Електричні та фотоелектричні властивості гетеропереходів MoN/p-CdTe та MoN/n-CdTe
Due to the physical properties of MoN and ITO thin films, it was decided to create MoN/p-CdTe and MoN/n-CdTe heterostructures and investigate their electrical and photoelectric properties. The method of reactive magnetron sputtering was used to create thin MoN and ITO films on single crystal CdTe su...
Gespeichert in:
| Datum: | 2021 |
|---|---|
| Hauptverfasser: | , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Ukrainian |
| Veröffentlicht: |
PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
2021
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2021.1-2.33 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Technology and design in electronic equipment |
Institution
Technology and design in electronic equipment| id |
oai:tkea.com.ua:article-84 |
|---|---|
| record_format |
ojs |
| spelling |
oai:tkea.com.ua:article-842025-12-16T20:30:22Z Electrical and photoelectric properties of MoN/p-CdTe and MoN/n-CdTe heterojunctions Електричні та фотоелектричні властивості гетеропереходів MoN/p-CdTe та MoN/n-CdTe Kovaliuk, Taras Solovan, Mykhaylo Maryanchuk, Pavlo CdTe molybdenum nitride heterojunctions thin film current transport mechanisms CdTe нітрид молібдену гетероперехід тонка плівка механізми струмопереносу Due to the physical properties of MoN and ITO thin films, it was decided to create MoN/p-CdTe and MoN/n-CdTe heterostructures and investigate their electrical and photoelectric properties. The method of reactive magnetron sputtering was used to create thin MoN and ITO films on single crystal CdTe substrates with different conductivity types. To manufacture test heterostructures, the following CdTe crystal substrates were used: 1) p-type conductivity, grown by Bridgman technique at low cadmium vapor pressures; 2) n-type conductivity, grown by Bridgman technique at high cadmium vapor pressures. During the deposition process, the argon pressure in the vacuum chamber was 0.4 Pa. The power of the magnetron was 30 W, the sputtering process continued 5 min at a substrate temperature of 150°C. I-V characteristics of the heterostructures at different temperatures were measured, the height of the potential barrier, the values of the series and shunt resistance were determined. Electrical and photoelectric properties of the heterostructures were studied, and the dominant mechanisms of current transfer at forward displacements was established. The tunnel-recombination mechanism was found to be the dominant mechanism of current transfer in the MoN/p-CdTe and MoN/n-CdTe heterostructures. It was shown that the photoelectric parameters for the MoN/p-CdTe heterostructure are higher than those for MoN/n-CdTe. MoN/p-CdTe heterojunctions have the following photoelectric parameters: open-circuit voltage Voc = 0.4 V, short-circuit current Isc = 24.6 mA/cm2 at an illumination intensity of 80 mW/cm2. This makes them a promising material for the manufacture of detectors of various radiation types. Досліджено електричні та фотоелектричні властивості гетероструктур MoN/p-CdTe та MoN/n-CdTe, отриманих методом магнетронного осадження тонких плівок MoN та ITО на підкладки CdTe з різним типом провідності. Встановлено, що в обох випадках домінуючим механізмом струмопереносу при прямих зміщеннях є тунельно-рекомбінаційний. Показано, що кращі фотоелектричні параметри має гетероструктура MoN/p-CdTe, а саме: напруга холостого ходу Voc = 0,4 В, струм короткого замикання Isc = 24,6 мА/см2 за інтенсивності освітлення 80 мВт/см2. PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2021-03-23 Article Article Peer-reviewed Article application/pdf https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2021.1-2.33 10.15222/TKEA2021.1-2.33 Technology and design in electronic equipment; No. 1–2 (2021): Tekhnologiya i konstruirovanie v elektronnoi apparature; 33-38 Технологія та конструювання в електронній апаратурі; № 1–2 (2021): Технология и конструирование в электронной аппаратуре; 33-38 3083-6549 3083-6530 10.15222/TKEA2021.1-2 uk https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2021.1-2.33/77 Copyright (c) 2021 Taras Kovaliuk, Mykhaylo Solovan, Pavlo Maryanchuk http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/ |
| institution |
Technology and design in electronic equipment |
| baseUrl_str |
|
| datestamp_date |
2025-12-16T20:30:22Z |
| collection |
OJS |
| language |
Ukrainian |
| topic |
CdTe нітрид молібдену гетероперехід тонка плівка механізми струмопереносу |
| spellingShingle |
CdTe нітрид молібдену гетероперехід тонка плівка механізми струмопереносу Kovaliuk, Taras Solovan, Mykhaylo Maryanchuk, Pavlo Електричні та фотоелектричні властивості гетеропереходів MoN/p-CdTe та MoN/n-CdTe |
| topic_facet |
CdTe molybdenum nitride heterojunctions thin film current transport mechanisms CdTe нітрид молібдену гетероперехід тонка плівка механізми струмопереносу |
| format |
Article |
| author |
Kovaliuk, Taras Solovan, Mykhaylo Maryanchuk, Pavlo |
| author_facet |
Kovaliuk, Taras Solovan, Mykhaylo Maryanchuk, Pavlo |
| author_sort |
Kovaliuk, Taras |
| title |
Електричні та фотоелектричні властивості гетеропереходів MoN/p-CdTe та MoN/n-CdTe |
| title_short |
Електричні та фотоелектричні властивості гетеропереходів MoN/p-CdTe та MoN/n-CdTe |
| title_full |
Електричні та фотоелектричні властивості гетеропереходів MoN/p-CdTe та MoN/n-CdTe |
| title_fullStr |
Електричні та фотоелектричні властивості гетеропереходів MoN/p-CdTe та MoN/n-CdTe |
| title_full_unstemmed |
Електричні та фотоелектричні властивості гетеропереходів MoN/p-CdTe та MoN/n-CdTe |
| title_sort |
електричні та фотоелектричні властивості гетеропереходів mon/p-cdte та mon/n-cdte |
| title_alt |
Electrical and photoelectric properties of MoN/p-CdTe and MoN/n-CdTe heterojunctions |
| description |
Due to the physical properties of MoN and ITO thin films, it was decided to create MoN/p-CdTe and MoN/n-CdTe heterostructures and investigate their electrical and photoelectric properties. The method of reactive magnetron sputtering was used to create thin MoN and ITO films on single crystal CdTe substrates with different conductivity types. To manufacture test heterostructures, the following CdTe crystal substrates were used: 1) p-type conductivity, grown by Bridgman technique at low cadmium vapor pressures; 2) n-type conductivity, grown by Bridgman technique at high cadmium vapor pressures. During the deposition process, the argon pressure in the vacuum chamber was 0.4 Pa. The power of the magnetron was 30 W, the sputtering process continued 5 min at a substrate temperature of 150°C. I-V characteristics of the heterostructures at different temperatures were measured, the height of the potential barrier, the values of the series and shunt resistance were determined. Electrical and photoelectric properties of the heterostructures were studied, and the dominant mechanisms of current transfer at forward displacements was established. The tunnel-recombination mechanism was found to be the dominant mechanism of current transfer in the MoN/p-CdTe and MoN/n-CdTe heterostructures. It was shown that the photoelectric parameters for the MoN/p-CdTe heterostructure are higher than those for MoN/n-CdTe. MoN/p-CdTe heterojunctions have the following photoelectric parameters: open-circuit voltage Voc = 0.4 V, short-circuit current Isc = 24.6 mA/cm2 at an illumination intensity of 80 mW/cm2. This makes them a promising material for the manufacture of detectors of various radiation types. |
| publisher |
PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers |
| publishDate |
2021 |
| url |
https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2021.1-2.33 |
| work_keys_str_mv |
AT kovaliuktaras electricalandphotoelectricpropertiesofmonpcdteandmonncdteheterojunctions AT solovanmykhaylo electricalandphotoelectricpropertiesofmonpcdteandmonncdteheterojunctions AT maryanchukpavlo electricalandphotoelectricpropertiesofmonpcdteandmonncdteheterojunctions AT kovaliuktaras električnítafotoelektričnívlastivostígeteroperehodívmonpcdtetamonncdte AT solovanmykhaylo električnítafotoelektričnívlastivostígeteroperehodívmonpcdtetamonncdte AT maryanchukpavlo električnítafotoelektričnívlastivostígeteroperehodívmonpcdtetamonncdte |
| first_indexed |
2025-09-24T17:30:22Z |
| last_indexed |
2025-12-17T12:06:28Z |
| _version_ |
1851757102356234240 |