Оптимизация распределения концентрации носителей по толщине эпитаксиальных слоев
A piston-type device for liquid-phase epitaxy of AIIIBV semiconductor compounds has been modified. The possibility of controlling the impurity concentration gradient, which creates internal electric fields in the photodetecting and active regions of semiconductor structures, is demonstrated. This c...
Збережено в:
| Дата: | 2007 |
|---|---|
| Автори: | , , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Українська |
| Опубліковано: |
PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
2007
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2007.6.57 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Technology and design in electronic equipment |
Репозитарії
Technology and design in electronic equipmentСхожі ресурси
Комбинированный способ выращивания эпитаксиальных слоев полупроводниковых соединений A³B⁵
за авторством: Yodgorova, D. M., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Yodgorova, D. M., та інші
Опубліковано: (2007)
Оптимизация распределения концентрации носителей по толщине эпитаксиальных слоев
за авторством: Каримов, А.В., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Каримов, А.В., та інші
Опубліковано: (2007)
Корреляция параметров арсенид-галлиевых эпитаксиальных слоев и технологии их выращивания
за авторством: Karimov, A. V., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Karimov, A. V., та інші
Опубліковано: (2009)
Получение двухсторонних высоковольтных эпитаксиальных кремниевых p–i–n-структур методом ЖФЭ
за авторством: Vakiv, N. M., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Vakiv, N. M., та інші
Опубліковано: (2013)
Формирование резких границ раздела в эпитаксиальных структурах p+-AlGaAs/n-GaAs методом МОС-гидридной эпитаксии
за авторством: Vakiv, N. M., та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Vakiv, N. M., та інші
Опубліковано: (2014)
Метод жидкофазной эпитаксии толстых слоев
за авторством: Dranchuk, S. N., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Dranchuk, S. N., та інші
Опубліковано: (2013)
НЕВУЗЛОВІ ПАРАМЕТРИ І АДЕКВАТНІ МОДЕЛІ СЕРЕНДИПОВИХ ЕЛЕМЕНТІВ
за авторством: Хомченко, Анатолий Никифорович, та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Хомченко, Анатолий Никифорович, та інші
Опубліковано: (2012)
Повышение радиационной устойчивости кремниевых монокристаллических эпитаксиальных слоев
за авторством: Kurmashev, Sh. D., та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Kurmashev, Sh. D., та інші
Опубліковано: (2014)
СПОСОБИ ЛОКАЛІЗАЦІЇ І ІДЕНТИФІКАЦІЇ ЕЛЕМЕНТІВ ЕЛЕКТРИЧНИХ ПРИСТРОЇВ В ЗАДАЧАХ ДІАГНОСТИКИ
за авторством: Верлань, Андрей Анатольевич
Опубліковано: (2012)
за авторством: Верлань, Андрей Анатольевич
Опубліковано: (2012)
КЛАСТЕР ХАОТИЧЕСКИХ КОЛЕБАНИЙ
за авторством: Жуйков , В.Я., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Жуйков , В.Я., та інші
Опубліковано: (2013)
Формирование МОП-транзисторов с изоляцией активных элементов окисленным пористым кремнием
за авторством: Novosyadlyi, S. P., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Novosyadlyi, S. P., та інші
Опубліковано: (2009)
Некоторые особенности фотоэлектрических характеристик двухбазовой Ag–N⁰Al₀.₂Ga₀.₈As–n⁺GaAs–n⁰Ga₀.₉In₀.₁As–Au-структуры
за авторством: Yodgorova, D. M., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Yodgorova, D. M., та інші
Опубліковано: (2008)
Аномальный фотовольтаический эффект в структуре с барьером Шоттки – Мотта
за авторством: Karimov, A. V., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Karimov, A. V., та інші
Опубліковано: (2008)
Предэпитаксиальная обработка подложек GaSb для жидкофазного выращивания гомоэпитаксиальных слоев
за авторством: Andronova, О. V., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Andronova, О. V., та інші
Опубліковано: (2008)
Электропроводящие тонкие пленки для BaCuTeF прозрачных контактов в полупроводниковой электронике
за авторством: Hotra, Z. Yu., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Hotra, Z. Yu., та інші
Опубліковано: (2008)
Гибридная интегральная схема для обработки звукового сигнала
за авторством: Koval’chuk, V. A., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Koval’chuk, V. A., та інші
Опубліковано: (2011)
Тонкопленочные элементы кремниевых диодов Шоттки для высокотемпературного микромонтажа
за авторством: Baranov, V. V., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Baranov, V. V., та інші
Опубліковано: (2007)
Исследование свойств пленок нитрида и оксида кремния, полученных методом плазмохимического осаждения на кремниевую подложку
за авторством: Rubtsevich, I. I., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Rubtsevich, I. I., та інші
Опубліковано: (2011)
Свойства двойных гетеропереходов p+-InP/n-InGaAsP/n-InP, изготовленных методом жидкофазной эпитаксии
за авторством: Vakiv, N. M., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Vakiv, N. M., та інші
Опубліковано: (2012)
Умножитель/делитель с повышенным быстродействием
за авторством: Sinegub, N. I.
Опубліковано: (2009)
за авторством: Sinegub, N. I.
Опубліковано: (2009)
ВПЛИВ ІНОКУЛЯНТІВ І ПЕСТИЦИДІВ НА РОЗВИТОК БОБОВО-РИЗОБІАЛЬНОГО СИМБІОЗУ ТА ПРОДУКТИВНІСТЬ ЗЕРНОБОБОВИХ РОСЛИН
за авторством: Сафронова , Г.В., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Сафронова , Г.В., та інші
Опубліковано: (2007)
Алмазные многоэлементные фотоприемные устройства УФ-диапазона
за авторством: Altukhov, A. A., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Altukhov, A. A., та інші
Опубліковано: (2008)
УПРАВЛЯЕМОЕ ФИЛЬТРОКОМПЕНСИРУЮЩЕЕ УСТРОЙСТВО ДЛЯ АВТОНОМНОЙ ЭЛЕКТРОЭНЕРГЕТИЧЕСКОЙ СИСТЕМЫ С МОЩНЫМИ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЯМИ
за авторством: Жук, А.К., та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: Жук, А.К., та інші
Опубліковано: (2016)
Радиоволновое охранное устройство на излучающем кабеле
за авторством: Prudyus, I. N., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Prudyus, I. N., та інші
Опубліковано: (2010)
Spectral photosensitivity of the m-n⁰-n structure on the basis of epitaxial layers
за авторством: Yodgorova, D.M., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Yodgorova, D.M., та інші
Опубліковано: (2008)
Алгоритмическая фильтрация помех методом α-усеченного среднего в устройствах преобразования «угол–код»
за авторством: Gordiyenko, V. I., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Gordiyenko, V. I., та інші
Опубліковано: (2009)
Математична модель процесу витіснення в багатокомпонентної системі з проміжним «агентом»
за авторством: Положаєнко, Сергій Анатолійович, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Положаєнко, Сергій Анатолійович, та інші
Опубліковано: (2014)
К ОПРЕДЕЛЕНИЮ ПОНЯТИЯ "ЭЛЕКТРИЧЕСКОЕ НАПРЯЖЕНИЕ" В ТЕОРЕТИЧЕСКОЙ ЭЛЕКТРОТЕХНИКЕ
за авторством: Подольцев, А.Д., та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Подольцев, А.Д., та інші
Опубліковано: (2018)
Получение активных слоев InP в составе гетероструктур для диодов Ганна
за авторством: Vakiv, M. M., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Vakiv, M. M., та інші
Опубліковано: (2010)
Массоперенос при жидкофазной эпитаксии двухслойных систем
за авторством: Dranchuk, S. M., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Dranchuk, S. M., та інші
Опубліковано: (2012)
ЗАДАЧА ОПТИМАЛЬНОГО УПРАВЛІННЯ ДЛЯ СИСТЕМ З ІМПУЛЬСНИМИ ВЗАЄМОДІЯМИ ПРИ НЕЛОКАЛЬНИХ КРАЄВИХ УМОВАХ
за авторством: Шарифов, Ягуб Амияр
Опубліковано: (2012)
за авторством: Шарифов, Ягуб Амияр
Опубліковано: (2012)
Получение, свойства и применение тонких нанонеоднородных пленок Ge на GaAs-подложках
за авторством: Venger, E. F., та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Venger, E. F., та інші
Опубліковано: (2014)
Плазмохимическое травление эпитаксиальных структур нитрида галлия
за авторством: Борисенко, А.Г., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Борисенко, А.Г., та інші
Опубліковано: (2005)
Нелинейные СВЧ свойства эпитаксиальных пленок ВТСП
за авторством: Мелков, Г.А., та інші
Опубліковано: (1997)
за авторством: Мелков, Г.А., та інші
Опубліковано: (1997)
Микроволновый импеданс эпитаксиальных пленок высокотемпературных сверхпроводников
за авторством: Мелков, Г.А., та інші
Опубліковано: (1995)
за авторством: Мелков, Г.А., та інші
Опубліковано: (1995)
Гетероструктуры на основе GaAs с квантовыми точками InAs для фотоэлектрических преобразователей
за авторством: Maronchuk, I. E., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Maronchuk, I. E., та інші
Опубліковано: (2008)
О толщине прослойки жидкого металла под дугой при наплавке под флюсом
за авторством: Размышляев, А.Д.
Опубліковано: (2003)
за авторством: Размышляев, А.Д.
Опубліковано: (2003)
Прогнозирование показателей надежности двухкаскадного термоэлектрического охлаждающего устройства в режиме ΔTmax
за авторством: Zaykov, V. P., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Zaykov, V. P., та інші
Опубліковано: (2009)
Прогнозирование показателей надежности двухкаскадного термоэлектрического охлаждающего устройства в режиме Q0max
за авторством: Zaykov, V. P., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Zaykov, V. P., та інші
Опубліковано: (2009)
Технологические возможности использования всего поля допусков по толщине при горячей прокатке полос
за авторством: Путноки, А.Ю., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Путноки, А.Ю., та інші
Опубліковано: (2009)