Особенности фотоэлектрических характеристик фотоэлектропреобразовательных структур
The peculiarities of photoelectric characteristics of converter structures based on the isotype n-GaAs/n-GaInAs heterojunction with Ag potential barriers have been investigated. The physical processes occurring in the potential barriers under optical irradiation are analyzed. The structures exhibit...
Збережено в:
| Дата: | 2007 |
|---|---|
| Автори: | , , , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Українська |
| Опубліковано: |
PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
2007
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2007.4.23 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Technology and design in electronic equipment |
Репозитарії
Technology and design in electronic equipmentСхожі ресурси
Особенности фотоэлектрических характеристик фотоэлектропреобразовательных структур
за авторством: Каримов, А.В., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Каримов, А.В., та інші
Опубліковано: (2007)
Исследование процесса формирования токовых характеристик кремниевого фотодиода с выпрямляющими барьерами
за авторством: Karimov, A. V., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Karimov, A. V., та інші
Опубліковано: (2013)
Некоторые особенности фотоэлектрических характеристик двухбазовой Ag–N⁰Al₀.₂Ga₀.₈As–n⁺GaAs–n⁰Ga₀.₉In₀.₁As–Au-структуры
за авторством: Yodgorova, D. M., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Yodgorova, D. M., та інші
Опубліковано: (2008)
Многофункциональная гомопереходная арсенид-галлиевая n–p–m-структура
за авторством: Karimov, A. V., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Karimov, A. V., та інші
Опубліковано: (2009)
ОСОБЕННОСТИ ЛОКАЛЬНЫХ УСИЛЕНИЙ ЭЛЕКТРИЧЕСКОГО ПОЛЯ ПРОВОДЯЩИМИ ВКЛЮЧЕНИЯМИ В НЕЛИНЕЙНОЙ ПОЛИМЕРНОЙ ИЗОЛЯЦИИ
за авторством: Щерба, М.А.
Опубліковано: (2015)
за авторством: Щерба, М.А.
Опубліковано: (2015)
Гетероструктуры, полученные методом отжига монокристаллов InSe в парах серы
за авторством: Kovalyuk, Z. D., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Kovalyuk, Z. D., та інші
Опубліковано: (2009)
Повышение надежности диодов Шоттки при воздействии разрядов cтатического электричества
за авторством: Sоlоdukha, V. A., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Sоlоdukha, V. A., та інші
Опубліковано: (2012)
Кинетика деформации ВАХ оксидных варисторных структур, обусловленная перезарядкой локализованных состояний
за авторством: Tonkoshkur, A. S., та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Tonkoshkur, A. S., та інші
Опубліковано: (2014)
Исследование характеристик кремниевых фотоэлектрических преобразователей солнечных батарей при перегреве
за авторством: Иванченко, А.В., та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Иванченко, А.В., та інші
Опубліковано: (2018)
Некоторые особенности фотоэлектрических характеристик двухбазовой Ag–N⁰Al₀,₂Ga₀,₈As–n+GaAs–n⁰Ga₀,₉In₀,₁As–Au-структуры
за авторством: Ёдгорова, Д.М., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Ёдгорова, Д.М., та інші
Опубліковано: (2008)
Неразрушающий метод измерения глубины залегания p-n-перехода полупроводниковых фотоэлектрических структур
за авторством: Алиев, Р., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Алиев, Р., та інші
Опубліковано: (2010)
Изменения характеристик кремниевых фотоэлектрических преобразователей солнечных батарей после токовых перегрузок
за авторством: Иванченко, А.В., та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: Иванченко, А.В., та інші
Опубліковано: (2019)
Исследование фотоэлектрических и фотографических характеристик полупроводниковой фотографической системы ионизационного типа
за авторством: Юлдашев, Х.Т., та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: Юлдашев, Х.Т., та інші
Опубліковано: (2015)
Электрические и фотоэлектрические свойства гетероструктур NiO/p-CdTe и NiO/n-CdTe
за авторством: Parkhomenko, H. P., та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: Parkhomenko, H. P., та інші
Опубліковано: (2016)
Особенности плазмохимического травления торцов кремниевых пластин для фотоэлектрических преобразователей
за авторством: Федорович, О.А., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Федорович, О.А., та інші
Опубліковано: (2009)
Spectral photosensitivity of the m-n⁰-n structure on the basis of epitaxial layers
за авторством: Yodgorova, D.M., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Yodgorova, D.M., та інші
Опубліковано: (2008)
Химическое осаждение из газовой фази гетеро- и наноструктур соединений III–V
за авторством: Voronin, V. A., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Voronin, V. A., та інші
Опубліковано: (2008)
Низкоразмерные кристаллы кремния для фотоэлектрических преобразователей
за авторством: Druzhinin, A. A., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Druzhinin, A. A., та інші
Опубліковано: (2011)
Корреляция параметров арсенид-галлиевых эпитаксиальных слоев и технологии их выращивания
за авторством: Karimov, A. V., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Karimov, A. V., та інші
Опубліковано: (2009)
Research of structures with corrugated photoreceiving surface
за авторством: Karimov, A.V., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Karimov, A.V., та інші
Опубліковано: (2004)
Низкоразмерные кристаллы кремния для фотоэлектрических преобразователей
за авторством: Дружинин, А.А., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Дружинин, А.А., та інші
Опубліковано: (2011)
Анализ эффективности фотоэлектрических систем коммунального назначения
за авторством: Карпенко, Д.С., та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: Карпенко, Д.С., та інші
Опубліковано: (2016)
Исследование импульсных характеристик ограничителей напряжения
за авторством: Karimov, A. V., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Karimov, A. V., та інші
Опубліковано: (2012)
Кремний мультипористой текстуры для фотоэлектрических преобразователей солнечной энергии
за авторством: Yerokhov, V. Yu., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Yerokhov, V. Yu., та інші
Опубліковано: (2009)
Комбинированный способ выращивания эпитаксиальных слоев полупроводниковых соединений A³B⁵
за авторством: Yodgorova, D. M., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Yodgorova, D. M., та інші
Опубліковано: (2007)
Research of the photo-voltaic effect in the two-base Ag-N⁰AlGaAs-n⁺GaAs-n⁰GaInAs-Au structure with various thicknesses of a base
за авторством: Yodgorova, D.M., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Yodgorova, D.M., та інші
Опубліковано: (2008)
Аномальный фотовольтаический эффект в структуре с барьером Шоттки – Мотта
за авторством: Karimov, A. V., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Karimov, A. V., та інші
Опубліковано: (2008)
Прогнозирование напряжения отсечки ионно-имплантированных полевых транзисторов с барьером Шоттки на GaAs
за авторством: Gorev, N. B., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Gorev, N. B., та інші
Опубліковано: (2007)
Диагностика глубоких центров на границе пленка–подложка в тонкопленочных эпитаксиальных структурах GaAs
за авторством: Gorev, N. B., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Gorev, N. B., та інші
Опубліковано: (2010)
Физико-технологические аспекты создания низковольтных ограничителей напряжения на основе кремния
за авторством: Rakhmatov, A. Z., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Rakhmatov, A. Z., та інші
Опубліковано: (2010)
Технологический аспект повышения эффективности полупроводниковых фотоэлектрических преобразователей
за авторством: Курак, В.В., та інші
Опубліковано: (2002)
за авторством: Курак, В.В., та інші
Опубліковано: (2002)
Вольт-фарадные измерения в тонкопленочных эпитаксиальных структурах GaAs
за авторством: Gorev, N. B., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Gorev, N. B., та інші
Опубліковано: (2009)
Research of photo-sensitive 2-barrier pAlGaInAs-nGaAs:O-Au-structure
за авторством: U. M. Buzrukov
Опубліковано: (2005)
за авторством: U. M. Buzrukov
Опубліковано: (2005)
Кремний мультипористой текстуры для фотоэлектрических преобразователей солнечной энергии
за авторством: Ерохов, В.Ю., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Ерохов, В.Ю., та інші
Опубліковано: (2009)
Измерительный комплекс для определения фотоэлектрических параметров приемников излучения
за авторством: Ащеулов, А.А., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Ащеулов, А.А., та інші
Опубліковано: (2004)
Шляхи поліпшення оптичних характеристик мікропризмових структур
за авторством: Петров, В.В., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Петров, В.В., та інші
Опубліковано: (2010)
Кріогенні термометри опору на основі плівок Ge–InP
за авторством: Mitin, Vadim, та інші
Опубліковано: (2020)
за авторством: Mitin, Vadim, та інші
Опубліковано: (2020)
Гетероструктуры на основе GaAs с квантовыми точками InAs для фотоэлектрических преобразователей
за авторством: Maronchuk, I. E., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Maronchuk, I. E., та інші
Опубліковано: (2008)
Оптимизация распределения концентрации носителей по толщине эпитаксиальных слоев
за авторством: Karimov, A. V., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Karimov, A. V., та інші
Опубліковано: (2007)
Вольт-фарадные характеристики ионно-имплантированных структур GaAs
за авторством: Gorev, N. B., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Gorev, N. B., та інші
Опубліковано: (2008)