Buchumschlag

Оптимизация распределения концентрации носителей по толщине эпитаксиальных слоев

A piston-type device for liquid-phase epitaxy of AIIIBV semiconductor compounds has been modified. The possibility of controlling the impurity concentration gradient, which creates internal electric fields in the photodetecting and active regions of semiconductor structures, is demonstrated. This c...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Datum:	2007
Hauptverfasser:	Karimov, A. V., Yodgorova, D. M., Giyasova, F. A., Saidova, R. A., Haydarov, Sh. A.
Format:	Artikel
Sprache:	Ukrainisch
Veröffentlicht:	PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2007
Schlagworte:	жидкостная эпитаксия полупроводники AIII–BV поршневое устройство градиент концентрации примесей внутренние электрические поля
Online Zugang:	https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2007.6.57
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:	Technology and design in electronic equipment

Institution

Technology and design in electronic equipment

Ähnliche Einträge

Комбинированный способ выращивания эпитаксиальных слоев полупроводниковых соединений A³B⁵
von: Yodgorova, D. M., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Оптимизация распределения концентрации носителей по толщине эпитаксиальных слоев
von: Каримов, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Корреляция параметров арсенид-галлиевых эпитаксиальных слоев и технологии их выращивания
von: Karimov, A. V., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Физико-технологические основы получения резкого p–n-перехода
von: Karimov, A. V., et al.
Veröffentlicht: (2006)

Получение двухсторонних высоковольтных эпитаксиальных кремниевых p–i–n-структур методом ЖФЭ
von: Vakiv, N. M., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Сетевая система контроля технологического процесса выращивания полупроводниковых кристаллов и тонких пленок
von: Rogov, R. V., et al.
Veröffentlicht: (2005)

Моделирование свойств CdZnTe и параметров детекторов γ-излучения на его основе
von: Kondrik, A. I.
Veröffentlicht: (2004)

Моделирование низкочастотных соединителей для применения в высокочастотных цепях
von: Efimenko, A. A., et al.
Veröffentlicht: (2004)

НЕВУЗЛОВІ ПАРАМЕТРИ І АДЕКВАТНІ МОДЕЛІ СЕРЕНДИПОВИХ ЕЛЕМЕНТІВ
von: Хомченко, Анатолий Никифорович, et al.
Veröffentlicht: (2012)

Метод жидкофазной эпитаксии толстых слоев
von: Dranchuk, S. N., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Формирование резких границ раздела в эпитаксиальных структурах p+-AlGaAs/n-GaAs методом МОС-гидридной эпитаксии
von: Vakiv, N. M., et al.
Veröffentlicht: (2014)

Светоизлучающие диоды белого света: состояние и основные тенденции развития
von: Struhljak, N. Ja., et al.
Veröffentlicht: (2006)

Температурное поле в кристалле иттрий-алюминиевого граната при двухстадийном выращивании
von: Kovtun, G. P., et al.
Veröffentlicht: (2005)

Некоторые особенности фотоэлектрических характеристик двухбазовой Ag–N⁰Al₀.₂Ga₀.₈As–n⁺GaAs–n⁰Ga₀.₉In₀.₁As–Au-структуры
von: Yodgorova, D. M., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Аномальный фотовольтаический эффект в структуре с барьером Шоттки – Мотта
von: Karimov, A. V., et al.
Veröffentlicht: (2008)

СПОСОБИ ЛОКАЛІЗАЦІЇ І ІДЕНТИФІКАЦІЇ ЕЛЕМЕНТІВ ЕЛЕКТРИЧНИХ ПРИСТРОЇВ В ЗАДАЧАХ ДІАГНОСТИКИ
von: Верлань, Андрей Анатольевич
Veröffentlicht: (2012)

КЛАСТЕР ХАОТИЧЕСКИХ КОЛЕБАНИЙ
von: Жуйков , В.Я., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Зависимость свойств толстопленочных терморезисторов от состава базовой шпинели
von: Hadzaman, I. V., et al.
Veröffentlicht: (2005)

Повышение радиационной устойчивости кремниевых монокристаллических эпитаксиальных слоев
von: Kurmashev, Sh. D., et al.
Veröffentlicht: (2014)

Формирование МОП-транзисторов с изоляцией активных элементов окисленным пористым кремнием
von: Novosyadlyi, S. P., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Обобщенный теоретический подход к анализу газофазных процессов эпитаксии
von: Voronin, V. O., et al.
Veröffentlicht: (2006)

Исследование свойств пленок нитрида и оксида кремния, полученных методом плазмохимического осаждения на кремниевую подложку
von: Rubtsevich, I. I., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Spectral photosensitivity of the m-n⁰-n structure on the basis of epitaxial layers
von: Yodgorova, D.M., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Предэпитаксиальная обработка подложек GaSb для жидкофазного выращивания гомоэпитаксиальных слоев
von: Andronova, О. V., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Алмазные многоэлементные фотоприемные устройства УФ-диапазона
von: Altukhov, A. A., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Умножитель/делитель с повышенным быстродействием
von: Sinegub, N. I.
Veröffentlicht: (2009)

Свойства эпитаксиальных слоев GaAs, легированных редкоземельными элементами
von: Круковский, С.И., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Свойства эпитаксиальных слоев GaAs, легированных редкоземельными элементами
von: Krukovsky, S. I., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Повышение радиационной устойчивости кремниевых монокристаллических эпитаксиальных слоев
von: Курмашев, Ш.Д., et al.
Veröffentlicht: (2014)

Гибридная интегральная схема для обработки звукового сигнала
von: Koval’chuk, V. A., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Тонкопленочные элементы кремниевых диодов Шоттки для высокотемпературного микромонтажа
von: Baranov, V. V., et al.
Veröffentlicht: (2007)

ВПЛИВ ІНОКУЛЯНТІВ І ПЕСТИЦИДІВ НА РОЗВИТОК БОБОВО-РИЗОБІАЛЬНОГО СИМБІОЗУ ТА ПРОДУКТИВНІСТЬ ЗЕРНОБОБОВИХ РОСЛИН
von: Сафронова , Г.В., et al.
Veröffentlicht: (2007)

УПРАВЛЯЕМОЕ ФИЛЬТРОКОМПЕНСИРУЮЩЕЕ УСТРОЙСТВО ДЛЯ АВТОНОМНОЙ ЭЛЕКТРОЭНЕРГЕТИЧЕСКОЙ СИСТЕМЫ С МОЩНЫМИ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЯМИ
von: Жук, А.К., et al.
Veröffentlicht: (2016)

Радиоволновое охранное устройство на излучающем кабеле
von: Prudyus, I. N., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Алгоритмическая фильтрация помех методом α-усеченного среднего в устройствах преобразования «угол–код»
von: Gordiyenko, V. I., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Свойства двойных гетеропереходов p+-InP/n-InGaAsP/n-InP, изготовленных методом жидкофазной эпитаксии
von: Vakiv, N. M., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Получение поверхностно-барьерных структур на основе четырехкомпонентных твердых растворов А4В6
von: Tkachuk, A. I., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Электропроводящие тонкие пленки для BaCuTeF прозрачных контактов в полупроводниковой электронике
von: Hotra, Z. Yu., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Комбинированный способ выращивания эпитаксиальных слоев полупроводниковых соединений А³В⁵
von: Ёдгорова, Д.М., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Получение, свойства и применение тонких нанонеоднородных пленок Ge на GaAs-подложках
von: Venger, E. F., et al.
Veröffentlicht: (2014)