Прогнозирование напряжения отсечки ионно-имплантированных полевых транзисторов с барьером Шоттки на GaAs
It is shown that the threshold voltage of a GaAs ion-implanted metal–semiconductor field-effect transistor corresponds, with good accuracy, to the voltage at which an inflection point appears in the capacitance–voltage characteristic. A method is proposed for predicting the threshold voltage of ion-...
Gespeichert in:
| Datum: | 2007 |
|---|---|
| Hauptverfasser: | , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Ukrainisch |
| Veröffentlicht: |
PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
2007
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2007.6.03 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Technology and design in electronic equipment |
Institution
Technology and design in electronic equipment| _version_ | 1859471938092531712 |
|---|---|
| author | Gorev, N. B. Kodzhespirova, I. F. Privalov, E. N. |
| author_facet | Gorev, N. B. Kodzhespirova, I. F. Privalov, E. N. |
| author_sort | Gorev, N. B. |
| baseUrl_str | |
| collection | OJS |
| datestamp_date | 2026-03-10T19:38:07Z |
| description | It is shown that the threshold voltage of a GaAs ion-implanted metal–semiconductor field-effect transistor corresponds, with good accuracy, to the voltage at which an inflection point appears in the capacitance–voltage characteristic. A method is proposed for predicting the threshold voltage of ion-implanted field-effect transistors using capacitance–voltage measurements prior to contact formation.
|
| first_indexed | 2026-03-12T15:50:28Z |
| format | Article |
| id | oai:tkea.com.ua:article-803 |
| institution | Technology and design in electronic equipment |
| keywords_txt_mv | keywords |
| language | Ukrainian |
| last_indexed | 2026-03-12T15:50:28Z |
| publishDate | 2007 |
| publisher | PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers |
| record_format | ojs |
| spelling | oai:tkea.com.ua:article-8032026-03-10T19:38:07Z Prediction of the threshold voltage of GaAs ion-implanted metal-semiconductor field-effect transistors Прогнозирование напряжения отсечки ионно-имплантированных полевых транзисторов с барьером Шоттки на GaAs Gorev, N. B. Kodzhespirova, I. F. Privalov, E. N. gallium arsenide field-effect transistor Schottky barrier threshold voltage capacitance–voltage characteristic арсенид галлия полевой транзистор барьер Шоттки напряжение отсечки вольт-фарадная характеристика It is shown that the threshold voltage of a GaAs ion-implanted metal–semiconductor field-effect transistor corresponds, with good accuracy, to the voltage at which an inflection point appears in the capacitance–voltage characteristic. A method is proposed for predicting the threshold voltage of ion-implanted field-effect transistors using capacitance–voltage measurements prior to contact formation. Показано, что напряжение отсечки ионно-имплантированного полевого транзистора с барьером Шоттки (ПТШ) на GaAs с хорошей точностью соответствует напряжению, при котором на вольт-фарадной характеристике появляется точка перегиба. Предложен метод прогнозирования напряжения отсечки ионно-имплантированных ПТШ с помощью вольт-фарадных измерений до нанесения контактов. PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2007-12-30 Article Article Peer-reviewed Article application/pdf https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2007.6.03 Technology and design in electronic equipment; No. 6 (2007): Tekhnologiya i konstruirovanie v elektronnoi apparature; 3-5 Технологія та конструювання в електронній апаратурі; № 6 (2007): Технология и конструирование в электронной аппаратуре; 3-5 3083-6549 3083-6530 uk https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2007.6.03/726 Copyright (c) 2007 Gorev N. B., Kodzhespirova I. F., Privalov E. N. http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/ |
| spellingShingle | арсенид галлия полевой транзистор барьер Шоттки напряжение отсечки вольт-фарадная характеристика Gorev, N. B. Kodzhespirova, I. F. Privalov, E. N. Прогнозирование напряжения отсечки ионно-имплантированных полевых транзисторов с барьером Шоттки на GaAs |
| title | Прогнозирование напряжения отсечки ионно-имплантированных полевых транзисторов с барьером Шоттки на GaAs |
| title_alt | Prediction of the threshold voltage of GaAs ion-implanted metal-semiconductor field-effect transistors |
| title_full | Прогнозирование напряжения отсечки ионно-имплантированных полевых транзисторов с барьером Шоттки на GaAs |
| title_fullStr | Прогнозирование напряжения отсечки ионно-имплантированных полевых транзисторов с барьером Шоттки на GaAs |
| title_full_unstemmed | Прогнозирование напряжения отсечки ионно-имплантированных полевых транзисторов с барьером Шоттки на GaAs |
| title_short | Прогнозирование напряжения отсечки ионно-имплантированных полевых транзисторов с барьером Шоттки на GaAs |
| title_sort | прогнозирование напряжения отсечки ионно-имплантированных полевых транзисторов с барьером шоттки на gaas |
| topic | арсенид галлия полевой транзистор барьер Шоттки напряжение отсечки вольт-фарадная характеристика |
| topic_facet | gallium arsenide field-effect transistor Schottky barrier threshold voltage capacitance–voltage characteristic арсенид галлия полевой транзистор барьер Шоттки напряжение отсечки вольт-фарадная характеристика |
| url | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2007.6.03 |
| work_keys_str_mv | AT gorevnb predictionofthethresholdvoltageofgaasionimplantedmetalsemiconductorfieldeffecttransistors AT kodzhespirovaif predictionofthethresholdvoltageofgaasionimplantedmetalsemiconductorfieldeffecttransistors AT privaloven predictionofthethresholdvoltageofgaasionimplantedmetalsemiconductorfieldeffecttransistors AT gorevnb prognozirovanienaprâženiâotsečkiionnoimplantirovannyhpolevyhtranzistorovsbarʹeromšottkinagaas AT kodzhespirovaif prognozirovanienaprâženiâotsečkiionnoimplantirovannyhpolevyhtranzistorovsbarʹeromšottkinagaas AT privaloven prognozirovanienaprâženiâotsečkiionnoimplantirovannyhpolevyhtranzistorovsbarʹeromšottkinagaas |