Електричні та фотоелектричні властивості гетеропереходів MoN/p-CdTe та MoN/n-CdTe

• Опубліковано в: Технологія та конструювання в електронній апаратурі
• Дата: 2021
• Випуск: 1–2
• Сторінки: 33-38
• ISSN: 3083-6549
• Автори та афіліації: Taras Kovaliuk — Chernivtsi National University, Ukraine; Charles University in Prague, Czech Republic — ORCID: 0000-0002-7712-6758; Mykhaylo Solovan — Chernivtsi National University, Chernivtsy, Ukraine; Pavlo Maryanchuk — Chernivtsi National University, Chernivtsy, Ukraine
• Ключові слова: electronic structure, ккд фотоелектричного модуля, magnetic fi eld, сонячний фотоелектричний елемент, за- кон руху електрода, induction current, infrared photodetectors, magnetic field, світлодіод, електрод
• Автори: Kovaliuk, Taras, Solovan, Mykhaylo, Maryanchuk, Pavlo
• Формат: Стаття
• Мова: Українська
• Опубліковано: PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2021
• Теми: CdTe; нітрид молібдену; гетероперехід; тонка плівка; механізми струмопереносу
• Онлайн доступ: https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2021.1-2.33
• Назва журналу: Technology and design in electronic equipment

Due to the physical properties of MoN and ITO thin films, it was decided to create MoN/p-CdTe and MoN/n-CdTe heterostructures and investigate their electrical and photoelectric properties. The method of reactive magnetron sputtering was used to create thin MoN and ITO films on single crystal CdTe su...