Cover Image

Особенности фотоэлектрических характеристик фотоэлектропреобразовательных структур

The peculiarities of photoelectric characteristics of converter structures based on the isotype n-GaAs/n-GaInAs heterojunction with Ag potential barriers have been investigated. The physical processes occurring in the potential barriers under optical irradiation are analyzed. The structures exhibit...

Full description

Saved in:

Bibliographic Details
Date:	2007
Main Authors:	Karimov, A. V., Yodgorova, D. M., Giyasova, F. A., Azimov, T. M., Buzrukov, U. M., Yakubov, A. A.
Format:	Article
Language:	Ukrainian
Published:	PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2007
Subjects:	изотип фотоэлектропреобразователь гетероструктура барьер фотоэлектрическое усиление
Online Access:	https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2007.4.23
Tags:	Add Tag No Tags, Be the first to tag this record!
Journal Title:	Technology and design in electronic equipment

Institution

Technology and design in electronic equipment

Similar Items

Особенности фотоэлектрических характеристик фотоэлектропреобразовательных структур
by: Каримов, А.В., et al.
Published: (2007)

Исследование фотоэлектрических характеристик микрофототерминала
by: Karimov, A. V., et al.
Published: (2006)

Исследование процесса формирования токовых характеристик кремниевого фотодиода с выпрямляющими барьерами
by: Karimov, A. V., et al.
Published: (2013)

Некоторые особенности фотоэлектрических характеристик двухбазовой Ag–N⁰Al₀.₂Ga₀.₈As–n⁺GaAs–n⁰Ga₀.₉In₀.₁As–Au-структуры
by: Yodgorova, D. M., et al.
Published: (2008)

Установка электрохимического профилирования для диагностирования эпитаксиальных структур GaAs
by: Vakiv, N. M., et al.
Published: (2005)

Многофункциональная гомопереходная арсенид-галлиевая n–p–m-структура
by: Karimov, A. V., et al.
Published: (2009)

Определение характеристик двухбарьерных фотодиодных структур с металлополупроводниковыми переходами
by: Yodgorova, D. M., et al.
Published: (2005)

Каскадный инжекционный фотоприемник на основе твердых растворов A2B6-соединений для спектрального диапазона = 500–650 нм
by: Mirsagatov, Sh. A., et al.
Published: (2018)

ОСОБЕННОСТИ ЛОКАЛЬНЫХ УСИЛЕНИЙ ЭЛЕКТРИЧЕСКОГО ПОЛЯ ПРОВОДЯЩИМИ ВКЛЮЧЕНИЯМИ В НЕЛИНЕЙНОЙ ПОЛИМЕРНОЙ ИЗОЛЯЦИИ
by: Щерба, М.А.
Published: (2015)

Повышение надежности диодов Шоттки при воздействии разрядов cтатического электричества
by: Sоlоdukha, V. A., et al.
Published: (2012)

Кинетика деформации ВАХ оксидных варисторных структур, обусловленная перезарядкой локализованных состояний
by: Tonkoshkur, A. S., et al.
Published: (2014)

Гетероструктуры, полученные методом отжига монокристаллов InSe в парах серы
by: Kovalyuk, Z. D., et al.
Published: (2009)

Исследование характеристик кремниевых фотоэлектрических преобразователей солнечных батарей при перегреве
by: Иванченко, А.В., et al.
Published: (2018)

Детекторы оптического сигнала на основе структур Au-nSi-Al, Au-nSi
by: Yodgorova, D. M., et al.
Published: (2005)

Некоторые особенности фотоэлектрических характеристик двухбазовой Ag–N⁰Al₀,₂Ga₀,₈As–n+GaAs–n⁰Ga₀,₉In₀,₁As–Au-структуры
by: Ёдгорова, Д.М., et al.
Published: (2008)

Spectral photosensitivity of the m-n⁰-n structure on the basis of epitaxial layers
by: Yodgorova, D.M., et al.
Published: (2008)

Неразрушающий метод измерения глубины залегания p-n-перехода полупроводниковых фотоэлектрических структур
by: Алиев, Р., et al.
Published: (2010)

Изменения характеристик кремниевых фотоэлектрических преобразователей солнечных батарей после токовых перегрузок
by: Иванченко, А.В., et al.
Published: (2019)

Исследование фотоэлектрических и фотографических характеристик полупроводниковой фотографической системы ионизационного типа
by: Юлдашев, Х.Т., et al.
Published: (2015)

Особенности плазмохимического травления торцов кремниевых пластин для фотоэлектрических преобразователей
by: Федорович, О.А., et al.
Published: (2009)

Электрические и фотоэлектрические свойства гетероструктур NiO/p-CdTe и NiO/n-CdTe
by: Parkhomenko, H. P., et al.
Published: (2016)

Корреляция параметров арсенид-галлиевых эпитаксиальных слоев и технологии их выращивания
by: Karimov, A. V., et al.
Published: (2009)

Research of structures with corrugated photoreceiving surface
by: Karimov, A.V., et al.
Published: (2004)

Низкоразмерные кристаллы кремния для фотоэлектрических преобразователей
by: Druzhinin, A. A., et al.
Published: (2011)

Research of the photo-voltaic effect in the two-base Ag-N⁰AlGaAs-n⁺GaAs-n⁰GaInAs-Au structure with various thicknesses of a base
by: Yodgorova, D.M., et al.
Published: (2008)

Аномальный фотовольтаический эффект в структуре с барьером Шоттки – Мотта
by: Karimov, A. V., et al.
Published: (2008)

Комбинированный способ выращивания эпитаксиальных слоев полупроводниковых соединений A³B⁵
by: Yodgorova, D. M., et al.
Published: (2007)

Химическое осаждение из газовой фази гетеро- и наноструктур соединений III–V
by: Voronin, V. A., et al.
Published: (2008)

Исследование импульсных характеристик ограничителей напряжения
by: Karimov, A. V., et al.
Published: (2012)

Физико-технологические аспекты создания низковольтных ограничителей напряжения на основе кремния
by: Rakhmatov, A. Z., et al.
Published: (2010)

Измерительный комплекс для определения фотоэлектрических параметров приемников излучения
by: Ashcheulov, A. A., et al.
Published: (2004)

Анализ эффективности фотоэлектрических систем коммунального назначения
by: Карпенко, Д.С., et al.
Published: (2016)

Низкоразмерные кристаллы кремния для фотоэлектрических преобразователей
by: Дружинин, А.А., et al.
Published: (2011)

О каталоге фотоэлектрических (UBV) величин звезд
by: Рыльков, В.П., et al.
Published: (1991)

Кремний мультипористой текстуры для фотоэлектрических преобразователей солнечной энергии
by: Yerokhov, V. Yu., et al.
Published: (2009)

Диагностика глубоких центров на границе пленка–подложка в тонкопленочных эпитаксиальных структурах GaAs
by: Gorev, N. B., et al.
Published: (2010)

Прогнозирование напряжения отсечки ионно-имплантированных полевых транзисторов с барьером Шоттки на GaAs
by: Gorev, N. B., et al.
Published: (2007)

Синтез и анализ блочно-модульных структур бесконтактных тахометров постоянного тока на основе схемотехники фотоэлектрических цифровых преобразователей перемещений
by: Габидулин, М.А.
Published: (2012)

Оптимизация распределения концентрации носителей по толщине эпитаксиальных слоев
by: Karimov, A. V., et al.
Published: (2007)

Research of photo-sensitive 2-barrier pAlGaInAs-nGaAs:O-Au-structure
by: U. M. Buzrukov
Published: (2005)