Тонкопленочные элементы кремниевых диодов Шоттки для высокотемпературного микромонтажа
The design and technological features of silicon Schottky diodes assembled in glass packages, as well as their electrical properties, are discussed. These devices require thermal stability of the chips up to 650 °C. It is shown that a V/n-Si Schottky barrier with a height of 0.654 V meets these tech...
Збережено в:
| Дата: | 2007 |
|---|---|
| Автори: | , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Українська |
| Опубліковано: |
PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
2007
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2007.5.20 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Technology and design in electronic equipment |
Репозитарії
Technology and design in electronic equipment| _version_ | 1859600909179289600 |
|---|---|
| author | Baranov, V. V. Solovyev, Ya. A. Koshkarov, G. V. |
| author_facet | Baranov, V. V. Solovyev, Ya. A. Koshkarov, G. V. |
| author_sort | Baranov, V. V. |
| baseUrl_str | |
| collection | OJS |
| datestamp_date | 2026-03-13T10:31:40Z |
| description | The design and technological features of silicon Schottky diodes assembled in glass packages, as well as their electrical properties, are discussed. These devices require thermal stability of the chips up to 650 °C. It is shown that a V/n-Si Schottky barrier with a height of 0.654 V meets these technological requirements. The presence of vanadium disilicide in the transition layer, formed during the micro-packaging process, has been established. It is also recommended to use a double-layer passivation structure of SiO2/Ta2O5. |
| first_indexed | 2026-03-14T02:00:25Z |
| format | Article |
| id | oai:tkea.com.ua:article-818 |
| institution | Technology and design in electronic equipment |
| keywords_txt_mv | keywords |
| language | Ukrainian |
| last_indexed | 2026-03-14T02:00:25Z |
| publishDate | 2007 |
| publisher | PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers |
| record_format | ojs |
| spelling | oai:tkea.com.ua:article-8182026-03-13T10:31:40Z Thin-film elements of silicon Schottky diodes for high-temperature micro-packaging Тонкопленочные элементы кремниевых диодов Шоттки для высокотемпературного микромонтажа Baranov, V. V. Solovyev, Ya. A. Koshkarov, G. V. Schottky barriers high-temperature micro-packaging electrical properties of devices барьеры Шоттки высокотемпературный микромонтаж электрические свойства приборов The design and technological features of silicon Schottky diodes assembled in glass packages, as well as their electrical properties, are discussed. These devices require thermal stability of the chips up to 650 °C. It is shown that a V/n-Si Schottky barrier with a height of 0.654 V meets these technological requirements. The presence of vanadium disilicide in the transition layer, formed during the micro-packaging process, has been established. It is also recommended to use a double-layer passivation structure of SiO2/Ta2O5. Рассмотрены конструктивно-технологические особенности и электрические свойства кремниевых диодов Шоттки, собираемых в стеклянных корпусах, требующих обеспечения термостойкости кристаллов на уровне 650°С. Показано, что данным технологическим требованиям удовлетворяет барьер Шоттки типа V/n-Si с высотой 0,654 В. При этом установлено наличие в переходном слое дисилицида ванадия, образующегося в процессе микромонтажа приборов. Рекомендовано также использовать двухслойную пассивирующую структуру SiO2/Ta2O5. PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2007-10-28 Article Article Peer-reviewed Article application/pdf https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2007.5.20 Technology and design in electronic equipment; No. 5 (2007): Tekhnologiya i konstruirovanie v elektronnoi apparature; 20-21 Технологія та конструювання в електронній апаратурі; № 5 (2007): Технология и конструирование в электронной аппаратуре; 20-21 3083-6549 3083-6530 uk https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2007.5.20/741 Copyright (c) 2007 Baranov V. V., Solovyev Ya. A., Koshkarov G. V. http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/ |
| spellingShingle | барьеры Шоттки высокотемпературный микромонтаж электрические свойства приборов Baranov, V. V. Solovyev, Ya. A. Koshkarov, G. V. Тонкопленочные элементы кремниевых диодов Шоттки для высокотемпературного микромонтажа |
| title | Тонкопленочные элементы кремниевых диодов Шоттки для высокотемпературного микромонтажа |
| title_alt | Thin-film elements of silicon Schottky diodes for high-temperature micro-packaging |
| title_full | Тонкопленочные элементы кремниевых диодов Шоттки для высокотемпературного микромонтажа |
| title_fullStr | Тонкопленочные элементы кремниевых диодов Шоттки для высокотемпературного микромонтажа |
| title_full_unstemmed | Тонкопленочные элементы кремниевых диодов Шоттки для высокотемпературного микромонтажа |
| title_short | Тонкопленочные элементы кремниевых диодов Шоттки для высокотемпературного микромонтажа |
| title_sort | тонкопленочные элементы кремниевых диодов шоттки для высокотемпературного микромонтажа |
| topic | барьеры Шоттки высокотемпературный микромонтаж электрические свойства приборов |
| topic_facet | Schottky barriers high-temperature micro-packaging electrical properties of devices барьеры Шоттки высокотемпературный микромонтаж электрические свойства приборов |
| url | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2007.5.20 |
| work_keys_str_mv | AT baranovvv thinfilmelementsofsiliconschottkydiodesforhightemperaturemicropackaging AT solovyevyaa thinfilmelementsofsiliconschottkydiodesforhightemperaturemicropackaging AT koshkarovgv thinfilmelementsofsiliconschottkydiodesforhightemperaturemicropackaging AT baranovvv tonkoplenočnyeélementykremnievyhdiodovšottkidlâvysokotemperaturnogomikromontaža AT solovyevyaa tonkoplenočnyeélementykremnievyhdiodovšottkidlâvysokotemperaturnogomikromontaža AT koshkarovgv tonkoplenočnyeélementykremnievyhdiodovšottkidlâvysokotemperaturnogomikromontaža |