Оптимизация распределения концентрации носителей по толщине эпитаксиальных слоев
A piston-type device for liquid-phase epitaxy of AIIIBV semiconductor compounds has been modified. The possibility of controlling the impurity concentration gradient, which creates internal electric fields in the photodetecting and active regions of semiconductor structures, is demonstrated. This c...
Збережено в:
| Дата: | 2007 |
|---|---|
| Автори: | , , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Українська |
| Опубліковано: |
PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
2007
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2007.6.57 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Technology and design in electronic equipment |
Репозитарії
Technology and design in electronic equipment| _version_ | 1859471941717458944 |
|---|---|
| author | Karimov, A. V. Yodgorova, D. M. Giyasova, F. A. Saidova, R. A. Haydarov, Sh. A. |
| author_facet | Karimov, A. V. Yodgorova, D. M. Giyasova, F. A. Saidova, R. A. Haydarov, Sh. A. |
| author_sort | Karimov, A. V. |
| baseUrl_str | |
| collection | OJS |
| datestamp_date | 2026-03-10T19:38:07Z |
| description |
A piston-type device for liquid-phase epitaxy of AIIIBV semiconductor compounds has been modified. The possibility of controlling the impurity concentration gradient, which creates internal electric fields in the photodetecting and active regions of semiconductor structures, is demonstrated. This control is achieved by selecting the appropriate extrusion pattern of the solution–melt.
|
| first_indexed | 2026-03-12T15:50:32Z |
| format | Article |
| id | oai:tkea.com.ua:article-813 |
| institution | Technology and design in electronic equipment |
| keywords_txt_mv | keywords |
| language | Ukrainian |
| last_indexed | 2026-03-12T15:50:32Z |
| publishDate | 2007 |
| publisher | PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers |
| record_format | ojs |
| spelling | oai:tkea.com.ua:article-8132026-03-10T19:38:07Z Optimization of carrier concentration distribution across epitaxial layer thickness Оптимизация распределения концентрации носителей по толщине эпитаксиальных слоев Karimov, A. V. Yodgorova, D. M. Giyasova, F. A. Saidova, R. A. Haydarov, Sh. A. liquid-phase epitaxy AIII–BV semiconductors piston device impurity concentration gradient internal electric fields жидкостная эпитаксия полупроводники AIII–BV поршневое устройство градиент концентрации примесей внутренние электрические поля A piston-type device for liquid-phase epitaxy of AIIIBV semiconductor compounds has been modified. The possibility of controlling the impurity concentration gradient, which creates internal electric fields in the photodetecting and active regions of semiconductor structures, is demonstrated. This control is achieved by selecting the appropriate extrusion pattern of the solution–melt. Модифицировано поршневое устройство для жидкостной эпитаксии полупроводниковых соединений типа АIIIВV. Показана возможность управления градиентом концентрации примесей, создающим внутренние электрические поля в фотоприемной и активной областях полупроводниковых структур, путем выбора закономерности выдавливания раствора-расплава. PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2007-12-30 Article Article Peer-reviewed Article application/pdf https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2007.6.57 Technology and design in electronic equipment; No. 6 (2007): Tekhnologiya i konstruirovanie v elektronnoi apparature; 57-61 Технологія та конструювання в електронній апаратурі; № 6 (2007): Технология и конструирование в электронной аппаратуре; 57-61 3083-6549 3083-6530 uk https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2007.6.57/736 Copyright (c) 2007 Karimov A. V., Yodgorova D. M., Giyasova F. A., Saidova R. A., Haydarov Sh. A. http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/ |
| spellingShingle | жидкостная эпитаксия полупроводники AIII–BV поршневое устройство градиент концентрации примесей внутренние электрические поля Karimov, A. V. Yodgorova, D. M. Giyasova, F. A. Saidova, R. A. Haydarov, Sh. A. Оптимизация распределения концентрации носителей по толщине эпитаксиальных слоев |
| title | Оптимизация распределения концентрации носителей по толщине эпитаксиальных слоев |
| title_alt | Optimization of carrier concentration distribution across epitaxial layer thickness |
| title_full | Оптимизация распределения концентрации носителей по толщине эпитаксиальных слоев |
| title_fullStr | Оптимизация распределения концентрации носителей по толщине эпитаксиальных слоев |
| title_full_unstemmed | Оптимизация распределения концентрации носителей по толщине эпитаксиальных слоев |
| title_short | Оптимизация распределения концентрации носителей по толщине эпитаксиальных слоев |
| title_sort | оптимизация распределения концентрации носителей по толщине эпитаксиальных слоев |
| topic | жидкостная эпитаксия полупроводники AIII–BV поршневое устройство градиент концентрации примесей внутренние электрические поля |
| topic_facet | liquid-phase epitaxy AIII–BV semiconductors piston device impurity concentration gradient internal electric fields жидкостная эпитаксия полупроводники AIII–BV поршневое устройство градиент концентрации примесей внутренние электрические поля |
| url | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2007.6.57 |
| work_keys_str_mv | AT karimovav optimizationofcarrierconcentrationdistributionacrossepitaxiallayerthickness AT yodgorovadm optimizationofcarrierconcentrationdistributionacrossepitaxiallayerthickness AT giyasovafa optimizationofcarrierconcentrationdistributionacrossepitaxiallayerthickness AT saidovara optimizationofcarrierconcentrationdistributionacrossepitaxiallayerthickness AT haydarovsha optimizationofcarrierconcentrationdistributionacrossepitaxiallayerthickness AT karimovav optimizaciâraspredeleniâkoncentraciinositelejpotolŝineépitaksialʹnyhsloev AT yodgorovadm optimizaciâraspredeleniâkoncentraciinositelejpotolŝineépitaksialʹnyhsloev AT giyasovafa optimizaciâraspredeleniâkoncentraciinositelejpotolŝineépitaksialʹnyhsloev AT saidovara optimizaciâraspredeleniâkoncentraciinositelejpotolŝineépitaksialʹnyhsloev AT haydarovsha optimizaciâraspredeleniâkoncentraciinositelejpotolŝineépitaksialʹnyhsloev |