит – триметилборат
за авторством: Turtsevich, A. S., та інші
Опубліковано: (2015)

Влияние слоя поликристаллического кремния на механизмы токопереноса в контактах «металл — p-кремний»
за авторством: Smyntyna, V. A., та інші
Опубліковано: (2011)

Влияние исходных дефектов на распределение механических напряжений и деформаций при окислении кремния
за авторством: Kulinich, O. A., та інші
Опубліковано: (2008)

Двухфункциональный датчик давления-температуры на основе нитевидных кристаллов кремния
за авторством: Druzhinin, A. A., та інші
Опубліковано: (2013)

Высокотемпературные датчики давления с тензорезисторами на основе нитевидных кристаллов кремния
за авторством: Druzhinin, A. A., та інші
Опубліковано: (2012)

Температурные поля в растущем кристалле «солнечного кремния»
за авторством: Kondrik, A. I., та інші
Опубліковано: (2012)

Электроосаждение конформных электродов для получения туннельного перехода с вакуумным нанозазором
за авторством: Djanghidze, L. B., та інші
Опубліковано: (2009)

Локальные свойства электрически активных дефектов в солнечных батареях на основе кремния
за авторством: Popov, V. M., та інші
Опубліковано: (2010)

Тензорезисторы для низких температур на основе нитевидных кристаллов кремния
за авторством: Druzhinin, A. A., та інші
Опубліковано: (2008)

Получение двухсторонних высоковольтных эпитаксиальных кремниевых p–i–n-структур методом ЖФЭ
за авторством: Vakiv, N. M., та інші
Опубліковано: (2013)

Разработка процесса глубокого плазменного травления кремния для технологии трехмерной интеграции кристаллов
за авторством: Golishnikov, А. А., та інші
Опубліковано: (2014)

Влияние термического окисления на анизотропию электропроводности и фотопроводимости наноструктурированного кремния
за авторством: Forsh, P. A., та інші
Опубліковано: (2009)

Повышение эффективности кремниевых солнечных элементов посредством нанопористого покрытия
за авторством: Dzhafarov, T. D., та інші
Опубліковано: (2012)

Получение эффективных катодолюминесцентных структур на базе пленочной технологии
за авторством: Kovalenko, L. F., та інші
Опубліковано: (2008)

Роль пластической деформации в получении нанокремния
за авторством: Smyntyna, V. A., та інші
Опубліковано: (2011)

Исследование влияния электронного облучения на кремниевые тензорезисторы
за авторством: Druzhinin, A. A., та інші
Опубліковано: (2010)

Методы и механизмы геттерирования кремниевых структур в производстве интегральных микросхем
за авторством: Pilipenko, V. A., та інші
Опубліковано: (2013)

Кремний мультипористой текстуры для фотоэлектрических преобразователей солнечной энергии
за авторством: Yerokhov, V. Yu., та інші
Опубліковано: (2009)

Радиационная стойкость нитевидных кристаллов SiGe, используемых для сенсоров физических величин
за авторством: Druzhinin, A. A., та інші
Опубліковано: (2011)

Формирование МОП-транзисторов с изоляцией активных элементов окисленным пористым кремнием
за авторством: Novosyadlyi, S. P., та інші
Опубліковано: (2009)

Система измерения магнитного поля и температуры с цифровой обработкой сигнала
за авторством: Druzhinin, A. A., та інші
Опубліковано: (2013)

Влияние облучения кремния низкоэнергетическими ионами аргона на образование в нем электрически активных дефектов
за авторством: Popov, V. M., та інші
Опубліковано: (2009)

Кинетика процессов осаждения пленок поликремния, легированного кислородом в процессе роста
за авторством: Nalivaiko, O. Yu., та інші
Опубліковано: (2012)

Повышение радиационной устойчивости кремниевых монокристаллических эпитаксиальных слоев
за авторством: Kurmashev, Sh. D., та інші
Опубліковано: (2014)

Низкоразмерные кристаллы кремния для фотоэлектрических преобразователей
за авторством: Druzhinin, A. A., та інші
Опубліковано: (2011)

Исследование рабочих характеристик тепловых труб для светодиодных осветительных приборов
за авторством: Lozovoi, M. A., та інші
Опубліковано: (2014)

Система управления тепловыми режимами электронных приборов
за авторством: Tsevukh, I. V., та інші
Опубліковано: (2016)

РАЗВИТИЕ ПРИНЦИПОВ ПОСТРОЕНИЯ ВЫСОКОВОЛЬТНЫХ ЦИФРО-АНАЛОГОВЫХ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЕЙ
за авторством: Таранов , С.Г., та інші
Опубліковано: (2014)

Симметричный двухкоординатный фотодиод
за авторством: Dobrovolskiy, Yu. G., та інші
Опубліковано: (2008)

Получение активных слоев InP в составе гетероструктур для диодов Ганна
за авторством: Vakiv, M. M., та інші
Опубліковано: (2010)

Приборно-технологическое моделирование автоэмиссионных кремниевых микрокатодов
за авторством: Druzhynin, А. A., та інші
Опубліковано: (2008)

ИССЛЕДОВАНИЕ МАГНИТНОГО ПОЛЯ ВЫСОКОВОЛЬТНЫХ ЛИНИЙ ЭЛЕКТРОПЕРЕДАЧИ ПЕРЕМЕННОГО ТОКА
за авторством: Розов, В.Ю., та інші
Опубліковано: (2012)

ПОВЫШЕНИЕ ЭФФЕКТИВНОСТИ ВЫСОКОВОЛЬТНЫХ ЭЛЕКТРОРАЗРЯДНЫХ УСТАНОВОК, ИСПОЛЬЗУЮЩИХ ЭКЗОТЕРМИЧЕСКИЕ ДИСПЕРСНЫЕ СРЕДЫ
за авторством: Вовченко , А.И., та інші
Опубліковано: (2019)

ПОВЫШЕНИЕ ЭФФЕКТИВНОСТИ КОНТУРНОГО ЭКРАНИРОВАНИЯ МАГНИТНОГО ПОЛЯ ВЫСОКОВОЛЬТНЫХ КАБЕЛЬНЫХ ЛИНИЙ
за авторством: Розов, В.Ю., та інші
Опубліковано: (2016)

Классификация методов измерения вольт-амперных характеристик полупроводниковых приборов
за авторством: Iermolenko, Ia. O.
Опубліковано: (2014)

Малошумящие усилители на основе SiGe-HBT для сверхширокополосных систем
за авторством: Popov, V. P., та інші
Опубліковано: (2013)

ОЦЕНКА РЕСУРСА ВЫСОКОВОЛЬТНЫХ КОНДЕНСАТОРОВ ПО РЕЗУЛЬТАТАМ ИСПЫТАНИЙ НА ПЕРЕМЕННОМ НАПРЯЖЕНИИ
за авторством: Бутко, С.М., та інші
Опубліковано: (2012)