Новые возможности фотоэлектрического метода определения высоты барьера в структурах Au–n-GaAs
Two-sided photosensitive Au–n–GaAs structures fabricated by a chemical method have been investigated. For the first time, it was found that illumination from the GaAs side increases photosensitivity in the Fowler region of the spectrum by approximately an order of magnitude. An improved variant of t...
Gespeichert in:
| Datum: | 2007 |
|---|---|
| Hauptverfasser: | , , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Ukrainisch |
| Veröffentlicht: |
PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
2007
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2007.3.33 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Technology and design in electronic equipment |
Institution
Technology and design in electronic equipment| _version_ | 1859691501321191424 |
|---|---|
| author | Melebayev, D. Melebayeva, G. D. Rud, Yu. V. Rud, V. Yu. |
| author_facet | Melebayev, D. Melebayeva, G. D. Rud, Yu. V. Rud, V. Yu. |
| author_sort | Melebayev, D. |
| baseUrl_str | |
| collection | OJS |
| datestamp_date | 2026-03-14T11:44:24Z |
| description | Two-sided photosensitive Au–n–GaAs structures fabricated by a chemical method have been investigated. For the first time, it was found that illumination from the GaAs side increases photosensitivity in the Fowler region of the spectrum by approximately an order of magnitude. An improved variant of the photoelectric method for determining the Schottky barrier height is proposed, providing high accuracy and reliability. This makes it possible to evaluate the quality of metal–semiconductor and metal–insulator–semiconductor interfaces. The method can be applied in the development of new semiconductor electronic devices. |
| first_indexed | 2026-03-15T02:00:21Z |
| format | Article |
| id | oai:tkea.com.ua:article-848 |
| institution | Technology and design in electronic equipment |
| keywords_txt_mv | keywords |
| language | Ukrainian |
| last_indexed | 2026-03-15T02:00:21Z |
| publishDate | 2007 |
| publisher | PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers |
| record_format | ojs |
| spelling | oai:tkea.com.ua:article-8482026-03-14T11:44:24Z New possibilities of the photoelectric method for determining barrier height in Au–n-GaAs structures Новые возможности фотоэлектрического метода определения высоты барьера в структурах Au–n-GaAs Melebayev, D. Melebayeva, G. D. Rud, Yu. V. Rud, V. Yu. metal–semiconductor structure chemical fabrication method photosensitivity Schottky barrier height illumination photoelectric determination method структура химический метод получения фоточувствительность высота барьера Шоттки освещение фотоэлектрический метод определения Two-sided photosensitive Au–n–GaAs structures fabricated by a chemical method have been investigated. For the first time, it was found that illumination from the GaAs side increases photosensitivity in the Fowler region of the spectrum by approximately an order of magnitude. An improved variant of the photoelectric method for determining the Schottky barrier height is proposed, providing high accuracy and reliability. This makes it possible to evaluate the quality of metal–semiconductor and metal–insulator–semiconductor interfaces. The method can be applied in the development of new semiconductor electronic devices. Исследованы двухсторонние фоточувствительные структуры Au-n-GaAs, полученные химическим методом. Впервые обнаружено, что при освещении структур со стороны GaAs их фоточувствительность в фаулеровской области спектра увеличивается примерно на порядок. Предложен усовершенствованный вариант фотоэлектрического метода определения высоты барьера с высокой точностью и надежностью, что позволяет судить о качестве границы раздела "металл-полупроводник" и "металл-диэлектрик-полупроводник". Метод может найти применение при разработке новых приборов полупроводниковой электроники. PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2007-06-29 Article Article Peer-reviewed Article application/pdf https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2007.3.33 Technology and design in electronic equipment; No. 3 (2007): Tekhnologiya i konstruirovanie v elektronnoi apparature; 33-37 Технологія та конструювання в електронній апаратурі; № 3 (2007): Технология и конструирование в электронной аппаратуре; 33-37 3083-6549 3083-6530 uk https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2007.3.33/770 Copyright (c) 2007 Melebayev D., Melebayeva G. D., Rud Yu. V., Rud V. Yu. http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/ |
| spellingShingle | структура химический метод получения фоточувствительность высота барьера Шоттки освещение фотоэлектрический метод определения Melebayev, D. Melebayeva, G. D. Rud, Yu. V. Rud, V. Yu. Новые возможности фотоэлектрического метода определения высоты барьера в структурах Au–n-GaAs |
| title | Новые возможности фотоэлектрического метода определения высоты барьера в структурах Au–n-GaAs |
| title_alt | New possibilities of the photoelectric method for determining barrier height in Au–n-GaAs structures |
| title_full | Новые возможности фотоэлектрического метода определения высоты барьера в структурах Au–n-GaAs |
| title_fullStr | Новые возможности фотоэлектрического метода определения высоты барьера в структурах Au–n-GaAs |
| title_full_unstemmed | Новые возможности фотоэлектрического метода определения высоты барьера в структурах Au–n-GaAs |
| title_short | Новые возможности фотоэлектрического метода определения высоты барьера в структурах Au–n-GaAs |
| title_sort | новые возможности фотоэлектрического метода определения высоты барьера в структурах au–n-gaas |
| topic | структура химический метод получения фоточувствительность высота барьера Шоттки освещение фотоэлектрический метод определения |
| topic_facet | metal–semiconductor structure chemical fabrication method photosensitivity Schottky barrier height illumination photoelectric determination method структура химический метод получения фоточувствительность высота барьера Шоттки освещение фотоэлектрический метод определения |
| url | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2007.3.33 |
| work_keys_str_mv | AT melebayevd newpossibilitiesofthephotoelectricmethodfordeterminingbarrierheightinaungaasstructures AT melebayevagd newpossibilitiesofthephotoelectricmethodfordeterminingbarrierheightinaungaasstructures AT rudyuv newpossibilitiesofthephotoelectricmethodfordeterminingbarrierheightinaungaasstructures AT rudvyu newpossibilitiesofthephotoelectricmethodfordeterminingbarrierheightinaungaasstructures AT melebayevd novyevozmožnostifotoélektričeskogometodaopredeleniâvysotybarʹeravstrukturahaungaas AT melebayevagd novyevozmožnostifotoélektričeskogometodaopredeleniâvysotybarʹeravstrukturahaungaas AT rudyuv novyevozmožnostifotoélektričeskogometodaopredeleniâvysotybarʹeravstrukturahaungaas AT rudvyu novyevozmožnostifotoélektričeskogometodaopredeleniâvysotybarʹeravstrukturahaungaas |