Диффузия фосфора с применением твердого планарного источника в производстве интегральных схем

The results of the development and implementation of a basic phosphorus diffusion process for the formation of the active region of a power silicon transistor are presented. It is shown that the obtained optimal technological regimes of phosphorus diffusion using a solid planar source make it possib...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Дата:2008
Автор: Shangereeva, B. A.
Формат: Стаття
Мова:Українська
Опубліковано: PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2008
Теми:
Онлайн доступ:https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2008.1.54
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Technology and design in electronic equipment

Репозитарії

Technology and design in electronic equipment

Схожі ресурси