Зображення обкладинки

Структура Те-CdTe со свойством электронного переключения с памятью

The formation of a tellurium film on the surface of a CdTe crystal under ruby laser pulse irradiation has been investigated. A method for fabricating a Te–CdTe structure with electronic switching and memory properties is also presented.

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Дата:	2007
Автори:	Baidullaeva, А., Borshch, V. V., Veleschuk, V. P., Vlasenko, O. I., Dauletmuratov, B. K., Levytskyi, S. N., Mozol', P. E.
Формат:	Стаття
Мова:	Українська
Опубліковано:	PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2007
Теми:	CdTe пленка теллура переключающий элемент с памятью
Онлайн доступ:	https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2007.5.40
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Technology and design in electronic equipment

Репозитарії

Technology and design in electronic equipment

Схожі ресурси

Структура Те–CdTe со свойством электронного переключения с памятью
за авторством: Байдуллаева, А., та інші
Опубліковано: (2007)

Электрические и фотоэлектрические свойства гетероструктур NiO/p-CdTe и NiO/n-CdTe
за авторством: Parkhomenko, H. P., та інші
Опубліковано: (2016)

Влияние обработки водородом монокристаллов теллурида кадмия на их спектры оптического пропускания
за авторством: Pigur, O. N., та інші
Опубліковано: (2011)

Электрические свойства анизотипных гетеропереходов n-ТiО2:Mn/p-CdTe
за авторством: Mostovyi, A. I., та інші
Опубліковано: (2013)

Електричні та фотоелектричні властивості гетеропереходів MoN/p-CdTe та MoN/n-CdTe
за авторством: Kovaliuk, Taras, та інші
Опубліковано: (2021)

Моделирование энергетической зависимости чувствительности CdTe (CdZnTe) детекторов гамма-излучения
за авторством: Zakharchenko, A. A., та інші
Опубліковано: (2007)

Квазісинхронна термокомпенсація в іонометрії із застосуванням ІСПТ. Частина 1. Теорія та моделювання
за авторством: Pavluchenko, Alexey, та інші
Опубліковано: (2021)

Вплив радіаційних дефектів на електрофізичні та детекторні властивості CdTe:Cl, опроміненого нейтронами
за авторством: Kondrik, Alexandr, та інші
Опубліковано: (2020)

Расчет транспортных свойств детекторов гамма-излучения на основе полуизолирующих полупроводников
за авторством: Zakharchenko, A. A., та інші
Опубліковано: (2008)

Розробка та моделювання високоточного MPPT-контролера для тонкоплівкових сонячних елементів
за авторством: Fedenko, Vitalii, та інші
Опубліковано: (2025)

Наноструктурированная композитная пленка для сенсоров влажности
за авторством: Kovalenko, K. L., та інші
Опубліковано: (2009)

Дискретні фотоприймачі середньохвильового ІЧ-діапазону спектру на основі HgCdTe
за авторством: Tsybrii, Z. F., та інші
Опубліковано: (2017)

Вплив домішок і дефектів структури на властивості детекторів на основі CdTe та CdZnTe
за авторством: Kondrik, Alexandr, та інші
Опубліковано: (2022)

Вплив домішок і структурних дефектів на електрофізичні та детекторні властивості CdTe та CdZnTe
за авторством: Kondrik, Alexander, та інші
Опубліковано: (2019)

Детекторные свойства Cd0,9Zn0,1Te:Al под влиянием гамма-облучения малой дозы
за авторством: Kondrik, A. I.
Опубліковано: (2016)

Эффективность сбора зарядов в датчиках γ-излучения с различной конфигурацией электродов
за авторством: Kondrik, A. I.
Опубліковано: (2012)

Вплив вмісту домішок та структурних дефектів на властивості детектора на основі Cd0.9Mn0.1Te:V
за авторством: Kondrik, Оleksandr, та інші
Опубліковано: (2023)

Фотоэлектростимулированная пассивация спектрометрических Cd1–xZnxTe-детекторов
за авторством: Zagoruiko, Yu. A., та інші
Опубліковано: (2010)

Перестраиваемая линия задержки сигнала СВЧ-диапазона на основе сегнетоэлектрических и алмазных пленок
за авторством: Afanasyev, M. S., та інші
Опубліковано: (2010)

Дослідження можливості використання матеріалів на основі CdTeSe для детекторів іонізуючих випромінювань
за авторством: Kondrik , Оleksandr
Опубліковано: (2024)

Исследование кристаллов Cu2ZnSnTe4 и гетеропереходов на их основе
за авторством: Kovaliuk, T. T., та інші
Опубліковано: (2015)

Системы контроля-мониторинга температуры и влажности среды на основе толстых пленок оксишпинелей
за авторством: Vakiv, N. M.
Опубліковано: (2010)

Низкотемпературная фотолюминесценция тонких пленок CdTe, CdTe:In с аномальным фотовольтаическим свойством
за авторством: Ахмадалиев, Б.Ж., та інші
Опубліковано: (2010)

Лазерная абляция и фотостимулированная пассивация поверхности кристаллов Cd1–хZnхTe
за авторством: Zagoruiko, Yu. A., та інші
Опубліковано: (2011)

ПРОЦЕССЫ В RLC-ЦЕПИ СИНУСОИДАЛЬНОГО НАПРЯЖЕНИЯ С УПРАВЛЯЕМЫМ РЕВЕРСИРОВАНИЕМ ЕМКОСТИ
за авторством: Шидловская, Н.А.
Опубліковано: (2010)

Получение активных слоев InP в составе гетероструктур для диодов Ганна
за авторством: Vakiv, M. M., та інші
Опубліковано: (2010)

Безадгезивные акустические мембраны на полиимидной основе
за авторством: Vorob'ev, A. V., та інші
Опубліковано: (2014)

Гетероструктуры, полученные методом отжига монокристаллов InSe в парах серы
за авторством: Kovalyuk, Z. D., та інші
Опубліковано: (2009)

Гомеоморфизмы с трансмутационным свойством относительно взвешенной свертки
за авторством: Волчков, В.В., та інші
Опубліковано: (2015)

О банаховых пространствах с супер аппроксимационным свойством
за авторством: Токарев, Е.В.
Опубліковано: (1986)

Эффекты переключения и памяти в МОП-структурах Al-SiO₂-Si
за авторством: Искендер-заде, З.А., та інші
Опубліковано: (2004)

Методика определения эффективной площади фоточувствительного элемента фотодиода
за авторством: Butenko, V. K., та інші
Опубліковано: (2007)

Жидкокристаллические мониторы для авиационной техники
за авторством: Kovalenko, L. F., та інші
Опубліковано: (2009)

ИССЛЕДОВАНИЕ RLC-ЦЕПИ СИНУСОИДАЛЬНОГО НАПРЯЖЕНИЯ С УПРАВЛЯЕМЫМ РЕВЕРСИРОВАНИЕМ ИНДУКТИВНОГО ЭЛЕМЕНТА
за авторством: Шидловская, Н.А.
Опубліковано: (2011)

Пример поворотно-конформного отображения псевдосферы со свойством взаимности
за авторством: Кожухарь, Д.В.
Опубліковано: (2009)

Создание переключающих элементов с памятью на основе кристаллов CdTe
за авторством: Байдуллаева, А., та інші
Опубліковано: (2001)

Об исключении переключения при отказе датчика в системе управления боковым движением квадрокоптера
за авторством: Ларин, В.Б., та інші
Опубліковано: (2020)

Получение двухсторонних высоковольтных эпитаксиальных кремниевых p–i–n-структур методом ЖФЭ
за авторством: Vakiv, N. M., та інші
Опубліковано: (2013)

Высокоэффективные катодные элементы для газоразрядных источников света
за авторством: Sevastyanov, V. V., та інші
Опубліковано: (2009)

Кремний мультипористой текстуры для фотоэлектрических преобразователей солнечной энергии
за авторством: Yerokhov, V. Yu., та інші
Опубліковано: (2009)