Buchumschlag

Особенности фотоэлектрических характеристик фотоэлектропреобразовательных структур

The peculiarities of photoelectric characteristics of converter structures based on the isotype n-GaAs/n-GaInAs heterojunction with Ag potential barriers have been investigated. The physical processes occurring in the potential barriers under optical irradiation are analyzed. The structures exhibit...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Datum:	2007
Hauptverfasser:	Karimov, A. V., Yodgorova, D. M., Giyasova, F. A., Azimov, T. M., Buzrukov, U. M., Yakubov, A. A.
Format:	Artikel
Sprache:	Ukrainisch
Veröffentlicht:	PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2007
Schlagworte:	изотип фотоэлектропреобразователь гетероструктура барьер фотоэлектрическое усиление
Online Zugang:	https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2007.4.23
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:	Technology and design in electronic equipment

Institution

Technology and design in electronic equipment

Ähnliche Einträge

Исследование процесса формирования токовых характеристик кремниевого фотодиода с выпрямляющими барьерами
von: Karimov, A. V., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Некоторые особенности фотоэлектрических характеристик двухбазовой Ag–N⁰Al₀.₂Ga₀.₈As–n⁺GaAs–n⁰Ga₀.₉In₀.₁As–Au-структуры
von: Yodgorova, D. M., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Многофункциональная гомопереходная арсенид-галлиевая n–p–m-структура
von: Karimov, A. V., et al.
Veröffentlicht: (2009)

ОСОБЕННОСТИ ЛОКАЛЬНЫХ УСИЛЕНИЙ ЭЛЕКТРИЧЕСКОГО ПОЛЯ ПРОВОДЯЩИМИ ВКЛЮЧЕНИЯМИ В НЕЛИНЕЙНОЙ ПОЛИМЕРНОЙ ИЗОЛЯЦИИ
von: Щерба, М.А.
Veröffentlicht: (2015)

Гетероструктуры, полученные методом отжига монокристаллов InSe в парах серы
von: Kovalyuk, Z. D., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Кинетика деформации ВАХ оксидных варисторных структур, обусловленная перезарядкой локализованных состояний
von: Tonkoshkur, A. S., et al.
Veröffentlicht: (2014)

Повышение надежности диодов Шоттки при воздействии разрядов cтатического электричества
von: Sоlоdukha, V. A., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Исследование характеристик кремниевых фотоэлектрических преобразователей солнечных батарей при перегреве
von: Иванченко, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2018)

Некоторые особенности фотоэлектрических характеристик двухбазовой Ag–N⁰Al₀,₂Ga₀,₈As–n+GaAs–n⁰Ga₀,₉In₀,₁As–Au-структуры
von: Ёдгорова, Д.М., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Неразрушающий метод измерения глубины залегания p-n-перехода полупроводниковых фотоэлектрических структур
von: Алиев, Р., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Электрические и фотоэлектрические свойства гетероструктур NiO/p-CdTe и NiO/n-CdTe
von: Parkhomenko, H. P., et al.
Veröffentlicht: (2016)

Изменения характеристик кремниевых фотоэлектрических преобразователей солнечных батарей после токовых перегрузок
von: Иванченко, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2019)

Химическое осаждение из газовой фази гетеро- и наноструктур соединений III–V
von: Voronin, V. A., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Низкоразмерные кристаллы кремния для фотоэлектрических преобразователей
von: Druzhinin, A. A., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Spectral photosensitivity of the m-n⁰-n structure on the basis of epitaxial layers
von: Yodgorova, D.M., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Кріогенні термометри опору на основі плівок Ge–InP
von: Mitin, Vadim, et al.
Veröffentlicht: (2020)

Прогнозирование напряжения отсечки ионно-имплантированных полевых транзисторов с барьером Шоттки на GaAs
von: Gorev, N. B., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Диагностика глубоких центров на границе пленка–подложка в тонкопленочных эпитаксиальных структурах GaAs
von: Gorev, N. B., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Низкоразмерные кристаллы кремния для фотоэлектрических преобразователей
von: Дружинин, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Анализ эффективности фотоэлектрических систем коммунального назначения
von: Карпенко, Д.С., et al.
Veröffentlicht: (2016)

Исследование импульсных характеристик ограничителей напряжения
von: Karimov, A. V., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Кремний мультипористой текстуры для фотоэлектрических преобразователей солнечной энергии
von: Yerokhov, V. Yu., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Вольт-фарадные измерения в тонкопленочных эпитаксиальных структурах GaAs
von: Gorev, N. B., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Вольт-фарадные характеристики ионно-имплантированных структур GaAs
von: Gorev, N. B., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Корреляция параметров арсенид-галлиевых эпитаксиальных слоев и технологии их выращивания
von: Karimov, A. V., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Технологический аспект повышения эффективности полупроводниковых фотоэлектрических преобразователей
von: Курак, В.В., et al.
Veröffentlicht: (2002)

Аномальный фотовольтаический эффект в структуре с барьером Шоттки – Мотта
von: Karimov, A. V., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Комбинированный способ выращивания эпитаксиальных слоев полупроводниковых соединений A³B⁵
von: Yodgorova, D. M., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Измерительный комплекс для определения фотоэлектрических параметров приемников излучения
von: Ащеулов, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2004)

Кремний мультипористой текстуры для фотоэлектрических преобразователей солнечной энергии
von: Ерохов, В.Ю., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Типологические особенности планировочных структур городов Крыма
von: Вельчева, З.Р.
Veröffentlicht: (2006)

Физико-технологические аспекты создания низковольтных ограничителей напряжения на основе кремния
von: Rakhmatov, A. Z., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Особенности модели организационно-производственных структур управления персоналом
von: Сейтумерова, Э.Р.
Veröffentlicht: (2007)

Гетероструктуры на основе GaAs с квантовыми точками InAs для фотоэлектрических преобразователей
von: Maronchuk, I. E., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Research of photo-sensitive 2-barrier pAlGaInAs-nGaAs:O-Au-structure
von: U. M. Buzrukov
Veröffentlicht: (2005)

Особенности плазмохимического травления торцов кремниевых пластин для фотоэлектрических преобразователей
von: Fedorovich, O. A., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Оптимизация распределения концентрации носителей по толщине эпитаксиальных слоев
von: Karimov, A. V., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Некоторые особенности ограничителя тока на полевом транзисторе
von: Karimov, A. V., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Електрофізичні та фотоелектричні характеристики трьохбар'єрної фотодіодної GaAs-структури
von: Abdulkhaev, O. A., et al.
Veröffentlicht: (2018)

Каталог фотоэлектрических звездных величин в системе UBVR в площадках с галактиками. I
von: Андрук, В.Н., et al.
Veröffentlicht: (1989)