Оптимизация распределения концентрации носителей по толщине эпитаксиальных слоев
A piston-type device for liquid-phase epitaxy of AIIIBV semiconductor compounds has been modified. The possibility of controlling the impurity concentration gradient, which creates internal electric fields in the photodetecting and active regions of semiconductor structures, is demonstrated. This c...
Збережено в:
| Дата: | 2007 |
|---|---|
| Автори: | , , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Українська |
| Опубліковано: |
PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
2007
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2007.6.57 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Technology and design in electronic equipment |