Особенности фотоэлектрических характеристик фотоэлектропреобразовательных структур

• Datum: 2007
• Hauptverfasser: Karimov, A. V., Yodgorova, D. M., Giyasova, F. A., Azimov, T. M., Buzrukov, U. M., Yakubov, A. A.
• Format: Artikel
• Sprache: Ukrainisch
• Veröffentlicht: PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2007
• Schlagworte: изотип; фотоэлектропреобразователь; гетероструктура; барьер; фотоэлектрическое усиление
• Online Zugang: https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2007.4.23
• Назва журналу: Technology and design in electronic equipment

The peculiarities of photoelectric characteristics of converter structures based on the isotype n-GaAs/n-GaInAs heterojunction with Ag potential barriers have been investigated. The physical processes occurring in the potential barriers under optical irradiation are analyzed. The structures exhibit...