Моделювання фотодіодної структури на основі гетеропереходу ZnO/Si

In this work, a self-powered photodetector based on a bulk ZnO/Si p–n heterojunction is numerically investigated and analyzed using the Solar Cell Capacitance Simulator in One Dimension (SCAPS-1D). The energy band diagram, electron-hole generation and recombination rates, current-voltage (J–V) chara...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Опубліковано в:Технологія та конструювання в електронній апаратурі
Дата:2026
Випуск:1
Сторінки:17-31
ISSN:3083-6549
Автори та афіліації:
  • Ihor Virt — Ivan Franko State Pedagogical University of Drogobych, Ukraine — ORCID: 0000-0001-7200-6055
  • Ivan Padalka — Ivan Franko State Pedagogical University of Drogobych, Ukraine
Автори: Virt, Ihor, Padalka, Ivan
Формат: Стаття
Мова:Англійська
Опубліковано: PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2026
Теми:
Онлайн доступ:https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2026.1.17
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Technology and design in electronic equipment
Завантажити файл: Pdf

Репозитарії

Technology and design in electronic equipment

Схожі ресурси