Формирование прозрачных омических контактов к р-GaN для светоизлучающих диодов
Results of studies on ohmic contacts based on Ni/Au films to the p-type GaN region are presented. The influence of Ni/Au layer thickness, deposition conditions, and contact formation regimes on specific contact resistance, element redistribution in metal–semiconductor structures, and optical propert...
Gespeichert in:
| Datum: | 2007 |
|---|---|
| Hauptverfasser: | , , , , , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Ukrainisch |
| Veröffentlicht: |
PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
2007
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2007.3.43 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Technology and design in electronic equipment |
Institution
Technology and design in electronic equipment| _version_ | 1859691503304048641 |
|---|---|
| author | Bosiy, V. I. Danilov, N. G. Cohan, V. P. Novitskiy, V. А. Semashko, Е. М. Tkachenko, V. V. Shponiak, T. A. |
| author_facet | Bosiy, V. I. Danilov, N. G. Cohan, V. P. Novitskiy, V. А. Semashko, Е. М. Tkachenko, V. V. Shponiak, T. A. |
| author_sort | Bosiy, V. I. |
| baseUrl_str | |
| collection | OJS |
| datestamp_date | 2026-03-14T11:44:24Z |
| description | Results of studies on ohmic contacts based on Ni/Au films to the p-type GaN region are presented. The influence of Ni/Au layer thickness, deposition conditions, and contact formation regimes on specific contact resistance, element redistribution in metal–semiconductor structures, and optical properties of the contact system has been investigated. Ohmic contacts (Ni/Au)/p-GaN with a specific contact resistance of (1–2)·10⁻³ Ω·cm² and transparency of 78% at a wavelength of 460 nm have been obtained. |
| first_indexed | 2026-03-15T02:00:23Z |
| format | Article |
| id | oai:tkea.com.ua:article-851 |
| institution | Technology and design in electronic equipment |
| keywords_txt_mv | keywords |
| language | Ukrainian |
| last_indexed | 2026-03-15T02:00:23Z |
| publishDate | 2007 |
| publisher | PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers |
| record_format | ojs |
| spelling | oai:tkea.com.ua:article-8512026-03-14T11:44:24Z Formation of transparent ohmic contacts to p-GaN for light-emitting diodes Формирование прозрачных омических контактов к р-GaN для светоизлучающих диодов Bosiy, V. I. Danilov, N. G. Cohan, V. P. Novitskiy, V. А. Semashko, Е. М. Tkachenko, V. V. Shponiak, T. A. light-emitting diode ohmic contact p-GaN region Ni/Au film светоизлучающий диод омический контакт р-область GaN пленка Ni/Au Results of studies on ohmic contacts based on Ni/Au films to the p-type GaN region are presented. The influence of Ni/Au layer thickness, deposition conditions, and contact formation regimes on specific contact resistance, element redistribution in metal–semiconductor structures, and optical properties of the contact system has been investigated. Ohmic contacts (Ni/Au)/p-GaN with a specific contact resistance of (1–2)·10⁻³ Ω·cm² and transparency of 78% at a wavelength of 460 nm have been obtained. Приведены результаты исследований омических контактов на основе пленок Ni-Au к р-области нитрида галлия. Проведены исследования влияния толщины слоев Ni/Au, условий нанесения и формирования контакта на удельное контактное сопротивление, перераспределение элементов в структурах "металл-полупроводник" и оптические свойства контактной системы. Получены омические контакты (Ni-Au)/р-GaN с удельным контактным сопротивлением (1–2)·10–3 Ом·см2 и прозрачностью 78% на длине волны 460 нм. PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2007-06-29 Article Article Peer-reviewed Article application/pdf https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2007.3.43 Technology and design in electronic equipment; No. 3 (2007): Tekhnologiya i konstruirovanie v elektronnoi apparature; 43-45 Технологія та конструювання в електронній апаратурі; № 3 (2007): Технология и конструирование в электронной аппаратуре; 43-45 3083-6549 3083-6530 uk https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2007.3.43/773 Copyright (c) 2007 Bosiy V. I., Danilov N. G., Cohan V. P., Novitskiy V. А., Semashko Е. М., Tkachenko V. V., Shponiak T. A. http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/ |
| spellingShingle | светоизлучающий диод омический контакт р-область GaN пленка Ni/Au Bosiy, V. I. Danilov, N. G. Cohan, V. P. Novitskiy, V. А. Semashko, Е. М. Tkachenko, V. V. Shponiak, T. A. Формирование прозрачных омических контактов к р-GaN для светоизлучающих диодов |
| title | Формирование прозрачных омических контактов к р-GaN для светоизлучающих диодов |
| title_alt | Formation of transparent ohmic contacts to p-GaN for light-emitting diodes |
| title_full | Формирование прозрачных омических контактов к р-GaN для светоизлучающих диодов |
| title_fullStr | Формирование прозрачных омических контактов к р-GaN для светоизлучающих диодов |
| title_full_unstemmed | Формирование прозрачных омических контактов к р-GaN для светоизлучающих диодов |
| title_short | Формирование прозрачных омических контактов к р-GaN для светоизлучающих диодов |
| title_sort | формирование прозрачных омических контактов к р-gan для светоизлучающих диодов |
| topic | светоизлучающий диод омический контакт р-область GaN пленка Ni/Au |
| topic_facet | light-emitting diode ohmic contact p-GaN region Ni/Au film светоизлучающий диод омический контакт р-область GaN пленка Ni/Au |
| url | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2007.3.43 |
| work_keys_str_mv | AT bosiyvi formationoftransparentohmiccontactstopganforlightemittingdiodes AT danilovng formationoftransparentohmiccontactstopganforlightemittingdiodes AT cohanvp formationoftransparentohmiccontactstopganforlightemittingdiodes AT novitskiyva formationoftransparentohmiccontactstopganforlightemittingdiodes AT semashkoem formationoftransparentohmiccontactstopganforlightemittingdiodes AT tkachenkovv formationoftransparentohmiccontactstopganforlightemittingdiodes AT shponiakta formationoftransparentohmiccontactstopganforlightemittingdiodes AT bosiyvi formirovanieprozračnyhomičeskihkontaktovkrgandlâsvetoizlučaûŝihdiodov AT danilovng formirovanieprozračnyhomičeskihkontaktovkrgandlâsvetoizlučaûŝihdiodov AT cohanvp formirovanieprozračnyhomičeskihkontaktovkrgandlâsvetoizlučaûŝihdiodov AT novitskiyva formirovanieprozračnyhomičeskihkontaktovkrgandlâsvetoizlučaûŝihdiodov AT semashkoem formirovanieprozračnyhomičeskihkontaktovkrgandlâsvetoizlučaûŝihdiodov AT tkachenkovv formirovanieprozračnyhomičeskihkontaktovkrgandlâsvetoizlučaûŝihdiodov AT shponiakta formirovanieprozračnyhomičeskihkontaktovkrgandlâsvetoizlučaûŝihdiodov |