Моделювання фотодіодної структури на основі гетеропереходу ZnO/Si

• Veröffentlicht in: Технологія та конструювання в електронній апаратурі
• Datum: 2026
• Heft: 1
• Сторінки: 17-31
• ISSN: 3083-6549
• Автори та афіліації: Ihor Virt — Ivan Franko State Pedagogical University of Drogobych, Ukraine — ORCID: 0000-0001-7200-6055; Ivan Padalka — Ivan Franko State Pedagogical University of Drogobych, Ukraine
• Hauptverfasser: Virt, Ihor, Padalka, Ivan
• Format: Artikel
• Sprache: Englisch
• Veröffentlicht: PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2026
• Schlagworte: фотоелемент; фотодетектор; числове моделювання; матеріал електронного транспорту (ЕТM); ZnO; гетероструктура; програма SCAPS-1D
• Online Zugang: https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2026.1.17
• Назва журналу: Technology and design in electronic equipment

In this work, a self-powered photodetector based on a bulk ZnO/Si p–n heterojunction is numerically investigated and analyzed using the Solar Cell Capacitance Simulator in One Dimension (SCAPS-1D). The energy band diagram, electron-hole generation and recombination rates, current-voltage (J–V) chara...