Методы удаления дефектов, возникающих при жидкостном травлении поверхности поликристаллического кремния
A model of defect formation in the form of spots on the surface of polycrystalline silicon during the processing of semiconductor wafers in an etchant based on hydrofluoric acid is considered, as well as a model of defect removal in chemical solutions. The influence of centrifuge rotation speed duri...
Збережено в:
| Дата: | 2008 |
|---|---|
| Автори: | , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Українська |
| Опубліковано: |
PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
2008
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2008.1.42 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Technology and design in electronic equipment |
Репозитарії
Technology and design in electronic equipment| _version_ | 1856543941248155648 |
|---|---|
| author | Ivanchykou, A. E. Kisel, A. М. Medvedeva, А. V. Plebanovich, B. I. |
| author_facet | Ivanchykou, A. E. Kisel, A. М. Medvedeva, А. V. Plebanovich, B. I. |
| author_sort | Ivanchykou, A. E. |
| baseUrl_str | |
| collection | OJS |
| datestamp_date | 2026-01-27T16:48:59Z |
| description | A model of defect formation in the form of spots on the surface of polycrystalline silicon during the processing of semiconductor wafers in an etchant based on hydrofluoric acid is considered, as well as a model of defect removal in chemical solutions. The influence of centrifuge rotation speed during drying and the relief of structures created on the wafer on the number of defects has been investigated. The possibility of defect removal by chemical treatment in peroxide–ammonia solutions (PAS), or by a sequence of chemical cleaning operations in a Caro’s mixture and PAS, as well as by SiO₂ etching, has been demonstrated. |
| first_indexed | 2026-02-08T08:11:13Z |
| format | Article |
| id | oai:tkea.com.ua:article-792 |
| institution | Technology and design in electronic equipment |
| language | Ukrainian |
| last_indexed | 2026-02-08T08:11:13Z |
| publishDate | 2008 |
| publisher | PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers |
| record_format | ojs |
| spelling | oai:tkea.com.ua:article-7922026-01-27T16:48:59Z Methods for removing defects arising during wet etching of polycrystalline silicon surface Методы удаления дефектов, возникающих при жидкостном травлении поверхности поликристаллического кремния Ivanchykou, A. E. Kisel, A. М. Medvedeva, А. V. Plebanovich, B. I. semiconductor device fabrication chemical cleaning polysilicon surface spot-type defects производство полупроводниковых приборов химочистка дефекты в виде пятен A model of defect formation in the form of spots on the surface of polycrystalline silicon during the processing of semiconductor wafers in an etchant based on hydrofluoric acid is considered, as well as a model of defect removal in chemical solutions. The influence of centrifuge rotation speed during drying and the relief of structures created on the wafer on the number of defects has been investigated. The possibility of defect removal by chemical treatment in peroxide–ammonia solutions (PAS), or by a sequence of chemical cleaning operations in a Caro’s mixture and PAS, as well as by SiO₂ etching, has been demonstrated. Рассмотрены модель возникновения дефектов в виде пятен на поверхности поликристаллического кремния при обработке полупроводниковых пластин в травителе на основе фтороводородной кислоты, а также модель удаления этих дефектов в растворах химикатов. Исследовано влияние на количество дефектов скорости вращения центрифуги во время сушки и рельефа структур, создаваемых на пластине. Показана возможность удаления дефектов методом химической обработки в перекисно-аммиачных растворах (ПАР) или при помощи последовательности операций химической очистки в смеси Каро и в ПАР, а также травления SiO2. PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2008-02-28 Article Article Peer-reviewed Article application/pdf https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2008.1.42 Technology and design in electronic equipment; No. 1 (2008): Tekhnologiya i konstruirovanie v elektronnoi apparature; 42-47 Технологія та конструювання в електронній апаратурі; № 1 (2008): Технология и конструирование в электронной аппаратуре; 42-47 3083-6549 3083-6530 uk https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2008.1.42/717 Copyright (c) 2008 Ivanchykou A. E., Kisel A. M., Medvedeva A. B., Plebanovich B. I. http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/ |
| spellingShingle | производство полупроводниковых приборов химочистка дефекты в виде пятен Ivanchykou, A. E. Kisel, A. М. Medvedeva, А. V. Plebanovich, B. I. Методы удаления дефектов, возникающих при жидкостном травлении поверхности поликристаллического кремния |
| title | Методы удаления дефектов, возникающих при жидкостном травлении поверхности поликристаллического кремния |
| title_alt | Methods for removing defects arising during wet etching of polycrystalline silicon surface |
| title_full | Методы удаления дефектов, возникающих при жидкостном травлении поверхности поликристаллического кремния |
| title_fullStr | Методы удаления дефектов, возникающих при жидкостном травлении поверхности поликристаллического кремния |
| title_full_unstemmed | Методы удаления дефектов, возникающих при жидкостном травлении поверхности поликристаллического кремния |
| title_short | Методы удаления дефектов, возникающих при жидкостном травлении поверхности поликристаллического кремния |
| title_sort | методы удаления дефектов, возникающих при жидкостном травлении поверхности поликристаллического кремния |
| topic | производство полупроводниковых приборов химочистка дефекты в виде пятен |
| topic_facet | semiconductor device fabrication chemical cleaning polysilicon surface spot-type defects производство полупроводниковых приборов химочистка дефекты в виде пятен |
| url | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2008.1.42 |
| work_keys_str_mv | AT ivanchykouae methodsforremovingdefectsarisingduringwetetchingofpolycrystallinesiliconsurface AT kiselam methodsforremovingdefectsarisingduringwetetchingofpolycrystallinesiliconsurface AT medvedevaav methodsforremovingdefectsarisingduringwetetchingofpolycrystallinesiliconsurface AT plebanovichbi methodsforremovingdefectsarisingduringwetetchingofpolycrystallinesiliconsurface AT ivanchykouae metodyudaleniâdefektovvoznikaûŝihprižidkostnomtravleniipoverhnostipolikristalličeskogokremniâ AT kiselam metodyudaleniâdefektovvoznikaûŝihprižidkostnomtravleniipoverhnostipolikristalličeskogokremniâ AT medvedevaav metodyudaleniâdefektovvoznikaûŝihprižidkostnomtravleniipoverhnostipolikristalličeskogokremniâ AT plebanovichbi metodyudaleniâdefektovvoznikaûŝihprižidkostnomtravleniipoverhnostipolikristalličeskogokremniâ |