Сравнительный анализ технологий изготовления кремниевых схем считывания информации с ИК-фотодиодов
A comparative analysis of the advantages and disadvantages of two technologies for fabricating readout circuits for infrared photodiodes has been carried out: complementary MOS (CMOS) technology and charge-coupled device (CCD) technology based on n-channel MOS structures. Parameters of experimental...
Gespeichert in:
| Datum: | 2007 |
|---|---|
| Hauptverfasser: | , , , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Ukrainisch |
| Veröffentlicht: |
PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
2007
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2007.5.46 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Technology and design in electronic equipment |
Institution
Technology and design in electronic equipment| _version_ | 1859600911416950784 |
|---|---|
| author | Reva, V. Р. Korinetz, S. V. Pysarenko, L. A. Dukhnin, S. E. Barsukova, N. A. |
| author_facet | Reva, V. Р. Korinetz, S. V. Pysarenko, L. A. Dukhnin, S. E. Barsukova, N. A. |
| author_sort | Reva, V. Р. |
| baseUrl_str | |
| collection | OJS |
| datestamp_date | 2026-03-13T10:31:40Z |
| description | A comparative analysis of the advantages and disadvantages of two technologies for fabricating readout circuits for infrared photodiodes has been carried out: complementary MOS (CMOS) technology and charge-coupled device (CCD) technology based on n-channel MOS structures. Parameters of experimental samples of integrated readout circuits (IRC) with a 2×64 format, manufactured using these technologies, are presented. The results demonstrate the feasibility of producing IRCs capable of operating at cryogenic temperatures. |
| first_indexed | 2026-03-14T02:00:27Z |
| format | Article |
| id | oai:tkea.com.ua:article-826 |
| institution | Technology and design in electronic equipment |
| keywords_txt_mv | keywords |
| language | Ukrainian |
| last_indexed | 2026-03-14T02:00:27Z |
| publishDate | 2007 |
| publisher | PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers |
| record_format | ojs |
| spelling | oai:tkea.com.ua:article-8262026-03-13T10:31:40Z Comparative analysis of silicon readout circuit technologies for IR photodiodes Сравнительный анализ технологий изготовления кремниевых схем считывания информации с ИК-фотодиодов Reva, V. Р. Korinetz, S. V. Pysarenko, L. A. Dukhnin, S. E. Barsukova, N. A. readout circuit direct injection transistor CCD technology CMOS technology схема считывания транзистор прямой инжекции ПЗС-технология КМОП-технология A comparative analysis of the advantages and disadvantages of two technologies for fabricating readout circuits for infrared photodiodes has been carried out: complementary MOS (CMOS) technology and charge-coupled device (CCD) technology based on n-channel MOS structures. Parameters of experimental samples of integrated readout circuits (IRC) with a 2×64 format, manufactured using these technologies, are presented. The results demonstrate the feasibility of producing IRCs capable of operating at cryogenic temperatures. Проведен сравнительный анализ преимуществ и недостатков технологий изготовления схем считывания с инфракрасных ИК-фотодиодов - технологии комплементарных МОП-схем и технологии приборов с зарядовой связью на базе n-канальных МОП-структур. Приведены параметры экспериментальных образцов интегральных схем считывания (ИCC) форматом 2×64, изготовленных по этим технологиям, демонстрирующие возможность изготовления ИСС, работающих при криогенных температурах. PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2007-10-28 Article Article Peer-reviewed Article application/pdf https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2007.5.46 Technology and design in electronic equipment; No. 5 (2007): Tekhnologiya i konstruirovanie v elektronnoi apparature; 46-49 Технологія та конструювання в електронній апаратурі; № 5 (2007): Технология и конструирование в электронной аппаратуре; 46-49 3083-6549 3083-6530 uk https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2007.5.46/748 Copyright (c) 2007 Reva V. Р., Korinetz S. V., Pysarenko L. A., Dukhnin S. E., Barsukova N. A. http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/ |
| spellingShingle | схема считывания транзистор прямой инжекции ПЗС-технология КМОП-технология Reva, V. Р. Korinetz, S. V. Pysarenko, L. A. Dukhnin, S. E. Barsukova, N. A. Сравнительный анализ технологий изготовления кремниевых схем считывания информации с ИК-фотодиодов |
| title | Сравнительный анализ технологий изготовления кремниевых схем считывания информации с ИК-фотодиодов |
| title_alt | Comparative analysis of silicon readout circuit technologies for IR photodiodes |
| title_full | Сравнительный анализ технологий изготовления кремниевых схем считывания информации с ИК-фотодиодов |
| title_fullStr | Сравнительный анализ технологий изготовления кремниевых схем считывания информации с ИК-фотодиодов |
| title_full_unstemmed | Сравнительный анализ технологий изготовления кремниевых схем считывания информации с ИК-фотодиодов |
| title_short | Сравнительный анализ технологий изготовления кремниевых схем считывания информации с ИК-фотодиодов |
| title_sort | сравнительный анализ технологий изготовления кремниевых схем считывания информации с ик-фотодиодов |
| topic | схема считывания транзистор прямой инжекции ПЗС-технология КМОП-технология |
| topic_facet | readout circuit direct injection transistor CCD technology CMOS technology схема считывания транзистор прямой инжекции ПЗС-технология КМОП-технология |
| url | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2007.5.46 |
| work_keys_str_mv | AT revavr comparativeanalysisofsiliconreadoutcircuittechnologiesforirphotodiodes AT korinetzsv comparativeanalysisofsiliconreadoutcircuittechnologiesforirphotodiodes AT pysarenkola comparativeanalysisofsiliconreadoutcircuittechnologiesforirphotodiodes AT dukhninse comparativeanalysisofsiliconreadoutcircuittechnologiesforirphotodiodes AT barsukovana comparativeanalysisofsiliconreadoutcircuittechnologiesforirphotodiodes AT revavr sravnitelʹnyjanaliztehnologijizgotovleniâkremnievyhshemsčityvaniâinformaciisikfotodiodov AT korinetzsv sravnitelʹnyjanaliztehnologijizgotovleniâkremnievyhshemsčityvaniâinformaciisikfotodiodov AT pysarenkola sravnitelʹnyjanaliztehnologijizgotovleniâkremnievyhshemsčityvaniâinformaciisikfotodiodov AT dukhninse sravnitelʹnyjanaliztehnologijizgotovleniâkremnievyhshemsčityvaniâinformaciisikfotodiodov AT barsukovana sravnitelʹnyjanaliztehnologijizgotovleniâkremnievyhshemsčityvaniâinformaciisikfotodiodov |