Buchumschlag

Тонкопленочные элементы кремниевых диодов Шоттки для высокотемпературного микромонтажа

The design and technological features of silicon Schottky diodes assembled in glass packages, as well as their electrical properties, are discussed. These devices require thermal stability of the chips up to 650 °C. It is shown that a V/n-Si Schottky barrier with a height of 0.654 V meets these tech...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Datum:	2007
Hauptverfasser:	Baranov, V. V., Solovyev, Ya. A., Koshkarov, G. V.
Format:	Artikel
Sprache:	Ukrainisch
Veröffentlicht:	PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2007
Schlagworte:	барьеры Шоттки высокотемпературный микромонтаж электрические свойства приборов
Online Zugang:	https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2007.5.20
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:	Technology and design in electronic equipment

Institution

Technology and design in electronic equipment

Ähnliche Einträge

Формирование дельта-легированного водородом p-слоя в природных и CVD-кристаллах алмаза
von: Altukhov, A. A., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Повышение надежности диодов Шоттки при воздействии разрядов cтатического электричества
von: Sоlоdukha, V. A., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Особенности формирования быстровосстанавливающихся кремниевых диодов
von: Gorban, A. N., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Прогнозирование напряжения отсечки ионно-имплантированных полевых транзисторов с барьером Шоттки на GaAs
von: Gorev, N. B., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Повышение надежности диодов Шоттки при воздействии разрядов cтатического электричества
von: Солодуха, В.А., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Радиационно стойкая фотоструктура на основе Cr/In2Hg3Te6 для диода Шоттки
von: Ashcheulov, A. A., et al.
Veröffentlicht: (2016)

Исследование и оптимизация бокового катода для магнетронов с холодным вторично-эмиссионным катодом
von: Автомонов, Н.И., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Твердотельные источники гетеродинного излучения субмиллиметрового диапазона
von: Еру, И.И.
Veröffentlicht: (2010)

Малошумящие субмиллиметровые системы когерентного приема (cовременное состояние и тенденции развития)
von: Еру, И.И.
Veröffentlicht: (2006)

Становление и развитие квантовой радиофизики и квантовой электроники СВЧ диапазона в Украине
von: Еру, И.И., et al.
Veröffentlicht: (2005)

Компьютерная система отбора кремниевых диодов для генераторов случайных числовых последовательностей
von: Барановский, О.К., et al.
Veröffentlicht: (2006)

Влияние термического окисления на анизотропию электропроводности и фотопроводимости наноструктурированного кремния
von: Forsh, P. A., et al.
Veröffentlicht: (2009)

СПОСОБИ ЛОКАЛІЗАЦІЇ І ІДЕНТИФІКАЦІЇ ЕЛЕМЕНТІВ ЕЛЕКТРИЧНИХ ПРИСТРОЇВ В ЗАДАЧАХ ДІАГНОСТИКИ
von: Верлань, Андрей Анатольевич
Veröffentlicht: (2012)

КЛАСТЕР ХАОТИЧЕСКИХ КОЛЕБАНИЙ
von: Жуйков , В.Я., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Методы удаления дефектов, возникающих при жидкостном травлении поверхности поликристаллического кремния
von: Ivanchykou, A. E., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Защитные тонкопленочные многослойные экраны от рентгеновского и гамма-излучения
von: Белоус, В.А., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Фотодиод ультрафиолетового диапазона на основе селенида цинка
von: Perevertailo, V. L., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Гибридная интегральная схема для обработки звукового сигнала
von: Koval’chuk, V. A., et al.
Veröffentlicht: (2011)

К ОПРЕДЕЛЕНИЮ ПОНЯТИЯ "ЭЛЕКТРИЧЕСКОЕ НАПРЯЖЕНИЕ" В ТЕОРЕТИЧЕСКОЙ ЭЛЕКТРОТЕХНИКЕ
von: Подольцев, А.Д., et al.
Veröffentlicht: (2018)

Исследование процесса формирования токовых характеристик кремниевого фотодиода с выпрямляющими барьерами
von: Karimov, A. V., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Аномальный фотовольтаический эффект в структуре с барьером Шоттки – Мотта
von: Karimov, A. V., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Получение кремниевых нитевидных нанокристаллов
von: Дружинин, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Характеристики варизонных AlInN диодов Ганна
von: Кайдаш, М.В.
Veröffentlicht: (2013)

Использование метода высокотемпературного ударного сжатия для синтеза алмазных нановолокон
von: Бритун, В.Ф., et al.
Veröffentlicht: (2009)

ГАРМОНИЧЕСКИЙ АНАЛИЗ ЭЛЕКТРОМАГНИТНЫХ ВЕЛИЧИН ТРЕХФАЗНОЙ ОБМОТКИ СТАТОРА ТУРБОГЕНЕРАТОРА НА ОСНОВЕ КЛАССИЧЕСКИХ И ЧИСЛЕННО-ПОЛЕВЫХ МЕТОДОВ
von: Милых, В.И., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Приборно-технологическое моделирование автоэмиссионных кремниевых микрокатодов
von: Druzhynin, А. A., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Влияние высокотемпературного нагрева в водяном паре на свойства оболочек ПЭЛ
von: Белаш, Н.Н., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Деформирование и вибронапряженность высокотемпературного ротора турбины с поперечной дышащей трещиной
von: Шульженко, Н.Г., et al.
Veröffentlicht: (2017)

Элементы механизма повышения конкурентоспособности персонала
von: Цветкова, И.И.
Veröffentlicht: (2004)

Радиационно стойкая фотоструктура на основе Cr/In₂Hg₃Te₆ для диода Шоттки
von: Ащеулов, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2016)

Аномалия Шоттки линейного двупреломления света в антиферромагнитном кристалле LiCoPO₄
von: Харченко, Н.Ф., et al.
Veröffentlicht: (2008)

ДИСТАНЦИОННОЕ ИЗМЕРЕНИЕ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ ВЫСОКОВОЛЬТНОЙ ИЗОЛЯЦИИ ПОД РАБОЧИМ НАПРЯЖЕНИЕМ
von: Борщев, П.И.
Veröffentlicht: (2015)

Герметизированные модули кремниевых детекторов ионизирующего излучения
von: Васильев, Г.П., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Применение гибких носителей при сборке кремниевых детекторов
von: Perevertaylo, V. L., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Диагностика глубоких центров на границе пленка–подложка в тонкопленочных эпитаксиальных структурах GaAs
von: Gorev, N. B., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Технология изготовления автоэмиссионных кремниевых катодов субмикронных размеров
von: Druzhynin, A. A., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Высокоэффективные катодные элементы для газоразрядных источников света
von: Sevastyanov, V. V., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Спектры фоточувствительности поверхностно-барьерных структур Ni–n-GaAs
von: Melebayew, D., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Новые возможности фотоэлектрического метода определения высоты барьера в структурах Au–n-GaAs
von: Melebayev, D., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Повышение радиационной устойчивости кремниевых монокристаллических эпитаксиальных слоев
von: Kurmashev, Sh. D., et al.
Veröffentlicht: (2014)